Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "SiC MOSFET" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 17
Tytuł:
Inteligentny hybrydowy magazyn energii z przekształtnikami energoelektronicznymi wykorzystującymi wysokonapięciowe, niskoindukcyjne moduły mocy SiC MOSFET
Intelligent hybrid energy storage with power electronic converters using high-voltage, low-inductive SiC MOSFET power modules
Autorzy:
Kobos, Witold
Sobieski, Radosław
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2056412.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
magazyn hybrydowy
superkondensator
bateria litowa
ogniwo paliwowe
energoelektronika mocy
półprzewodniki SiC
inteligentny transformator
hybrid storage
supercapacitor
lithium battery
fuel cell
power electronics
SiC semiconductors
smart transformer
Opis:
W artykule przedstawiono koncepcje magazynu energii charakteryzujący się wielowymiarową funkcjonalnością. Oprócz wieloźródłowego, dwukierunkowego transferu energii elektrycznej poprzez przekształtniki o podwyższonej sprawności dzięki zastosowaniu technologii SiC magazyn może stanowić źródło zielonego wodoru. W pracy zaproponowano kryteria optymalizacji doboru pojemności energetycznej baterii Li-ion, pojemności bloku superkondensatorowego oraz mocy przyłączonych elektrowni fotowoltaicznej i wiatrowej, a także mocy ogniwa paliwowego w zależności od parametrów przyłączonej sieci odbiorów sieci średniego i niskiego napięcia.
The article presents the concept of energy storage with multidimensional functionality. In addition to multi-source, bidirectional electricity transfer through converters with increased efficiency due to SiC technology, the storage can be a source of green hydrogen. The paper proposes criteria for optimizing the selection of the energy capacity of a Li-ion battery, the capacity of a supercapacitor unit and the power of the connected photovoltaic and wind power plants, as well as the power of the fuel cell depending on the parameters of the connected medium and low voltage grid.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2021, 2, 126; 53--58
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Problems related to the correct determination of switching power losses in high-speed SiC MOSFET power modules
Autorzy:
Zięba, Dawid
Rąbkowski, Jacek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173649.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
SiC MOSFET
power modules
channel current
switching losses
time alignment
moduł mocy
prąd kanału
straty przełączania
wyrównanie czasu
Opis:
High-speed switching capabilities of SiC MOSFET power modules allow building high power converters working with elevated switching frequencies offering high efficiencies and high power densities. As the switching processes get increasingly rapid, the parasitic capacitances and inductances appearing in SiC MOSFET power modules affect switching transients more and more significantly. Even relatively small parasitic capacitances can cause a significant capacitive current flow through the SiC MOSFET power module. As the capacitive current component in the drain current during the turn-off process is significant, a commonly used metod of determining the switching power losses based on the product of instantaneous values of drain-source voltage and drain current may lead to a severe error. Another problem is that charged parasitic capacitances discharge through the MOSFET resistive channel during the turn-on process. As this happens in the internal structure, that current is not visible on the MOSFET terminals. Fast switching processes are challenging to measure accurately due to the imperfections of measurement probes, like their output signals delay mismatch. This paper describes various problems connected with the correct determination of switching power losses in high-speed SiC MOSFET power modules and proposes solutions to these problems. A method of achieving a correct time alignment of waveforms collected by voltage and current probes has been shown and verified experimentally. In order to estimate SiC MOSFET channel current during the fast turn-off process, a method based on the estimation of nonlinear parasitic capacitances current has also been proposed and verified experimentally.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2022, 70, 2; art. no. e140695
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Experimental study of snubber circuit design for SiC power MOSFET devices
Autorzy:
Niewiara, Ł. J.
Skiwski, M.
Tarczewski, T.
Grzesiak, L. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/97236.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
DC\DC converter
snubber circuit
SiC MOSFET
Opis:
In this paper a design process of snubber circuit for DC\DC converter is presented. Computer simulation and experimental tests were carried out. Due to the presence of parasitic LC (inductance and capacitance) circuit in the power stage, it is necessary to use an additional snubber circuit for voltage overshoot and oscillations reduction. A simulation model of the converter with parasitic circuit was designed. Six topologies of snubber circuits (C, single C, RC, single RC, RCD, single RCD) were investigated in simulation tests. Simulation model of the proposed system has been investigated in Matlab/Simulink/PLECS environment. Input signal parameters like voltage overshoot, rise time, fall time were compared for considered snubber circuits. Experimental tests were carried out for the best simulation results. It confirm the proper choice of snubber circuit.
Źródło:
Computer Applications in Electrical Engineering; 2015, 13; 120-131
1508-4248
Pojawia się w:
Computer Applications in Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Computer aided design of snubber circuit for DC/DC converter with SiC power MOSFET devices
Autorzy:
Niewiara, Ł.
Skiwski, M.
Tarczewski, T.
Grzesiak, L. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/378069.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
DC\DC converter
snubber circuit
SiC MOSFET
Opis:
In this paper a computer aided design of snubber circuit for DC\DC converter is presented. Due to the presence of parasitic LC circuit in the power stage (inductance and capacitance), it is necessary to use an additional snubber circuit for voltage overshoot and oscillations reduction. A simulation model of the converter with parasitic circuit was designed. Three types of snubber circuits (C, RC, RCD) were investigated in simulation tests. Simulation model of the proposed system has been investigated in Matlab/Simulink/PLECS environment. Input signal parameters like voltage overshoot, rise time, fall time were compared for considered snubber circuits. Experimental tests were carried out for the best simulation result. It confirm the proper choice of snubber circuit.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2015, 84; 77-83
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
Autorzy:
Stęszewski, J.
Jakubowski, A.
Korwin-Pawlowski, M. L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308627.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
silicon carbide
SiC MOSFET
4H-SiC
6H-SiC
Crosslight Apsys
Silvaco Atlas
Opis:
A set of physical models describing silicon carbide with fitting parameters is proposed. The theoretical I-V output and transfer characteristics and parameters of MOS transistors were calculated using Silvaco Atlas and Crosslight Apsys semiconductor device simulation environments.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 93-95
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A comparison study of the features of DC/DC systems with Si IGBT and SiC MOSFET transistors
Badania porównawcze sprawności układów DC/DC z tranzystorami Si IGBT oraz tranzystorami SiC typu MOSFET
Autorzy:
Fatyga, K.
Kwaśny, Ł.
Stefańczak, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408426.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
IGBT
SiC
transistor
MOSFET
DC/DC converter
tranzystor
przekształtnik DC/DC
Opis:
This paper presents a comparison of the efficiency of two bidirectional DC/DC converters based on dual H-bridge topology. Tested converters were built using Si-based IGBT transistors and SiC-based MOSFETs. The results of the research are efficiency characteristics, taken from tests at the frequency range of 10÷60 kHz. Analysis of the results points to a massive advantage of the SiC-based design over the Si-based one.
W artykule zaprezentowano badania porównawcze sprawności dwóch dwukierunkowych przekształtników DC/DC wykonanych w topologii podwójnego mostka H. Badane przekształtniki wykonano w technologii krzemowej z tranzystorami IGBT oraz w technologii węglika krzemu z tranzystorami SiC MOSFET. Rezultatem badań są charakterystyki sprawności uzyskane z testów przy częstotliwości pracy w zakresie 10÷60 kHz. Analiza uzyskanych wyników wskazuje na zdecydowaną przewagę rozwiązania wykonanego w technologii węglika krzemu nad rozwiązaniem z tranzystorami krzemowymi IGBT
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2018, 8, 2; 68-71
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
PMSM servo-drive fed by SiC MOSFETs based VSI
Autorzy:
Tarczewski, T.
Skiwski, M.
Grzesiak, L. M.
Zieliński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1193673.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
PMSM
servo-drive
SiC MOSFET
FOC control
state feedback control
Opis:
The article presents modern PMSM servo-drive with SiC MOSFETs power devices and microprocessor with ARM Cortex core. The high switching frequency is obtained due to the application of high efficient power switching components and powerful microprocessor. It allows to achieve good dynamical properties of current control loop, proper disturbance compensation and silent operation of servo-drive. Experimental tests results obtained for two different control schemes (i.e., cascade control structure and state feedback position control) are presented.
Źródło:
Power Electronics and Drives; 2018, 3, 38; 35-45
2451-0262
2543-4292
Pojawia się w:
Power Electronics and Drives
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of artificial bee colony algorithm to auto-tuning of state feedback controller for DC-DC power converter
Autorzy:
Tarczewski, T.
Niewiara, Ł. J.
Grzesiak, L M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1193254.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
artificial bee colony algorithm
state feedback controller
DC-DC power converter
SiC MOSFET
Opis:
The article presents an auto-tuning method of state feedback voltage controller for DC-DC power converter. The penalty matrices employed for calculation of controller’s coefficients were obtained by using nature-inspired artificial bee colony (ABC) optimization algorithm. This overcomes the main drawback of state feedback control related to time-consuming trial-and-error tuning procedure. The optimization algorithm takes into account constraints of selected state and control variables of DC-DC power converter. In order to meet all control objectives (i.e., fast voltage response and chattering-free control signal) an appropriate performance index is proposed. Proper selection of state feedback controller (SFC) coefficients is proven by simulation and experimental tests of DC-DC power converter.
Źródło:
Power Electronics and Drives; 2016, 1, 36/2; 83-96
2451-0262
2543-4292
Pojawia się w:
Power Electronics and Drives
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Autorzy:
Bąba, Sebastian
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2173625.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reliability engineering
reliability modelling
power MOSFET
SiC
silicon carbide
inżynieria niezawodności
modelowanie niezawodności
węglik krzemu
tranzystor mocy MOSFET
Opis:
The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; art. no. e137386
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Multiparameter reliability model for SiC power MOSFET subjected to repetitive thermomechanical load
Autorzy:
Bąba, Sebastian
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2090738.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
reliability engineering
reliability modelling
power MOSFET
SiC
silicon carbide
inżynieria niezawodności
modelowanie niezawodności
węglik krzemu
tranzystor mocy MOSFET
Opis:
The main drawback of any Design for Reliability methodology is lack of easy accessible reliability models, prepared individually for each critical component. In this paper, a reliability model for SiC power MOSFET in SOT – 227 B housing, subjected to power cycling, is presented. Discussion covers preparation of Accelerated Lifetime Test required to develop such reliability model, analysis of semiconductor degradation progress, samples post-failure analysis and identification of reliability model parameters. Such model may be further used for failure prognostics or useful lifetime estimation of High Performance Power Supplies.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2021, 69, 3; e137386, 1--8
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 17

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies