- Tytuł:
- Optically Active Si:Er Layers Grown by the Sublimation MBE Method
- Autorzy:
-
Stepikhova, M.
Andreev, A.
Andreev, B.
Krasil'nik, Z.
Shmagin, V.
Kuznetsov, V.
Rubtsova, R.
Jantsch, W.
Ellmer, H.
Palmetshofer, L.
Preier, H.
Karpov, Yu.
Piplits, K.
Hutter, H. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/1992203.pdf
- Data publikacji:
- 1998-09
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
- 81.15.Hi
- Opis:
- We report the first application of sublimation molecular beam epitaxy to grow uniformly and selectively doped Si:Er layers with Er concentration up to 5×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. The Hall concentration of electrons is about 10% of total Er contents. The mobility is 300-400 cm$\text{}^{2}$ V$\text{}^{-1}$ s$\text{}^{-1}$ at 300 K. All samples exhibit photoluminescence at 1.537 μm up to 100-140 K.
- Źródło:
-
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 549-554
0587-4246
1898-794X - Pojawia się w:
- Acta Physica Polonica A
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł