Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Mycielski, J." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 13
Tytuł:
Growth of Ternary and Quaternary ZnSe Compounds with Transition Metals by Chemical Vapor Transport
Autorzy:
Janik, E.
Grasza, K.
Mycielski, A.
Bąk-Misiuk, J.
Kachniarz, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929755.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Bk
78.55.Et
Opis:
Halogen transport method was applied to grow the crystals of solid solutions of ZnSe and transition metals at the temperature far below the melting point and phase transition temperature. The large crystals of ZnMnSe, ZnFeSe, ZnNiSe and ZnFeSSe were obtained. The technological parameters and shape of the quartz reactor were chosen for growth of a large crystal by self-nucleation; the transparent quartz furnace enabled the control of nucleation by visual observation. The parameters of crystal growth were determined. The crystal quality was estimated by X-ray diffraction method. The composition of crystals was determined by electron microprobe analysis and energy dispersive X-ray fluorescence analysis.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 785-788
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Is the Magnetism of HgSe:Fe Clearly Understood?
Autorzy:
Dybko, K.
Łusakowski, A.
Kossut, J.
Arciszewska, M.
vd Linden, P. J. E. M.
Wittlin, A.
Perenboom, J. A. A. J.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1931952.pdf
Data publikacji:
1995-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Hx
75.20.Hr
Opis:
The high magnetic field magnetization measurements of low composition Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se (0.0002 < x < 0.003) at temperatures ranging from 1.6 K to 40 K and in magnetic fields up to 20 T are reported. The magnetization in a sample containing only Fe$\text{}^{3+}$ ions (x = 0.0002) is described by the Brillouin function (j = 5/2). The magnetization in the sample codoped with Ga, containing only Fe$\text{}^{2+}$ is well described in the model of isolated Fe$\text{}^{2+}$ ions. The latter model takes into account the tetrahedral crystal field, the spin-orbit interaction and the Zeeman term. On the other hand, the magnetization of sample with both Fe$\text{}^{3+}$ and Fe$\text{}^{2+}$ present simultaneously (x = 0.003) is shown to be different from a simple additive superposition of the contributions due to Fe$\text{}^{3+}$ and Fe$\text{}^{2+}$ subsystems. The possible origin of this discrepancy is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 1; 193-196
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Manganese Distribution in CdMnTeSe Crystals. EXAFS Data Analysis
Autorzy:
Kisiel, A.
Łażewski, J.
Zimnal-Starnawska, M.
Burattini, E.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1952538.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
61.72.Vv
75.50.Pp
Opis:
The extended X-ray absorption fine structure (EXAFS) technique has been used to investigate the first shell coordination in zinc-blende quaternary Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te$\text{}_{1-y}$Se$\text{}_{y}$ (0.0 ≤ x ≤ 0.15; 0.0 ≤ y ≤ 0.20) alloys. The experimental data have been collected with the use of synchrotron radiation. All the nearest-neighbour distances have been found as linearly dependent on Se and Mn concentration. For each composition a consistent deviation from full random distribution of Mn atoms around Se and Te atoms was observed. Possible reasons of preferential Mn-Se over Mn-Te pairing were discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 1032-1034
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fe 3d Contribution to Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se Valence Band by Means of Angle-Resolved Photoemission
Autorzy:
Orłowski, B. A.
Bonnet, J.
Hricovini, C.
Pinchaux, R.
Górecka, J.
Kowalski, B. J.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890985.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.Fi
79.60.Eq
Opis:
The Angle-Resolved Photoemission Electron Spectroscopy (AR PES) was applied to investigate the electronic structure of HgSe and Hg$\text{}_{1-x}$Fe$\text{}_{x}$Se crystals for (110) surface. The measured set of Angle-Resolved Energy Distribution Curves (AR EDCs) permits to determine some of the elements of the electronic band structure E(k) (energy-momentum dependence for ҐKX and ҐX directions in the Brillouin zone) for measured crystals. The Fe 3d contribution gives the states lying over the edge of the valence band of HgSe crystal (0.25 eV), and into the valence band.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 389-392
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Growth and Electrical Properties of Phosphorus Doped Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te Crystals
Autorzy:
Van Khoi, Le
Jaroszyński, J.
Witkowska, B.
Mycielski, A.
Gałązka, R. R.
Cisowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968127.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
71.55.Jv
72.80.Ga
Opis:
The high pressure Bridgman technique was used to grow Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te:P crystals. Under the N$\text{}_{2}$ pressure of 30 atm., we obtained the p$\text{}^{+}$-Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te single crystals 8-10 mm in diameter, with free-carrier densities as high as p ≈ 8×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$ and the room temperature conductivity σ(RT) ≈ 30 Ω$\text{}^{-1}$cm$\text{}^{-1}$. Magnetoresistance measurements were carried out down to 1.3 K and up to 6 T. In Zn$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te:P a strong increase in the acceptor binding energy as well as an immense (ρ(0,1.3K)/ρ(6T,1.3K) > 10$\text{}^{3}$) negative magnetoresistance are observed, by contrast, not seen in diamagnetic ZnTe:P. It is shown that these effects come from the formation of bound magnetic polarons and their destruction by an external magnetic field.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 833-836
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electric Dipole and Current Induced Spin Resonances of Shallow Donor in ZnO
Autorzy:
Michaluk, E.
Błoniarz, J.
Pabich, M.
Wilamowski, Z.
Mycielski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2046940.pdf
Data publikacji:
2006-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Gs
76.30.-v
71.70.Ej
Opis:
In this paper we present our observation of electric dipole spin resonance and current induced spin resonance in ZnO bulk crystals, both effects result from spin-orbit coupling. Electric dipole spin resonance originates from admixture of spin state due to spin-orbit interaction which leads to probability of spin-flip caused by electric component of microwave field. In current induced spin resonance phenomenon the electric component of microwave field induces electron motion leading to mean ac spin-orbit field that acts on electron spin. Spin-orbit interaction can be described in terms of the Rashba field, an effective magnetic field that induce spin resonance. In contrast to magnetic and electric dipole spin resonances the current induced resonance is characterized by dispersive-like line shape.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2006, 110, 2; 263-270
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 13

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies