Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Mirowska, A." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 24
Tytuł:
Authenticity, Self-Invention and the Power of Storytelling: Sam Shepard’s Postmillennial Work
Autorzy:
Mirowska, Paulina
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1394583.pdf
Data publikacji:
2020-12-30
Wydawca:
Uniwersytet Łódzki. Wydawnictwo Uniwersytetu Łódzkiego
Tematy:
Sam Shepard
A Particle of Dread (Oedipus Variations)
Sophocles
Oedipus Rex
Field Day
The UK City of Culture
Derry/Londonderry
authenticity
self-invention
Opis:
The article reflects upon Sam Shepard’s playwrighting in the opening decades of the twenty-first century, paying particular attention to his last play, A Particle of Dread (Oedipus Variations), written specifically for the Derry/Londonderry City of Culture celebrations in 2013, and originally produced by the renowned Field Day Theatre Company. The article seeks to offer an insight into Shepard’s mature multilayered text, which, in many respects, looks back upon almost fifty years of his artistic creativity and, at the same time, expands his vision. It also addresses the realisation of Shepard’s play in performance and the significance of his text in an interplay of multiple creative inputs involved in the production process. While revisiting the familiar landscapes and themes, Shepard’s most recent work negotiates the boundaries between the actual and the fictitious, raising debates about the persistence of myths, mortality and the haunting legacies of the past. Richly intertextual and conspicuously metatheatrical, it grapples with questions of authenticity, performativity and storytelling – the narratives that are passed down, and how they form and inform our lives. It also engages with, and further problematises, issues of personal and cultural identity, which constitute Shepard’s most durable thematic threads, revealing both the dramatist’s acute concern with fateful determinism and commitment to self-invention. Significantly, while Shepard’s postmillennial output highlights the author’s ongoing preoccupation with instability and frontiers of various sorts (from those topographic, temporal and sociopolitical to those of language and art), it equally intimates his attentiveness to correspondences between times, lands and cultures.
Źródło:
Analyses/Rereadings/Theories: A Journal Devoted to Literature, Film and Theatre; 2020, 6, 1; 28-39
2353-6098
Pojawia się w:
Analyses/Rereadings/Theories: A Journal Devoted to Literature, Film and Theatre
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie rozkładów właściwości elektrycznych i optycznych monokryształów GaP stosowanych w optyce podczerwieni
Investigation of spatial distributions of electrical and optical properties of GaP single crystals
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Piersa, M.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192034.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaP
własności elektryczne
własności optyczne
optical properties
electrical properties
Opis:
Niedomieszkowane monokryształy GaP o niskiej koncentracji nośników n ≤ 2 × 10^16cm-³ stosowane są głównie na elementy optyczne pracujące w bliskiej podczerwieni w zakresie widmowym (1-8) μm oraz w dalekiej podczerwieni (100 - 200) μm. Elementy te mogą posiadać duże rozmiary Φ (2”-3”). Jednym z podstawowych wymagań dla monokryształów stosowanych na elementy optyczne jest duża jednorodność własności, których miernikiem może być transmitancja. Na wartość i jednorodność transmitancji mogą mieć wpływ takie czynniki jak poziom i rozkład koncentracji nośników prądu, gęstości dyslokacji i koncentracji centrów defektowych. W ramach obecnej pracy badano wpływ tych czynników. Stwierdzono, że istnieje jednoznaczna zależność transmitancji tylko od koncentracji nośników prądu. Empirycznie wyznaczono tę zależność dla zakresu koncentracji nośników n = 10^15 - 5× 10^16cm-³ przy długości fali λ = 3100 nm.
Undoped GaP crystals with low carrier concentration n ≤ 2 × 10^16cm-³ are mainly used on optic elements working in near infrared (1-8) um and far infrared (100 - 200) um wave range. These elements can be large Φ = (2”-3”). High homogeneity of the properties responsible for transmittance value is one of the fundamental requirement for GaP crystals used on optical elements. Value and distribution of carrier concentration, etch pits density and concentration defect centers can influence on value and homogeneity of transmittance. In the present work these factors were investigated. Distinct transmittance dependence on carrier concentration was only confirmed. This dependence was empirically determined in concentration range n = 10^15 - 5x10^16cm-³ at wavelength λ = 3100nm.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 22-27
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cerebral administration of alpha-synuclein monomers modulates inflammatory reaction in nigro-striatal system
Autorzy:
Szneider-Pacholek, A.
Joniec-Maciejak, I.
Wawer, A.
Ciesielska, A.
Mirowska-Guzel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/3355.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Źródło:
Journal of Pre-Clinical and Clinical Research; 2019, 13, 1
1898-2395
Pojawia się w:
Journal of Pre-Clinical and Clinical Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dihydroergotamine affects spatial behavior and neurotransmission in the central nervous system of Wistar rats
Autorzy:
Piechal, A.
Blecharz-Klin, K.
Joniec-Maciejak, I.
Pyrzanowska, J.
Krzysztoforska, K.
Mirowska-Guzel, D.
Widy-Tyszkiewicz, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/28762745.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 3; 437-445
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dobór warunków wzrostu monokryształów antymonku galu o średnicy 3 zmodyfikowaną metodą Czochralskiego
Evaluation of growth conditions for 3 gallium antimonide single crystals by the modified Czochralski method
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192136.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Czochralskiego
domieszkowanie
segregacja
defekty
in situ synthesis
Czochralski method
doping
segregation
defects
Opis:
Zbadano możliwość zwiększenia (do 3 cali) średnicy monokryształów antymonku galu (GaSb) w układzie termicznym niskociśnieniowego urządzenia wykorzystywanego do otrzymywania kryształów o średnicy 2 cale. Zmodyfikowano technologiczne warunki procesu krystalizacji umożliwiając otrzymanie kryształów o ciężarze ~ 1,9 kg i stabilnej średnicy. Opracowano warunki otrzymywania monokryształów antymonku galu o średnicy 3 cale zmodyfikowaną metodą Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na przebieg procesu monokrystalizacji oraz własności otrzymywanych kryształów. Przeprowadzono procesy krystalizacji zmodyfikowaną metodą Czochralskiego, jak też proces zintegrowany (synteza in-situ połączona z monokrystalizacją) uzyskując kryształy GaSb domieszkowane tellurem o koncentracji elektronów w zakresie od 2 x 1017cm-3 do 2 x 1018cm-3 . Zbadano koncentrację domieszki (metodą GDMS - Glow Discharge Mass Spectroscopy) rozkłady własności elektrycznych (pomiary hallowskie) i strukturalnych (pomiary EPD - Etch Pit Density) otrzymanych kryształów.
The possibility of growing gallium antimonide (GaSb) single crystals measuring 3 inches in diameter in a thermal system previously used for growing 2 - inch crystals was checked. Technological parameters modified for bigger crystals allowed obtaining GaSb crystals weighting ~ 1,9 kg and having a stable diameter ~ 80 mm. An integrated process of in-situ synthesis, modified Czochralski crystal growth as well as recrystallization process were performed. The influence of technological parameters on crystal growth was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals with the carrier concentration ranging between 2 x 1017cm-3 and 2 x1018cm-3 - were obtained. Electrical parameters were determined by Hall measurements, whereas the dopant concentration was estimated by carrying out the GDMS analysis and the structural quality by measuring the etch pit density (dislocation density).
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 4, 4; 58-73
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Domieszkowanie monokryształów antymonku galu na typ przewodnictwa n oraz na typ p
Doping gallium antimonide single crystals for n-type and p-type conductivity
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192328.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Cz
Te
Si
Zn
koncentracja domieszek
GDMS
Cz method
doping
dopant concentration
Opis:
Monokryształy antymonku galu domieszkowane na typ przewodnictwa n oraz na typ p orientacji < 100 > otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Zbadano wpływ parametrów technologicznych na skuteczność procesu domieszkowania i dobrano parametry w celu otrzymania monokryształów o pożądanym typie przewodnictwa oraz koncentracji nośników. Uzyskano monokryształy GaSb typu n (domieszkowane tellurem) o koncentracji nośników w zakresie od 1 x 10[indeks górny]17 do 1 x 10[indeks górny]18 cm. Otrzymane monokryształy GaSb typu p posiadały koncentrację w zakresie od 4 x 10[indeks górny]17 do 2 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane krzemem) oraz koncentrację od 2 x 10[indeks górny]18 do 1 x 10[indeks górny]19 cm³ (domieszkowane cynkiem). Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Zn, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals with n--type or p-type conductivity were grown by modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. The influence of technological parameters on doping process and its effectivity was investigated. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with carrier concentration from 1 x 10[sup]17 to 1 x 10[sup]18 cm-³. GaSb p-type single crystals were obtained with carrier concentration from 4 x 10[sup]17 to 2 x 10[19] cm-³ (Si-doped) and from 2 x 10[sup]18 to 1 x 10[sup]19 cm-³ (Zn-doped). Dopant concentration was estimated by GDMS analysis.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ethanol as a stimulus to risky and auto-aggressive behaviour
Autorzy:
Lasota, D.
Pawłowski, W.
Mirowska-Guzel, D.
Goniewicz, K.
Goniewicz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/28762810.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 2; 220-223
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Hand hygiene as the basic method of reducing Clostridium difficile infections (CDI) in a hospital environment
Autorzy:
Kiersnowska, Z.M.
Lemiech-Mirowska, E.
Michałkiewicz, M.
Marczak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/28762718.pdf
Data publikacji:
2021
Wydawca:
Instytut Medycyny Wsi
Źródło:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine; 2021, 28, 4; 535-540
1232-1966
Pojawia się w:
Annals of Agricultural and Environmental Medicine
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of Different Conditions of Technological Process on Thermoelectric Properties of Fine-Grained PbTe
Autorzy:
Królicka, A.
Materna, A.
Piersa, M.
Mirowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1185703.pdf
Data publikacji:
2016-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.10.Fq
73.20.Hb
81.20.Wk
81.20.Ev
Opis:
The aim of this work was to obtain PbTe material in the desired way in order to control the combined impact of lattice disorder, nanoscale precipitates and reduced grain sizes on the thermoelectric properties of this material. To achieve this, PbTe ingot doped with Ag was obtained by the Bridgman method, followed by ball-milling, cold pressing and sintering. In order to estimate crystallites diameters grain size measurements were carried out using the optical microscopy. Studies of electrical and thermoelectric properties of fine-grained material were performed. In order to analyze the morphology and the composition scanning electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy were performed. Energy-dispersive X-ray spectroscopy analysis also revealed presence of Ag-Te precipitates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1255-1258
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Growth Conditions and Doping on Physical Properties of Gallium Antimonide Single Crystals
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1409657.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Ea
81.10.Fq
81.10.-h
81.10.St
72.80.Ey
71.55.Eq
61.72.uj
Opis:
Gallium antimonide (GaSb) single crystals were grown by modified Czochralski method integrated with in situ synthesis in a flowing atmosphere of pure hydrogen. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on GaSb crystals quality was investigated. High purity undoped GaSb single crystals were grown with residual acceptors concentration < 1.4 × $10^{17} cm^{-3}$ and high mobility ≈ 690 $cm^2$/Vs (at 300 K). P-type GaSb crystals were doped with silicon (carrier concentration up to 2 × $10^{19} cm^{-3}$) and with zinc (up to 1 × $10^{19} cm^{-3}$). Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with concentration up to 2 × $10^{18} cm^{-3}$. Electrical parameters were investigated by the Hall measurements (300 K and 77 K). Temperature dependent Hall measurements (10 ÷ 300 K) were used to compare the quality of undoped GaSb (obtained from Sb of different purity). Dopant concentration was estimated by glow discharge mass spectroscopy analysis. Axial and radial distribution of carrier concentration were investigated especially for Te-doped crystals (low segregation coefficient of Te in GaSb). Great contribution of compensation and self-compensation mechanisms is shown especially for the beginning part of grown crystals and for low Te-doping level. Radial distribution of physical properties for crystals grown in 〈100〉 direction is not axisymmetrical especially for doped GaSb crystals.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1111-1114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Jednorodność własności elektrycznych monokryształów antymonku galu domieszkowanych tellurem
Homogeneity of electrical parameters of tellurium-doped gallium antimonide single crystals
Autorzy:
Mirowska, A.
Orłowski, W.
Piersa, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192114.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
GaSb
metoda Czochralskiego
segregacja
własności elektryczne
Czochralski method
segregation
electrical parameters
homogeneity
Opis:
Monokryształy antymonku galu (GaSb) domieszkowane tellurem prezentowane w tej pracy otrzymane zostały zmodyfikowaną metodą Czochralskiego zintegrowaną z syntezą in-situ. Uzyskano płytki monokrystaliczne GaSb:Te o przewodnictwie zarówno typu n jak i typu p. Płytki GaSb:Te typu n charakteryzowały się standardową koncentracją nośników ładunku (od 2 x 1017 do 2 x 1018 cm-3) oraz poniżej 2 x 1017 cm-3. Dla płytek monokrystalicznych GaSb:Te typu p koncentracja dziur wynosiła od 2 x 1016do 4 x 1016 cm-3. Zbadano zarówno osiowe, jak i radialne rozkłady własności elektrycznych otrzymanych kryształów GaSb:Te. W oparciu o pomiary hallowskie w funkcji temperatury porównano własności niedomieszkowanych monokryształów otrzymanych z antymonu pochodzącego z różnych źródeł oraz kryształów domieszkowanych tellurem o typie przewodnictwa p oraz typie n.
Gallium antimonide (GaSb) single crystals undoped and doped with tellurium with n-type or p-type conductivity were grown by a modified Czochralski method integrated with in-situ synthesis. Tellurium doped n-type GaSb single crystals were obtained with standard carrier concentration from 2 x 1017 to 2 x 1018 cm-3 as well as below 2 x 1017 cm-3 for low Te-doped single crystals. Hole concentration in the cas of tellurium doped p-type GaSb wafers varied between 4 x 1016 and 2 x 1016 cm-3. Axial and radial distribution of electrical parameters were investigated for the obtained Te-doped GaSb single crystals. A great contribution of compensation and self-compensation mechanisms was confirmed especially for low Te-doped GaSb single crystals. Temperature dependent Hall measurements were used to compare undoped GaSb crystals obtained from Sb of different purity tellurium doped GaSb with n-type or p-type conductivity.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 3-21
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy GaAs, InP i GaP dla elementów optyki w podczerwieni
GaAs, InP i GaP single crystals for optical applications in the infrared range
Autorzy:
Strzelecka, S.
Hruban, A.
Wegner, R.
Piersa, N.
Surma, B.
Orłowski, W.
Mirowska, A.
Materna, A.
Gładki, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192006.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
optyka w podczerwieni
monokryształ
transmitancja monokryształów
zastosowanie materiałów półprzewodnikowych
Opis:
Przedstawiono kryteria oceny przydatności monokryształów GaAs, InP i GaP do wytwarzania elementów optyki podczerwieni (okienka, soczewki). Zbadano wpływ parametrów fizycznych i rodzaju domieszki na wartość transmitancji monokryształów GaAs, InP, GaP w obszarze podczerwieni. Określono zakres koncentracji nośników dla wymienionych materiałów, w którym zmiany transmitancji związane z absorpcją na swobodnych nośnikach są w granicach błędu. Oceniono przydatność wytwarzanych w ITME monokryształów GaAs, InP, GaP dla potrzeb optyki podczerwieni.
In this work the influence of physical parameters and dopants concentration on infrared transmission level in GaAs, InP, GaP crystals was investigated. The carrier concentration range in which transmitance value is constant was evaluated. For the higher concentration, transmitance decreases due to absorption on free carriers. An assessment of GaAs, InP, GaP crystals for optical applications was done.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2006, T. 34, nr 1-2, 1-2; 78-103
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monokryształy SI GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
[310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Autorzy:
Hruban, A.
Orłowski, W.
Strzelecka, S.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Mirowska, A.
Rojek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192032.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
arsenek galu
SI GaAs
metoda Czochralskiego
LEC
orientacja
gallium arsenide
Czochralski method
orientation
Opis:
Celem pracy było dowiedzenie warunków otrzymywania półizolacyjnych monokryształów arsenku galu (SI-GaAs) o orientacji [310] i średnicy 2” i 3”. Synteza i monokrystalizacja przebiegała pod wysokim ciśnieniem metodą LEC (Liquid Encapsulated Czochralski). Dobrano warunki termiczne i technologiczne pozwalające otrzymywać monokryształy o średnicy 2” i 3” i ciężarze odpowiednio 2000 g i 3000 g. Monokryształy posiadały wysokie parametry elektryczne (ρ, μ) - typowe dla monokryształów półizolacyjnych o wysokim stopniu czystości. Gęstość dyslokacji kryształów [310] była o (0,5 - 1,5) rzędu niższa w porównaniu z kryształami o orientacji [100]. Warstwy epitaksjalne osadzone na podłożach o orientacji [310] wykazały lepszą morfologię powierzchni w porównaniu z osadzonymi na podłożu [100].
The subject matter of this research work included the synthesis and growth conditions of [310]-oriented SI GaAs (semi-insulating gallium arsenide) crystals 2” or 3” in diameter. High pressure processes were applied for the synthesis and growth of LEC crystals. Thermal conditions and process parameters were determined to obtain single crystals 2” and 3” in dia, 2000 g and 3000 g in weight, respectively. They had high electrical parameters (ρ, μ), characteristic of semi-insulating high purity GaAs. Dislocation density (EPD) of [310]-oriented crystals was (0.5 - 1.5) orders of magnitude lower than in the case of the [100]-orientation. Epitaxial layers grown on [310]-oriented substrates exhibited better surface morphology than those deposited on [100]-oriented substrates.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 18-25
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Negotiating Reality: Sam Shepard’s States of Shock, or “A Vaudeville Nightmare”
Autorzy:
Mirowska, Paulina
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/641691.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Uniwersytet Łódzki. Wydawnictwo Uniwersytetu Łódzkiego
Tematy:
Sam Shepard
States of Shock
Persian Gulf War
Vietnam War
Georges Bataille
Opis:
In the course of a career that spans half a century, from the Vietnam era to the America of Barack Obama, Sam Shepard has often been labelled as a “quintessentially American” playwright. According to Leslie Wade, “[d]rawing from the disparate image banks of rock and roll, detective fiction, B-movies, and Wild West adventure shows,” Shepard’s texts “function as a storehouse of images, icons, and idioms that denote American culture and an American sensibility” (Sam Shepard 2). The article addresses Shepard’s work in the 1990s, when - as suggested by Stephen J. Bottoms - the writer’s prime concern was with depicting “a Faustian nation mired in depravity and corruption” (245). The discussion centres primarily upon a brief anti-war play first presented by the American Place Theatre in New York City on 30 April 1991, States of Shock, whose very title appears to sum up much of the dramatist’s writing to date, aptly describing the disturbing atmospheres generated by his works and the sense of disorientation frequently experienced by both Shepard’s characters and his audiences. The essay seeks to provide an insight into this unsettling one-act play premiered in the wake of the US engagement in the First Gulf War and deploying extravagant, grotesque theatricality to convey a sense of horror and revulsion at American military arrogance and moral myopia. It investigates how Shepard’s haunting text - subtitled “a vaudeville nightmare” and focusing on a confrontation between a peculiar male duo: an ethically crippled, jingoistic Colonel and a wheelchair-using war veteran named Stubbs - revisits familiar Shepard territory, as well as branching out in new directions. It demonstrates how the playwright interrogates American culture and American identity, especially American masculinity, both reviewing the country’s unsavory past and commenting on its complicit present. Special emphasis in the discussion is placed on Shepard’s preoccupation with the aesthetics of performance and the visual elements of his theatre. The essay addresses the artist’s experimental approach, reflecting upon his creative deployment of dramatic conventions and deliberate deconstruction of American realism.
Źródło:
Text Matters: A Journal of Literature, Theory and Culture; 2017, 7; 368-385
2083-2931
2084-574X
Pojawia się w:
Text Matters: A Journal of Literature, Theory and Culture
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 24

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies