Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kolek, A." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-10 z 23
Tytuł:
Four-point probe resistivity noise measurements of GaSb layers
Autorzy:
Ciura, L.
Kolek, A.
Smoczyński, D.
Jasik, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201503.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
low frequency noise
GaSb noise
noise measurements
resistance noise calculation
Opis:
This paper concerns measurements and calculations of low frequency noise for semiconductor layers with four-probe electrodes. The measurements setup for the voltage noise cross-correlation method is described. The gain calculations for local resistance noise are performed to evaluate the contribution to total noise from different areas of the layer. It was shown, through numerical calculations and noise measurements, that in four-point probe specimens, with separated current and voltage terminals, the non-resistance noise of the contact and the resistance noise of the layer can be identified. The four-point probe method is used to find the low frequency resistance noise of the GaSb layer with a different doping type. For n-type and p-type GaSb layers with low carrier concentrations, the measured noise is dominated by the non-resistance noise contributions from contacts. Low frequency resistance noise was identified in high-doped GaSb layers (both types). At room temperature, such resistance noise in an n-type GaSb layer is significantly larger than for p-type GaSb with comparable doping concentration.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 1; 135-140
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise Measurements Of Resistors With The Use Of Dual-Phase Virtual Lock-In Technique
Autorzy:
Stadler, A. W.
Kolek, A.
Zawiślak, Z.
Dziedzic, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221468.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
1/f noise
polymer thick-film resistor
low-frequency noise measurements
virtual lock-in
Opis:
Measurement of low-frequency noise properties of modern electronic components is a very demanding challenge due to the low magnitude of a noise signal and the limit of a dissipated power. In such a case, an ac technique with a lock-in amplifier or the use of a low-noise transformer as the first stage in the signal path are common approaches. A software dual-phase virtual lock-in (VLI) technique has been developed and tested in low-frequency noise studies of electronic components. VLI means that phase-sensitive detection is processed by a software layer rather than by an expensive hardware lock-in amplifier. The VLI method has been tested in exploration of noise in polymer thick-film resistors. Analysis of the obtained noise spectra of voltage fluctuations confirmed that the 1/f noise caused by resistance fluctuations is the dominant one. The calculated value of the parameter describing the noise intensity of a resistive material, C= 1·10−21m3, is consistent with that obtained with the use of a dc method. On the other hand, it has been observed that the spectra of (excitation independent) resistance noise contain a 1/f component whose intensity depends on the excitation frequency. The phenomenon has been explained by means of noise suppression by impedances of the measurement circuit, giving an excellent agreement with the experimental data.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 4; 503-512
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Measurements of low frequency noise of infrared photo-detectors with transimpedance detection system
Autorzy:
Ciura, Ł.
Kolek, A.
Gawron, W.
Kowalewski, A.
Stanaszek, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221094.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
1/f noise
infrared detectors
nBn structure
HgCdTe heterostructures
noise measurements
transimpedance detection system
type II InAs/GaSb superlattice
Opis:
The paper presents the method and results of low-frequency noise measurements of modern mid-wavelength infrared photodetectors. A type-II InAs/GaSb superlattice based detector with nBn barrier architecture is compared with a high operating temperature (HOT) heterojunction HgCdTe detector. All experiments were made in the range 1 Hz - 10 kHz at various temperatures by using a transimpedance detection system, which is examined in detail. The power spectral density of the nBn’s dark current noise includes Lorentzians with different time constants while the HgCdTe photodiode has more uniform 1/f - shaped spectra. For small bias, the low-frequency noise power spectra of both devices were found to scale linearly with bias voltage squared and were connected with the fluctuations of the leakage resistance. Leakage resistance noise defines the lower noise limit of a photodetector. Other dark current components give raise to the increase of low-frequency noise above this limit. For the same voltage biasing devices, the absolute noise power densities at 1 Hz in nBn are 1 to 2 orders of magnitude lower than in a MCT HgCdTe detector. In spite of this, low-frequency performance of the HgCdTe detector at ~ 230K is still better than that of InAs/GaSb superlattice nBn detector.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2014, 21, 3; 461-472
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise Properties of Graphene-Polymer Thick-Film Resistors
Autorzy:
Mleczko, K.
Ptak, P.
Zawiślak, Z.
Słoma, M.
Jakubowska, M.
Kolek, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220754.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
graphene
polymer thick-film resistor
low-frequency noise
noise measurements
Opis:
Graphene is a very promising material for potential applications in many fields. Since manufacturing technologies of graphene are still at the developing stage, low-frequency noise measurements as a tool for evaluating their quality is proposed. In this work, noise properties of polymer thick-film resistors with graphene nano-platelets as a functional phase are reported. The measurements were carried out in room temperature. 1/f noise caused by resistance fluctuations has been found to be the main component in the specimens. The parameter values describing noise intensity of the polymer thick-film specimens have been calculated and compared with the values obtained for other thick-film resistors and layers used in microelectronics. The studied polymer thick-film specimens exhibit rather poor noise properties, especially for the layers with a low content of the functional phase.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 589-594
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Noise Properties Of Thick-Film Conducting Lines For Integrated Inductors
Autorzy:
Stadler, A. W.
Kolek, A.
Mleczko, K.
Zawiślak, Z.
Dziedzic, A.
Nowak, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221399.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
low-frequency noise
thick-film conducting layer
thick-film inductor
Opis:
Studies of noise properties of thick-film conducting lines from Au or PdAg conductive pastes on LTCC or alumina substrates are reported. Experiments have been carried out at the room temperature on samples prepared in the form of meanders by traditional screen-printing or laser-shaping technique. Due to a low resistance of the devices under test (DUTs), low-frequency noise spectra have been measured for the dc-biased samples arranged in a bridge configuration, transformer-coupled to a low-noise amplifier. The detailed analysis of noise sources in the signal path and its transfer function, including the transformer, has been carried out, and a procedure for measurement setup self-calibration has been described. The 1/f noise component originating from resistance fluctuations has been found to be dominant in all DUTs. The analysis of experimental data leads to the conclusion that noise is produced in the bends of meanders rather than in their straight segments. It occurs that noise of Au-based laser-shaped lines is significantly smaller than screen-printed ones. PdAg lines have been found more resistive but simultaneously less noisy than Au-based lines.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2015, 22, 2; 229-240
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Unia Beneluksu – nowa odsłona starej współpracy
The Benelux Union – a new version of the old cooperation
Autorzy:
KOŁEK, PAWEŁ
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/625354.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Uniwersytet im. Adama Mickiewicza w Poznaniu
Opis:
The Benelux Union – a new version of the old cooperation
Unia Beneluksu – nowa odsłona starej współpracy
Źródło:
Rocznik Integracji Europejskiej; 2011, 5; 439-452
1899-6256
Pojawia się w:
Rocznik Integracji Europejskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dynamiczna metoda pomiaru parametrów cieplnych materiałów
A dynamic method for measuring thermal parameters of materials
Autorzy:
Kolek, Z.
Marcinkowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156360.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
przenikanie ciepła
stan uporzadkowany
opór cieplny
heat conduction
ordered state
thermal resistance
Opis:
Przedstawiono układ do pomiaru współczynnika przenikania ciepła materiałów o różnych właściwościach ciepłochronnych. Metoda pomiarowa jest oparta na zjawisku wymiany ciepła w stanie nieustalonym uporządkowanym. Do analizy wyników wykorzystano model matematyczny, który przedstawia eksponencjalną zależność gradientu temperatury na grubości próbki od czasu. Przeprowadzona analiza błędów i niepewności miała na celu ustalenie możliwości zwiększenia dokładności pomiarów w konkretnych warunkach badań.
A heat transmission coefficient measuring system for materials of various heat-insulating properties is presented. The measuring method is based on the steady ordered state. A mathematical model presenting an exponential relationship between the temperature gradient through the specimen thickness and time was used. An analysis of errors and uncertainties were aimed at possibility to improve measuring accuracy under specified test conditions.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 580-582
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Studies of Phase Diagram and Glass Transitions of a Liquid Crystal with Ferro- and Antiferroelectric Phases
Autorzy:
Kolek, Ł.
Massalska-Arodź, M.
Majda, D.
Suchodolska, B.
Zalewski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399005.pdf
Data publikacji:
2013-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
64.70.kj
64.70.mj
64.70.pp
Opis:
Based on the results of the differential scanning calorimetry, of transmitted light intensity measurements and of texture observations the phase diagram of 4-(6-heptafluorobutanoiloxyhexyloxy)biphenyl-4'-carboxylate(S)-4-(methyloheptyloxy-1-carbonyl)-phenyl (4H6) was obtained. The following phases were identified on cooling: isotropic, smectic A, smectic C*, smectic $C_{A}^\ast $ phases and a highly ordered phase called SmX and its glass. During heating transformation from glass of SmX to SmX phase and then transition to a metastable Cr2 phase, evolving to the more stable Cr1 phase, were observed. On further heating $ SmC_{A}^\ast $, SmC* and Sm phases were identified. When Cr2 was cooled, a glass transition was also observed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 6; 909-912
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
FPGA as a part of MS WINDOWS control environment
FPGA jako część środowiska sterowania MS Windows
Autorzy:
Kołek, K.
Turnau, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/305425.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
rozszerzenie MS Windows
miękkie systemy operacyjne czasu rzeczywistego
sterowniki oparte na technologii FPGA
MS Windows extensions
soft real time operating system
FPGA-based controller
Opis:
The attention is focused on the Windows operating system (OS) used as a control and measurement environment. WlNDOWS OS due to extensions becomes a real-time OS (RTOS). Benefits and drawbacks of typical software extensions are compared. As far as hardware solutions are concerned the field programmable gate arrays FPGA technology is proposed to ensure fast time-critical operations. FPGA-based parallel execution and hardware implementation of the data processing algorithms significantly outperform the classical microprocessor operating modes. Suitability of the RTOS for a particular application and FPGA hardware maintenance is studied.
Uwagę skupiono na WlNDOWS - systemie operacyjnym (OS) użytym jako środowisko pomiarów i sterowania. WlNDOWS OS, dzięki rozszerzeniom, staje się systemem operacyjnym czasu rzeczywistego (RTOS). Porównano wady i zalety typowych programowych rozszerzeń. W przypadku sprzętowych rozwiązań, proponuje się użycie technologii FPGA, by wykonać szybkie, krytyczne czasowo operacje. Równolegle wykonanie algorytmu oparte na technologii FPGA i sprzętowa implementacja algorytmów przetwarzania danych w sposób znaczący przewyższają klasyczne mikroprocesorowe tryby pracy. Badane są: dostosowanie oraz użyteczność RTOS dla wybranych aplikacji i rozwiązania sprzętowe wykorzystujące technologię FPGA.
Źródło:
Computer Science; 2007, 8, Spec. Ed; 61-68
1508-2806
2300-7036
Pojawia się w:
Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-10 z 23

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies