Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "HOT detectors" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-9 z 9
    Tytuł:
    Van der Waals materials for HOT infrared detectors : a review
    Autorzy:
    Rogalski, Antoni
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2063905.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    2D material photodetectors
    transition metal dichalcogenides photodetectors
    HgCdTe photodiodes
    high operating temperature infrared detectors
    Opis:
    In the last decade several papers have announced usefulness of two-dimensional materials for high operating temperature photodetectors covering long wavelength infrared spectral region. Transition metal dichalcogenide photodetectors, such as PdSe₂/MoS₂ and WS₂/HfS₂ heterojunctions, have been shown to achieve record detectivities at room temperature (higher than HgCdTe photodiodes). Under these circumstances, it is reasonable to consider the advantages and disadvantages of two-dimensional materials for infrared detection. This review attempts to answer the question thus posed.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2022, 30, 1; art. no. e140551
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The determination of the carriers recombination parameters based on the HOT HgCdTe current-voltage characteristics
    Autorzy:
    Manyk, Tetiana
    Rutkowski, Jarosław
    Madejczyk, Paweł
    Gawron, Waldemar
    Martyniuk, Piotr
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2074201.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    HgCdTe
    MWIR detectors
    dark current
    I-V characteristics
    recombination
    Opis:
    A theoretical analysis of the mid-wavelength infrared range detectors based on the HgCdTe materials for high operating temperatures is presented. Numerical calculations were compared with the experimental data for HgCdTe heterostructures grown by the MOCVD on the GaAs substrates. Theoretical modelling was performed by the commercial platform SimuAPSYS (Crosslight). SimuAPSYS fully supports numerical simulations and helps understand the mechanisms occurring in the detector structures. Theoretical estimates were compared with the dark current density experimental data at the selected characteristic temperatures: 230 K and 300 K. The proper agreement between theoretical and experimental data was reached by changing Auger-1 and Auger-7 recombination rates and Shockley-Read-Hall carrier lifetime. The level of the match was confirmed by a theoretical evaluation of the current responsivity and zero-bias dynamic resistance area product (R0A) of the tested detectors.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2022, 30, 2; art. no. e141596
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Studies of dark current reduction in InAsSb mid-wave infrared HOT detectors through two step passivation technique
    Autorzy:
    Michalczewski, K.
    Ivaldi, F.
    Kubiszyn, Ł.
    Benyahia, D.
    Boguski, J.
    Kębłowski, A.
    Martyniuk, P.
    Piotrowski, J.
    Rogalski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1055156.pdf
    Data publikacji:
    2017-08
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    73.25.+i
    82.45.Cc
    Opis:
    We report on the investigation of the surface leakage current for InAs_{1-x}Sb_x (x=0.09) high operation temperature photodiode grown on GaAs substrate in accelerated short-term stability test. The electrochemical passivation technique was proposed to modify the mesa sidewalls properties and obtain anodic sulphur coating covered by SU-8 negative photoresist. The electrical behavior of sulphur anodic film, SU-8 photoresist, and unpassivated devices was compared for devices in variable area diode array test. The surface resistivity for anodic sulphur film, SU-8 and unpassivated devices are equal to 1080, 226, 10200 kΩ cm, respectively, at 150 K and 1340, 429, 2870 kΩ cm, respectively, at 150 K after an exposure of 20 h to atmosphere at 373 K. The Auger recombination process was evaluated as the main mechanism of diffusion current in HOT devices.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 325-328
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Modeling of HgCdTeLWIR detector for high operation temperature conditions
    Autorzy:
    Martyniuk, P.
    Gawron, W.
    Madejczyk, P.
    Rogalski, A.
    Piotrowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/220771.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    HgCdTe
    IR detector
    Auger suppression
    HOT detectors
    Opis:
    The paper reports on the photoelectrical performance of the long wavelength infrared (LWIR) HgCdTe high operating temperature (HOT) detector. The detector structure was simulated with commercially available software APSYS by Crosslight Inc. taking into account SRH, Auger and tunnelling currents. A detailed analysis of the detector performance such as dark current, detectivity, time response as a function of device architecture and applied bias is performed, pointing out optimal working conditions.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2013, 20, 2; 159-170
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fast Response Hot (111) HGCDTE MWIR Detectors
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Martyniuk, P.
    Kopytko, M.
    Kowalewski, A.
    Stępień, D.
    Kębłowski, A.
    Piotrowski, A.
    Piotrowski, J.
    Gawron, W.
    Rogalski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221254.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    HgCdTe
    MWIR
    photodetector
    response time
    Opis:
    In this work we report simulation and experimental results for an MWIR HgCdTe photodetector designed by computer simulation and fabricated in a joint laboratory run by VIGO Sytems S.A. and Military University of Technology. The device is based on a modified N+pP+ heterostructure grown on 2”., epiready, semi-insulating (100) GaAs substrates in a horizontal MOCVD AIX 200 reactor. The devices were examined by measurements of spectral and time responses as a function of a bias voltage and operating temperatures. The time response was measured with an Optical Parametric Oscillator (OPO) as the source of ~25 ps pulses of infrared radiation, tuneable in a 1.55–16 μm spectral range. Two-stage Peltier cooled devices (230 K) with a 4.1 μm cut-off wavelength were characterized by 1.6 × 1012 cm Hz1/2/W peak detectivity and < 1 ns time constant for V > 500 mV.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 3; 509-514
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Detektory gazowe – drugie życie w badaniach termojądrowych
    Gas detectors – second life in thermonuclear research
    Autorzy:
    Chernyshova, Maryna
    Kowalska-Strzęciwilk, Ewa
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/24201012.pdf
    Data publikacji:
    2023
    Wydawca:
    Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
    Tematy:
    plazma gorąca
    diagnostyka plazmy
    detektor rentgenowski
    detektor gazowy
    powielacz elektronowy
    powielacz gazowy
    hot plasma
    plasma diagnostics
    X-ray detector
    gas detector
    electron multiplier
    gas multiplier
    Opis:
    Poszukiwanie najnowszych technologii w dziedzinie diagnostyki plazmy jest napędzane rosnącymi wymogami dotyczącymi stabilności materiałów, pod wpływem rożnego rodzaju promieniowania, stosowanych w budowie i eksploatacji urządzeń termojądrowych. W miarę postępu tych urządzeń, badanie procesów zachodzących podczas oddziaływania promieniowania z materią staje się coraz bardziej istotne. W tym kontekście poszukiwanie innowacyjnych technologii, zwłaszcza w detekcji obrazowej promieni X, staje się niezbędne dla nowej generacji reaktorów, takich jak ITER, oraz przyszłej elektrowni termojądrowej DEMO. Współcześnie powszechnie używane detektory promieniowania rentgenowskiego stosowane w takich warunkach stoją przed znaczącym wyzwaniem – szybką degradacją pod wpływem intensywnych strumieni neutronów charakterystycznych dla urządzeń termojądrowych. Kwestia ta wytycza potrzebę opracowania nowej technologii detekcji promieniowania rentgenowskiego dostosowanej do unikalnych wymagań obecnych oraz przyszłych urządzeń termojądrowych, z naciskiem na ich odporność i trwałość. Mimo iż tradycyjnie detektory półprzewodnikowe są wciąż wykorzystywane do rejestracji miękkich promieni rentgenowskich (z ang. SXR – Soft X-Ray), to istnieje rosnące zainteresowanie badaniem detektorów gazowych w układach plazmowych, jako bardziej obiecujących kandydatów ze względu na ich inherentną odporność na promieniowanie neutronowe. Wśród nowej klasy detektorów gazowych szczególnym wyróżnieniem cieszy się detektor typu GEM (z ang. GEM – Gas Electron Multiplier). Detektor tej klasy wykazuje wysoki współczynnik wzmocnienia dla pierwotnego ładunku pochodzącego z absorpcji fotonów, co między innymi czyni go właściwym wyborem do zastosowań w przyszłych reaktorach termojądrowych.
    The search for the latest technologies in the field of plasma diagnostics is driven by increasing requirements for material stability under the influence of various types of radiation used in the construction and operation of thermonuclear devices. As these devices advance, studying the processes that occur during radiation-matter interactions becomes increasingly important. In this context, the search for innovative technologies, especially in X-ray imaging detection, becomes essential for future reactors such as ITER and the future thermonuclear power plant DEMO. Currently widely used X-ray radiation detectors used in such conditions face a significant challenge - rapid degradation under the influence of intense neutron flux characteristic of thermonuclear devices. This problem necessitates the development of new X-ray detection technology tailored to the unique requirements of current and future thermonuclear devices, with a focus on their resistance and durability. Although semiconductor detectors are traditionally used for soft X-ray (SXR) detection, there is growing interest in studying gas detectors for plasma devices as more promising candidates due to their inherent resistance to neutron radiation. Among the new class of gas detectors, the Gas Electron Multiplier (GEM) type detector is particularly notable. This type of detector exhibits a high gain coefficient for the primary charge resulting from photon absorption, making it, among other things, a noteworthy choice for applications in future thermonuclear reactors.
    Źródło:
    Postępy Techniki Jądrowej; 2023, 4; 18--33
    0551-6846
    Pojawia się w:
    Postępy Techniki Jądrowej
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Corrigendum to “Van der Waals materials for HOT infrared detectors : a review” [Opto-Electronics Review 30 (2022) e140551]
    Autorzy:
    Rogalski, Antoni
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2063909.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    2D material photodetectors
    transition metal dichalcogenides photodetectors
    HgCdTe photodiodes
    high operating temperature infrared detectors
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2022, 30, 2; art. no. e141441
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of performance limits of the HOT HgCdTe photodiodes with colloidal quantum dot infrared detectors
    Autorzy:
    Rogalski, A.
    Kopytko, M.
    Martyniuk, P.
    Hu, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/201444.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    colloidal quantum dot infrared photodetectors
    HOT infrared detectors
    HgCdTe photodiodes
    p-i-n depleted photodiodes
    BLIP performance
    Opis:
    In the past decade, there has been significant progress in development of the colloidal quantum dot (CQD) photodetectors. The QCD’s potential advantages include: cheap and easy fabrications, size-tuneable across wide infrared spectral region, and direct coating on silicon electronics for imaging, which potentially reduces array cost and offers new modifications like flexible infrared detectors. The performance of CQD high operating temperature (HOT) photodetectors is lower in comparison with detectors traditionally available on the global market (InGaAs, HgCdTe and type-II superlattices). In several papers their performance is compared with the semiempirical rule, “Rule 07” (specified in 2007) for P-on-n HgCdTe photodiodes. However, at present stage of technology, the fully-depleted background limited HgCdTe photodiodes can achieve the level of room-temperature dark current considerably lower than predicted by Rule 07. In this paper, the performance of HOT CQD photodetectors is compared with that predicted for depleted P-i-N HgCdTe photodiodes. Theoretical estimations are collated with experimental data for both HgCdTe photodiodes and CQD detectors. The presented estimates provide further encouragement for achieving low-cost and high performance MWIR and LWIR HgCdTe focal plane arrays operating in HOT conditions.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 4; 845-855
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of performance limits of HOT HgCdTe photodiodes with 2D material infrared photodetectors
    Autorzy:
    Rogalski, Antoni
    Kopytko, Małgorzata
    Martyniuk, Piotr
    Hu, Weida
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1818250.pdf
    Data publikacji:
    2020
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
    Tematy:
    2D material photodetectors
    HOT infrared detectors
    HgCdTe photodiodes
    p-i-n depleted photodiodes
    BLIP performance
    Opis:
    The semiempirical rule, “Rule 07” specified in 2007 for P-on-n HgCdTe photodiodes has become widely popular within infrared community as a reference for other technologies, notably for III-V barrier photodetectors and type-II superlattice photodiodes. However, in the last decade in several papers it has been shown that the measured dark current density of HgCdTe photodiodes is considerably lower than predicted by benchmark Rule 07. Our theoretical estimates carried out in this paper support experimental data. Graphene and other 2D materials, due to their extraordinary and unusual electronic and optical properties, are promising candidates for high-operating temperature infrared photodetectors. In the paper their room-temperature performance is compared with that estimated for depleted P i-N HgCdTe photodiodes. Two important conclusions result from our considerations: the first one, the performance of 2D materials is lower in comparison with traditional detectors existing on global market (InGaAs, HgCdTe and type- II superlattices), and the second one, the presented estimates provide further encouragement for achieving low-cost and high performance HgCdTe focal plane arrays operating in high-operating temperature conditions.
    Źródło:
    Opto-Electronics Review; 2020, 28, 2; 82--92
    1230-3402
    Pojawia się w:
    Opto-Electronics Review
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-9 z 9

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies