Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "HOT detectors" wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-9 z 9
Tytuł:
Detektory gazowe – drugie życie w badaniach termojądrowych
Gas detectors – second life in thermonuclear research
Autorzy:
Chernyshova, Maryna
Kowalska-Strzęciwilk, Ewa
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/24201012.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
plazma gorąca
diagnostyka plazmy
detektor rentgenowski
detektor gazowy
powielacz elektronowy
powielacz gazowy
hot plasma
plasma diagnostics
X-ray detector
gas detector
electron multiplier
gas multiplier
Opis:
Poszukiwanie najnowszych technologii w dziedzinie diagnostyki plazmy jest napędzane rosnącymi wymogami dotyczącymi stabilności materiałów, pod wpływem rożnego rodzaju promieniowania, stosowanych w budowie i eksploatacji urządzeń termojądrowych. W miarę postępu tych urządzeń, badanie procesów zachodzących podczas oddziaływania promieniowania z materią staje się coraz bardziej istotne. W tym kontekście poszukiwanie innowacyjnych technologii, zwłaszcza w detekcji obrazowej promieni X, staje się niezbędne dla nowej generacji reaktorów, takich jak ITER, oraz przyszłej elektrowni termojądrowej DEMO. Współcześnie powszechnie używane detektory promieniowania rentgenowskiego stosowane w takich warunkach stoją przed znaczącym wyzwaniem – szybką degradacją pod wpływem intensywnych strumieni neutronów charakterystycznych dla urządzeń termojądrowych. Kwestia ta wytycza potrzebę opracowania nowej technologii detekcji promieniowania rentgenowskiego dostosowanej do unikalnych wymagań obecnych oraz przyszłych urządzeń termojądrowych, z naciskiem na ich odporność i trwałość. Mimo iż tradycyjnie detektory półprzewodnikowe są wciąż wykorzystywane do rejestracji miękkich promieni rentgenowskich (z ang. SXR – Soft X-Ray), to istnieje rosnące zainteresowanie badaniem detektorów gazowych w układach plazmowych, jako bardziej obiecujących kandydatów ze względu na ich inherentną odporność na promieniowanie neutronowe. Wśród nowej klasy detektorów gazowych szczególnym wyróżnieniem cieszy się detektor typu GEM (z ang. GEM – Gas Electron Multiplier). Detektor tej klasy wykazuje wysoki współczynnik wzmocnienia dla pierwotnego ładunku pochodzącego z absorpcji fotonów, co między innymi czyni go właściwym wyborem do zastosowań w przyszłych reaktorach termojądrowych.
The search for the latest technologies in the field of plasma diagnostics is driven by increasing requirements for material stability under the influence of various types of radiation used in the construction and operation of thermonuclear devices. As these devices advance, studying the processes that occur during radiation-matter interactions becomes increasingly important. In this context, the search for innovative technologies, especially in X-ray imaging detection, becomes essential for future reactors such as ITER and the future thermonuclear power plant DEMO. Currently widely used X-ray radiation detectors used in such conditions face a significant challenge - rapid degradation under the influence of intense neutron flux characteristic of thermonuclear devices. This problem necessitates the development of new X-ray detection technology tailored to the unique requirements of current and future thermonuclear devices, with a focus on their resistance and durability. Although semiconductor detectors are traditionally used for soft X-ray (SXR) detection, there is growing interest in studying gas detectors for plasma devices as more promising candidates due to their inherent resistance to neutron radiation. Among the new class of gas detectors, the Gas Electron Multiplier (GEM) type detector is particularly notable. This type of detector exhibits a high gain coefficient for the primary charge resulting from photon absorption, making it, among other things, a noteworthy choice for applications in future thermonuclear reactors.
Źródło:
Postępy Techniki Jądrowej; 2023, 4; 18--33
0551-6846
Pojawia się w:
Postępy Techniki Jądrowej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fast Response Hot (111) HGCDTE MWIR Detectors
Autorzy:
Grodecki, K.
Martyniuk, P.
Kopytko, M.
Kowalewski, A.
Stępień, D.
Kębłowski, A.
Piotrowski, A.
Piotrowski, J.
Gawron, W.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/221254.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
HgCdTe
MWIR
photodetector
response time
Opis:
In this work we report simulation and experimental results for an MWIR HgCdTe photodetector designed by computer simulation and fabricated in a joint laboratory run by VIGO Sytems S.A. and Military University of Technology. The device is based on a modified N+pP+ heterostructure grown on 2”., epiready, semi-insulating (100) GaAs substrates in a horizontal MOCVD AIX 200 reactor. The devices were examined by measurements of spectral and time responses as a function of a bias voltage and operating temperatures. The time response was measured with an Optical Parametric Oscillator (OPO) as the source of ~25 ps pulses of infrared radiation, tuneable in a 1.55–16 μm spectral range. Two-stage Peltier cooled devices (230 K) with a 4.1 μm cut-off wavelength were characterized by 1.6 × 1012 cm Hz1/2/W peak detectivity and < 1 ns time constant for V > 500 mV.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 3; 509-514
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The determination of the carriers recombination parameters based on the HOT HgCdTe current-voltage characteristics
Autorzy:
Manyk, Tetiana
Rutkowski, Jarosław
Madejczyk, Paweł
Gawron, Waldemar
Martyniuk, Piotr
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2074201.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
HgCdTe
MWIR detectors
dark current
I-V characteristics
recombination
Opis:
A theoretical analysis of the mid-wavelength infrared range detectors based on the HgCdTe materials for high operating temperatures is presented. Numerical calculations were compared with the experimental data for HgCdTe heterostructures grown by the MOCVD on the GaAs substrates. Theoretical modelling was performed by the commercial platform SimuAPSYS (Crosslight). SimuAPSYS fully supports numerical simulations and helps understand the mechanisms occurring in the detector structures. Theoretical estimates were compared with the dark current density experimental data at the selected characteristic temperatures: 230 K and 300 K. The proper agreement between theoretical and experimental data was reached by changing Auger-1 and Auger-7 recombination rates and Shockley-Read-Hall carrier lifetime. The level of the match was confirmed by a theoretical evaluation of the current responsivity and zero-bias dynamic resistance area product (R0A) of the tested detectors.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2022, 30, 2; art. no. e141596
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modeling of HgCdTeLWIR detector for high operation temperature conditions
Autorzy:
Martyniuk, P.
Gawron, W.
Madejczyk, P.
Rogalski, A.
Piotrowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/220771.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
HgCdTe
IR detector
Auger suppression
HOT detectors
Opis:
The paper reports on the photoelectrical performance of the long wavelength infrared (LWIR) HgCdTe high operating temperature (HOT) detector. The detector structure was simulated with commercially available software APSYS by Crosslight Inc. taking into account SRH, Auger and tunnelling currents. A detailed analysis of the detector performance such as dark current, detectivity, time response as a function of device architecture and applied bias is performed, pointing out optimal working conditions.
Źródło:
Metrology and Measurement Systems; 2013, 20, 2; 159-170
0860-8229
Pojawia się w:
Metrology and Measurement Systems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Studies of dark current reduction in InAsSb mid-wave infrared HOT detectors through two step passivation technique
Autorzy:
Michalczewski, K.
Ivaldi, F.
Kubiszyn, Ł.
Benyahia, D.
Boguski, J.
Kębłowski, A.
Martyniuk, P.
Piotrowski, J.
Rogalski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1055156.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
73.25.+i
82.45.Cc
Opis:
We report on the investigation of the surface leakage current for InAs_{1-x}Sb_x (x=0.09) high operation temperature photodiode grown on GaAs substrate in accelerated short-term stability test. The electrochemical passivation technique was proposed to modify the mesa sidewalls properties and obtain anodic sulphur coating covered by SU-8 negative photoresist. The electrical behavior of sulphur anodic film, SU-8 photoresist, and unpassivated devices was compared for devices in variable area diode array test. The surface resistivity for anodic sulphur film, SU-8 and unpassivated devices are equal to 1080, 226, 10200 kΩ cm, respectively, at 150 K and 1340, 429, 2870 kΩ cm, respectively, at 150 K after an exposure of 20 h to atmosphere at 373 K. The Auger recombination process was evaluated as the main mechanism of diffusion current in HOT devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 325-328
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of performance limits of the HOT HgCdTe photodiodes with colloidal quantum dot infrared detectors
Autorzy:
Rogalski, A.
Kopytko, M.
Martyniuk, P.
Hu, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201444.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
colloidal quantum dot infrared photodetectors
HOT infrared detectors
HgCdTe photodiodes
p-i-n depleted photodiodes
BLIP performance
Opis:
In the past decade, there has been significant progress in development of the colloidal quantum dot (CQD) photodetectors. The QCD’s potential advantages include: cheap and easy fabrications, size-tuneable across wide infrared spectral region, and direct coating on silicon electronics for imaging, which potentially reduces array cost and offers new modifications like flexible infrared detectors. The performance of CQD high operating temperature (HOT) photodetectors is lower in comparison with detectors traditionally available on the global market (InGaAs, HgCdTe and type-II superlattices). In several papers their performance is compared with the semiempirical rule, “Rule 07” (specified in 2007) for P-on-n HgCdTe photodiodes. However, at present stage of technology, the fully-depleted background limited HgCdTe photodiodes can achieve the level of room-temperature dark current considerably lower than predicted by Rule 07. In this paper, the performance of HOT CQD photodetectors is compared with that predicted for depleted P-i-N HgCdTe photodiodes. Theoretical estimations are collated with experimental data for both HgCdTe photodiodes and CQD detectors. The presented estimates provide further encouragement for achieving low-cost and high performance MWIR and LWIR HgCdTe focal plane arrays operating in HOT conditions.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2020, 68, 4; 845-855
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Comparison of performance limits of HOT HgCdTe photodiodes with 2D material infrared photodetectors
Autorzy:
Rogalski, Antoni
Kopytko, Małgorzata
Martyniuk, Piotr
Hu, Weida
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1818250.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
2D material photodetectors
HOT infrared detectors
HgCdTe photodiodes
p-i-n depleted photodiodes
BLIP performance
Opis:
The semiempirical rule, “Rule 07” specified in 2007 for P-on-n HgCdTe photodiodes has become widely popular within infrared community as a reference for other technologies, notably for III-V barrier photodetectors and type-II superlattice photodiodes. However, in the last decade in several papers it has been shown that the measured dark current density of HgCdTe photodiodes is considerably lower than predicted by benchmark Rule 07. Our theoretical estimates carried out in this paper support experimental data. Graphene and other 2D materials, due to their extraordinary and unusual electronic and optical properties, are promising candidates for high-operating temperature infrared photodetectors. In the paper their room-temperature performance is compared with that estimated for depleted P i-N HgCdTe photodiodes. Two important conclusions result from our considerations: the first one, the performance of 2D materials is lower in comparison with traditional detectors existing on global market (InGaAs, HgCdTe and type- II superlattices), and the second one, the presented estimates provide further encouragement for achieving low-cost and high performance HgCdTe focal plane arrays operating in high-operating temperature conditions.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2020, 28, 2; 82--92
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Corrigendum to “Van der Waals materials for HOT infrared detectors : a review” [Opto-Electronics Review 30 (2022) e140551]
Autorzy:
Rogalski, Antoni
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2063909.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
2D material photodetectors
transition metal dichalcogenides photodetectors
HgCdTe photodiodes
high operating temperature infrared detectors
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2022, 30, 2; art. no. e141441
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Van der Waals materials for HOT infrared detectors : a review
Autorzy:
Rogalski, Antoni
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2063905.pdf
Data publikacji:
2022
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
2D material photodetectors
transition metal dichalcogenides photodetectors
HgCdTe photodiodes
high operating temperature infrared detectors
Opis:
In the last decade several papers have announced usefulness of two-dimensional materials for high operating temperature photodetectors covering long wavelength infrared spectral region. Transition metal dichalcogenide photodetectors, such as PdSe₂/MoS₂ and WS₂/HfS₂ heterojunctions, have been shown to achieve record detectivities at room temperature (higher than HgCdTe photodiodes). Under these circumstances, it is reasonable to consider the advantages and disadvantages of two-dimensional materials for infrared detection. This review attempts to answer the question thus posed.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2022, 30, 1; art. no. e140551
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-9 z 9

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies