Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Czernecki, R." wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-10 z 10
    Tytuł:
    Ocena potencjału energii słonecznej w Warszawie z wykorzystaniem modelu r.sun
    Estimating solar energy potential in Warsaw with the „r.sun” model
    Autorzy:
    Czernecki, Bartosz
    Jabłońska, Katarzyna
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/578402.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Łódzkie Towarzystwo Naukowe
    Tematy:
    promieniowanie słoneczne
    zacienienie
    fotowoltaika
    energia odnawialna
    r.sun
    GRASS
    modelowanie GIS
    Cities on Power
    solar radiation
    shading
    photovoltaics
    renewable energy
    GIS modeling
    Cities on Power Summary
    Opis:
    W pracy przedstawiono założenia metodyczne szacowania potencjału energii słonecznej w Warszawie. Symulacje GIS wykonano na podstawie uproszczonego, trójwymiarowego modelu zabudowy. Główną część obliczeń przeprowadzono dzięki otwartoźródłowemu modułowi r.sun dedykowanemu dla środowiska GRASS-GIS 6.4. Po pozytywnej weryfikacji symulacji testowych ze zdjęciami lotniczymi przystąpiono do stworzenia procedur automatyzacyjnych, które pozwoliły na skrócenie czasu obliczeń. Symulacje przeprowadzono z rozdzielczością 1 m2 dla obszaru ponad 517 km2, na klastrach obliczeniowych uruchamianych w środowisku GNU/Linux. W celu ograniczenia rozmiaru bazy danych rezultaty symulacji dla każdej godziny w roku ograniczono do powierzchni dachów budynków stosując binarną reklasyfikację danych (tj. 0 – obszar zacieniony, 1 – obszar nasłoneczniony). Syntetyczne warunki atmosferyczne parametrów insolacyjnych dla każdej godziny w roku uwzględniano w obliczeniach wartości promieniowania bezpośredniego, rozproszonego i całkowitego dla obszarów nasłonecznionych i zacienionych. Uzyskane wartości stanowiły następnie informację wejściową dla pozostałych modułów udostępnionego on-line kalkulatora energetycznego oceniającego potencjalną produkcję energii, wpływ inwestycji na środowisko oraz efekty ekonomiczne.
    This research shows the methodological assumptions related to estimating solar energy potential in Warsaw. All calculations were performed with the use of an open-source “r.sun” model available within the GRASS-GIS 6.4. software. Introductory simulations were validated against airborne images confirming the high quality of model calibration against astronomical and simplified 3D model of buildings in Warsaw. Subsequent automation procedures were created for the GNU/Linux supercomputing clusters in order to reduce computation time. To limit the final size of the database, results for the area of 517,000,000 square meters were clipped to cover the surface of rooftops only, using a binary data type (i.e. 0 – shadow, 1 – sunny areas) and synthetic atmospheric conditions (i.e. taking into account annual changes of sun declination, cloudiness, Linke atmospheric turbidity coefficient, etc.). Such a solution enables the following calculations: direct, diffuse and total solar radiation for every square meter of a building’s surface in Warsaw. The obtained GIS layers were then transformed as input information for other modules of a fully interactive IT-toolbox for estimating solar potential, which allows citizens and decision makers to estimate how much energy they can derive in a specific point from solar panels, when they can expect a return on their investment and how it will affect the natural environment.
    Źródło:
    Acta Geographica Lodziensia; 2016, 104; 57-66
    0065-1249
    Pojawia się w:
    Acta Geographica Lodziensia
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    A Model of Radiative Recombination in (In,Al,Ga)N/GaN Structures with Significant Potential Fluctuations
    Autorzy:
    Dróżdż, P.
    Korona, K.
    Sarzyński, M.
    Czernecki, R.
    Skierbiszewski, C.
    Muzioł, G.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1185815.pdf
    Data publikacji:
    2016-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.55.Cr
    73.22.-f
    78.47.jd
    Opis:
    The potential fluctuations in III-nitride quantum wells lead to many effects like emission broadening and S-shape energy vs. temperature dependence. The best description of the energy dependence comes from calculations based on Gaussian density of states. However, in most of the published reports, changes of carrier lifetime with energy and temperature are not taken into account. Since experimental evidence shows that lifetime significantly depends on energy and temperature, here we propose a model that describes two basic parameters of luminescence: lifetime of carries and emission energy as a function of temperature in the case of quantum wells and layers that are characterized by potential fluctuations. Comparison of the measured energy and lifetime dependences on temperature in specially grown InGaN/GaN quantum wells and InAlGaN layer shows very good agreement with the proposed theoretical approach.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2016, 130, 5; 1209-1212
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Deep Levels in GaN p-n Junctions Studied by Deep Level Transient Spectroscopy and Laplace Transform Deep-Level Spectroscopy
    Autorzy:
    Dyba, P.
    Placzek-Popko, E.
    Zielony, E.
    Gumienny, Z.
    Grzanka, S.
    Czernecki, R.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048090.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    71.55.Eq
    73.40.Kp
    Opis:
    p$\text{}^{+}$-n GaN diodes were studied by means of conventional deep level transient spectroscopy and Laplace transform deep-level spectroscopy methods within the temperature range of 77-350 K. Deep level transient signal spectra revealed the presence of a majority and minority trap of indistinguishable signatures. The Laplace transform deep-level spectroscopy technique due to its superior resolution allows us to unambiguously identify and characterize the traps. The apparent activation energy and capture cross-section for the majority trap were found to be equal to 0.63 eV and 2 × 10$\text{}^{-16}$ cm$\text{}^{2}$ and for the minority trap 0.66 eV and 1.6 × 10$\text{}^{-15}$ cm$\text{}^{2}$. It has been confirmed that the Laplace transform deep-level spectroscopy technique is a powerful tool in characterization of the traps of close signatures.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 669-671
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Cathodoluminescence Profiling of InGaN-Based Quantum Well Structures and Laser Diodes - In-Plane Instabilities of Light Emission
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Ivanov, V. Yu.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M.
    Böttcher, T.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Czernecki, R.
    Prystawko, P.
    Leszczynski, M.
    Perlin, P.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036870.pdf
    Data publikacji:
    2003-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    61.72.Mm
    68.37.Hk
    78.60.Hk
    Opis:
    Instabilities of light emission and also of stimulated emission in series of GaN epilayers and InGaN quantum well structures, including laser diode structures, are studied. A stimulated emission is observed under electron beam pumping. This enabled us to study light emission properties from laser structures and their relation to microstructure details. We demonstrate large in-plane fluctuations of light emission and that these fluctuations are also present for excitation densities larger than the threshold densities for the stimulated emission.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 689-694
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Light Emission Properties of GaN-Based Laser Diode Structures
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Phillips, M. R.
    Czernecki, R.
    Targowski, G.
    Perlin, P.
    Leszczyński, M.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2043715.pdf
    Data publikacji:
    2005-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.-z
    78.60.Hk
    68.37.Hk
    Opis:
    Cathodoluminescence is applied for evaluation of in-depth and in-plane variations of light emission from two types of GaN-based laser diode structures. We evaluate in-depth properties of the laser diode emission and demonstrate that potential fluctuations still affect emission of laser diodes for e-beam currents above thresholds for a stimulated emission.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 675-680
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Relationship between Sample Morphology and Carrier Diffusion Length in GaN Thin Films
    Autorzy:
    Godlewski, M.
    Goldys, E. M.
    Phillips, M.
    Böttcher, T.
    Figge, S.
    Hommel, D.
    Czernecki, R.
    Prystawko, P.
    Leszczynski, M.
    Perlin, P.
    Wisniewski, P.
    Suski, T.
    Bockowski, M.
    Grzegory, I.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035593.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.Ff
    61.72.Mm
    68.37.Hk
    78.60.Hk
    Opis:
    Scanning and spot-mode cathodoluminescence investigations of homo- and hetero-epitaxial GaN films indicate a surprisingly small influence of their microstructure on overall intensity of a light emission. This we explain by a correlation between structural quality of these films and diffusion length of free carriers and excitons. Diffusion length increases with improving structural quality of the samples, which, in turn, enhances the rate of nonradiative recombination on structural defects, such as dislocations.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 627-632
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
    Autorzy:
    Grzegory, I.
    Boćkowski, M.
    Krukowski, S.
    Łucznik, B.
    Wróblewski, M.
    Weyher, J.
    Leszczyński, M.
    Prystawko, P.
    Czernecki, R.
    Lehnert, J.
    Nowak, G.
    Perlin, P.
    Teisseyre, H.
    Purgał, W.
    Krupczyński, W.
    Suski, T.
    Dmowski, L.
    Litwin-Staszewska, E.
    Skierbiszewski, C.
    Łepkowski, S.
    Porowski, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
    Data publikacji:
    2001-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Opis:
    In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Impact of Thin LT-GaN Cap Layers on the Structural and Compositional Quality of MOVPE Grown InGaN Quantum Wells Investigated by TEM
    Autorzy:
    Ivaldi, F.
    Kret, S.
    Szczepańska, A.
    Czernecki, R.
    Kryśko, M.
    Grzanka, S.
    Leszczyński, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2048084.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    68.35.bg
    68.37.Lp
    68.65.Fg
    Opis:
    Two samples containing InGaN quantum wells have been grown by metal-organic vapor phase epitaxy on high pressure grown monocrystalline GaN (0001). Different growth temperatures have been used to grow the wells and the barriers. In one of the samples, a low temperature GaN layer (730°C) has been grown on every quantum well before rising the temperature to standard values (900°C). The samples have been investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction. Photoluminescence spectra have been measured as well. The influence of the LT-GaN has been investigated in regard to its influence on the structural and compositional quality of the sample.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 660-662
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Interplay between Internal and External Electric Field Studied by Photoluminescence in InGaN/GaN Light Emitting Diodes
    Autorzy:
    Staszczak, G.
    Khachapuridze, A.
    Grzanka, S.
    Czernecki, R.
    Piotrzkowski, R.
    Perlin, P.
    Suski, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1492901.pdf
    Data publikacji:
    2011-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.60.Fi
    78.67.De
    85.60.Bt
    85.60.Jb
    Opis:
    We have studied a series of polar InGaN/GaN light emitting diodes, consisting of either a blue (440-450 nm) quantum well, or combination of blue and violet (410 nm) quantum wells (with indium content 18% and 10%, respectively). The blue quantum well was always placed close to p-type region of the particular LED. We found that the electroluminescence induced by low current is characterized by light emission from the blue quantum well only. In comparison, optical excitation of our LEDs leads to light emission with energies characteristic either for blue and/or violet quantum wells. The corresponding microphotoluminescence spectra evolve depending on external polarization and variable light intensity of excitation supplied by He-Cd laser. Interplay between built-in electric field and externally applied polarization/screening decides about the band structure profiles and thus radiative recombination mechanisms.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 5; 891-893
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-10 z 10

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies