Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Borzdov, A." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Impact Ionization Process in Deep Submicron MOSFET
Autorzy:
Speransky, D.
Borzdov, A.
Borzdov, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398035.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
MOSFET
metoda Monte Carlo
jonizacja zderzeniowa
energia progowa
Monte Carlo
impact ionization
threshold energy
Opis:
Within the framework of Keldysh impact ionization model the calculation of effective threshold energy for silicon MOSFET with 100 nm channel length by means of ensemble Monte-Carlo simulation is performed. The possibility of impact ionization rate treatment with one-parameter Keldysh model in pre-breakdown and breakdown transistor operation mode using calculated effective threshold energy value is proposed.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 1; 21-24
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies