Impact Ionization Process in Deep Submicron MOSFET

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Impact Ionization Process in Deep Submicron MOSFET
Autorzy:: Speransky, D.
Borzdov, A.
Borzdov, V.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/398035.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: MOSFET
metoda Monte Carlo
jonizacja zderzeniowa
energia progowa
Monte Carlo
impact ionization
threshold energy
Źródło:: International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 1; 21-24
2080-8755
2353-9607
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Within the framework of Keldysh impact ionization model the calculation of effective threshold energy for silicon MOSFET with 100 nm channel length by means of ensemble Monte-Carlo simulation is performed. The possibility of impact ionization rate treatment with one-parameter Keldysh model in pre-breakdown and breakdown transistor operation mode using calculated effective threshold energy value is proposed.

Informacja

Powiązane pozycje