Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Beaumont, B." wg kryterium: Wszystkie pola


Wyświetlanie 1-5 z 5
Tytuł:
Measurement of Pulsed Current-Voltage Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs from Room Temperature to~15~K
Autorzy:
Laurent, T.
Sharma, R.
Torres, J.
Nouvel, P.
Blin, S.
Palermo, C.
Varani, L.
Cordier, Y.
Chmielowska, M.
Faurie,, J.
Beaumont, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505650.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
73.21.Fg
73.40.-c
Opis:
We report measurements of the pulsed and dc current-voltage characteristics of AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors as functions of geometry, temperature (from 300 down to 15 K), and operating conditions. An increase in the drain current with shortening of the pulse width from 1 μs to 400 ns is found to be significant at room temperature whilst this behavior is inverted or even removed at 77 and 15 K temperatures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 196-198
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
65.70.+y
Opis:
Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Voltage Controlled Terahertz Transmission Enhancement through GaN Quantum Wells
Autorzy:
Laurent, T.
Sharma, R.
Torres, J.
Nouvel, P.
Blin, S.
Chusseau, L.
Palermo, C.
Varani, L.
Cordier, Y.
Chmielowska, M.
Faurie, J.
Beaumont, B.
Shiktorov, P.
Starikov, E.
Gruzinskis, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505459.pdf
Data publikacji:
2011-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.-e
78.67.De
73.21.Fg
Opis:
We report transmission measurements of GaN quantum well grown on sapphire substrate in the 220-325 GHz frequency band at low temperatures. A significant enhancement of the transmitted beam intensity with the applied voltage on the devices under test is found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 2; 107-110
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Looking for new acoustic indicators for urbanised areas
Autorzy:
Lebiedowska, B.
Beaumont, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/362929.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Fizyki Budowli Katarzyna i Piotr Klemm
Tematy:
recepcja ludzka
transport noise
human perception
acoustic indicators
Opis:
The main objective of the paper is to define new indicators of urban ambient noise that supplement more general ones currently in use, designed to evaluate human perception and its changes as a function of the site typology and human perception.
Źródło:
Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce; 2007, T. 2; 179-182
1734-4891
Pojawia się w:
Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza pojedynczego wydarzenia akustycznego w zmiennej strukturze urbanistycznej
Analysis of a single acoustic event in a changeable urban structure
Autorzy:
Lebiedowska, B.
Beaumont, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/362487.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Fizyki Budowli Katarzyna i Piotr Klemm
Tematy:
wydarzenie akustyczne
zmienna struktura urbanistyczna
acoustic event
changeable urban structure
Opis:
Artykuł analizuje przebieg wydarzenia akustycznego, stanowiącego przejazd pojedynczego pojazdu samocho- dowego w podstawowych strukturach urbanistycznych, takich jak ulica jednostronnie oraz dwustronnie zabudowana. Analizie poddano czynnik akustyczny (poziom dźwięku) oraz dynamikę zjawiska (czas pojawiania się zjawiska oraz tempo jego narastania). Analizę oparto na wynikach obliczeń symulacyjnych przeprowadzonych przy zastosowa- niu oprogramowania Mihtra.
An acoustic event consisting in a single vehicle pass in g in basic urban structures, such as streets with buildings on one side and on both sides, is examined in the paper. The acoustic factor (noise level) and the dynamics of the phenomenon (time of the occurrence of the phenomenon and its increase rate) are discussed. The analysis is based on the results of simulation calculations conducted using the Mirthra software.
Źródło:
Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce; 2005, T. 1; 249-255
1734-4891
Pojawia się w:
Fizyka Budowli w Teorii i Praktyce
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-5 z 5

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies