Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Andreev, V" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 22
Tytuł:
Propagation of powerful acoustic pulse with shock front in relaxing liquids
Autorzy:
Andreev, V.
Khokhlova, V.
Pischalnikov, Y.
Sapozhnikov, O.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/332183.pdf
Data publikacji:
1997
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Akustyczne
Opis:
Shock wave propagation in relaxing fluid is studied theoretically and experimentally. Modified spectral method is used in numerical simulations to provide an accurate description of weak shocks. For the medium with only one relaxation time, the waveforms of initially triangular pulse with shock front are calculated at various distances. It is shown that nonlinearity results in additional increasing of pulse duration and additional suppression of shock front damping. Experiments are performed in acetic acid as a monorelaxing medium. Short pulses are excited by optoacoustic source. A relaxation time of the fluid is changed by temperature variation. It is shown that pulse distortion is sensitive to the temperature of the medium. A relaxation time is evaluated from the analysis of shock pulse waveform after passing a layer of acetic acid. Theoretical and experimental results are in a good agreement.
Źródło:
Hydroacoustics; 1997, 1; 287-292
1642-1817
Pojawia się w:
Hydroacoustics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modification of Gate Dielectric in MOS Devices by Injection-Thermal and Plasma Treatments
Autorzy:
Andreev, V.
Bondarenko, G.
Maslovsky, V.
Stolyarov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1381776.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Qv
73.40.Gk
Opis:
The influence of injection-thermal and plasma treatments on the characteristics of the MOS-structure is studied. It is shown that the thermal stable part of the negative charge which accumulates in the phosphorus-silicate glass (PSG) film in the structures with the two-layer gate dielectric $SiO_2$-PSG under high-field Fowler-Nordheim electron injection can be used for the characteristics modification of MOS-structures with above described structure. The injection-thermal and plasma treatments of MOS-structures are offered to use for improving the reliability and finding the samples which have the charge defects. It is found that using the injection-thermal and plasma treatments allows to increase the injection and radiation stability of the dielectric films of MOS-structures due to structural changes in the $SiO_2$ film and $Si-SiO_2$ interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1371-1373
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modification of MOS Devices by High-Field Electron Injection and Arc Plasma Jet Treatment
Autorzy:
Andreev, V.
Bondarenko, G.
Maslovsky, V.
Stolyarov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402221.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Qv
73.40.Gk
Opis:
Methods of modification of gate dielectrics of the MOS structures by high-field electron injection and arc plasma jet treatment were studied. It is possible to use them for correction of parameters, decreasing defects number and increasing reliability of MOS devices. It was found that the negative charge accumulated in the film of the phosphorus-silicate glass of the MOS structures with the two-layer gate dielectric SiO₂-phosphorus-silicate glass under the high-field electron injection can be used for modification of devices with the same structures. It is shown that the injection-thermal treatment allows to find and exclude MOS structures with defects of isolation and charge defects. Arc plasma jet treatment was found to improve characteristics of the MOS devices. These treatments increase injection and radiation resistance of the gate dielectric by creating the needed density of electron traps in the bulk of SiO₂ film.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 887-890
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Breast cancer imaging by means of optoacoustic technique: initial experience
Autorzy:
Andreev, V. G.
Oraevsky, A. A.
Karabutov, A. A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/332227.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Akustyczne
Opis:
A clinical prototype of the laser optoacoustic imaging system (LOIS) for breast cancer detection with 32-element transducer array is described. The frequency band of transducer array provided 0.5-mm axial in-depth resolution. Cylindrical shape of the 10-cm long array enabled us to receive the lateral resolution of 1.0 mm in the vicinity of focal zone. The system sensitivity provided detection of a 2-mm absorbing sphere at the depth of 60mm. An automatic recognition of the optoacoustic signal detected from the irradiated surface was implemented in order to visualize the breast surface and improve the accuracy of tumor localization. Radial back-projection algorithm was used for image reconstruction. Optimal filtering of image was employed to reduce low and high frequency noise. Time necessary for data acquisition and image reconstruction was reduced to 32 sec. The system performance was evaluated initially by imaging of the small absorbing objects in breast tissue-like phantoms. Clinical ex-vivo studies of mastectomy specimens were performed and compared with X-ray radiography and ultrasound.
Źródło:
Hydroacoustics; 2001, 4; 1-4
1642-1817
Pojawia się w:
Hydroacoustics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modification of MIS Devices by Irradiation and High-Field Electron Injection Treatments
Autorzy:
Andreev, D.
Bondarenko, G.
Andreev, V.
Maslovsky, V.
Stolyarov, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030209.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Ht
72.20.Jv
73.20.At
73.40.Qv
73.40.Ty
77.22.Jp
77.55.-g
Opis:
Methods to modify gate dielectrics of MIS structures by irradiation treatments and high-field electron injection into dielectric are considered. In addition, distinctive features of these methods used to correct parameters of MIS devices are studied. It was found out that negative charge, accumulating in the thin film of phosphosilicate glass (PSG) of the MIS structure having a two-layer gate dielectric SiO_2-PSG under the high-field injection or during the irradiation treatment can be used to correct the threshold voltage to improve the charge stability and raise the voltage of breakdown for the MIS devices. It is proved that the density of electron traps rises with the increasing thickness of the PSG film. In this paper a method to modify electrophysical characteristics of MIS structures by the high-field tunnel injection of electrons into the gate dielectric under the mode of controlled current stress is proposed. The method allows to monitor changing of MIS structure parameters directly during the modification process.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 245-248
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Forming impulses for partial demagnetizing of rare-earth permanent magnets
Formowanie impulsów dla częściowego odmagnesowania magnesów trwałych z ziem rzadkich
Autorzy:
Makarov, D.A.
Nesterin, V.A.
Yakovlev, L.S.
Andreev, V.N.
Spiridonov, A.A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159927.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
magnes trwały
pierwiastki ziem rzadkich
odmagnesowanie
impuls
rare-earth permanent magnets
impuls magnetizing methods
Opis:
In manufacture of facilities with permanent magnets there are some tasks when application of gauged magnitudes of magnetic characteristics of permanent magnets is required. In order to solve such tasks it is necessary to develop the methods of partial demagnetizing. Within an impulse magnetic field it is carried out at the expense of feeding series of impulses of demagnetizing field. For monitoring a level of a magnet field the carrying force P of the permanent magnet may be used. The choice of the law of impulse forming depends on the set requirements in an exactitude and productivity of the partial demagnetizing process. Process of partly demagnetizing assumes one-side approximation to a certain value of magnetization along the magnetizing curve, beginning from the maximal value, without operations of partly magnetic bias of the permanent magnet when its magnetization decreased below the given level. Comparing the different laws of forming impulses is made using mathematical modeling of the partial demagnetizing process, based on real characteristics of permanent magnets.
W wyrobie produktów z magnesami trwałymi zachodzi konieczność stosowania określonych charakterystyk magnetycznych. W tym celu konieczne jest opracowanie metod częściowego odmagnesowania przez powodowanie szeregu impulsów pola odmagnesowującego. Dla obserwowania poziomu pola magnetycznego można użyć siłę nośną P magnesu trwałego. Wybór prawa, formowanie impulsu zależy od zadanych wymagań odnośnie dokładności i skuteczności procesu odmagnesowania. Proces częściowego odmagnesowania zakłada przybliżenie pewnej wartości namagnesowania wzdłuż krzywej magnesowania zaczynając od wartości maksymalnej bez działania częściowego magnetycznego magnesowania wstępnego magnesu trwałego gdy namagnesowanie maleje poniżej danego poziomu. Porównanie różnych praw formowania impulsów wykonuje się stosując modelowanie matematyczne procesu odmagnesowania, w oparciu o rzeczywiste charakterystyki magnesów trwałych.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2006, 229; 149-159
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Practice of Geobotanical Indication of Forest Growth Conditions in the Steppe and Wooded Steppe Ecotone in Central Mongolia
Autorzy:
Gunin, Petr D.
Bazha, Sergey N.
Miklyaeva, Inessa M.
Karimova, Tatiana Y.
Petukhov, Igor A.
Andreev, Anatoly V.
Bogdanov, Evgenij A.
Tsyrempilov, Enkhe G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/124792.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Inżynierii Ekologicznej
Tematy:
Baikal catchment basin
ecosystems
belt groups of plants
zonal groups of plants
environmental conditions
humidity factor
Opis:
The forest conditions in the Central Aimag of Mongolia, located in the southern part of the Baikal catchment area, near the southern border of the forest-steppe subzone, were examined within the framework of this study. The field materials collected in the summer 201–2018 at the Zuunmod Model polygon serve as the core of the study. An ecosystem map of the Model polygon with the scale 1:50 000 and the Key plot with the scale 1:5 000 was drawn up using World Viеw-2 satellite imagery data (2016). The proven method of botanical indication of forest growth conditions is as follows: identification of the ecologic and coenotic groups of plant species, calculation of the moisture coefficient based on the ratio of the number of species included in the groups characterizing the extreme conditions of the moisture gradient and distribution of communities in accordance with the values of the gradient in the ecological series. Communities of stages of ecological series serve as indirect indicators of the forest conditions: Stage I: Кu <1, insufficient humifying for tree growth, Stage II: Кu 1–2, average humifying, Stage III: Кu >2, sufficient humifying for tree growth. The stages also correspond to the landscape conditions and the character of the vegetation cover.
Źródło:
Journal of Ecological Engineering; 2020, 21, 2; 10-21
2299-8993
Pojawia się w:
Journal of Ecological Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetic Structure in UIrAl
Autorzy:
Prokeš, K.
Prchal, J.
Sechovský, V.
Andreev, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813678.pdf
Data publikacji:
2008-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.25.+z
Opis:
By means of neutron diffraction on a hexagonal UIrAl single crystal we find that this system orders ferromagnetically at low temperatures with magnetic moments of 0.93 (10) $μ_B$ aligned along the c axis. The Curie temperature $T_C$ = 65 (5) K determined from the diffraction experiment is in good agreement with bulk magnetic measurements.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 113, 1; 339-342
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optically Active Si:Er Layers Grown by the Sublimation MBE Method
Autorzy:
Stepikhova, M.
Andreev, A.
Andreev, B.
Krasil'nik, Z.
Shmagin, V.
Kuznetsov, V.
Rubtsova, R.
Jantsch, W.
Ellmer, H.
Palmetshofer, L.
Preier, H.
Karpov, Yu.
Piplits, K.
Hutter, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992203.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Hi
Opis:
We report the first application of sublimation molecular beam epitaxy to grow uniformly and selectively doped Si:Er layers with Er concentration up to 5×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. The Hall concentration of electrons is about 10% of total Er contents. The mobility is 300-400 cm$\text{}^{2}$ V$\text{}^{-1}$ s$\text{}^{-1}$ at 300 K. All samples exhibit photoluminescence at 1.537 μm up to 100-140 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 549-554
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Cast Intermetallic Alloys by SHS Under High Gravity
Autorzy:
Sanin, V.
Andreev, D.
Ikornikov, D.
Yukhvid, V.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503724.pdf
Data publikacji:
2011-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Bx
81.05.Mh
81.20.Ka
Opis:
Pilot-scale series of cast Ti-Al, Ti-Al-Nb, $(Ni, Co, Mn)Al_x$, Ni-Cr-Al-Si-C, and Co-V-Al-Si-C alloys were produced by thermit-type SHS under high gravity for their potential use as heat-resistant materials, master alloys, precursors for catalysts, etc.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 2; 331-335
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
V'rhč nâkoi aspekti na izgraždaneto na GIS v b'lgarskata armiâ; About some aspects bilding GIS in bulgerian army
Autorzy:
Andreev, Andrej I.
Powiązania:
Zeszyty Naukowe Wyższa Szkoła Oficerska im. gen. Józefa Bema, 2002, nr 21, s. 168-175
Data publikacji:
2002
Tematy:
Teren informacja automatyzacja system Bułgaria materiały konferencyjne
Opis:
Komputerowy system pozwalający na bardzo szybkie i dokładne pozyskanie i wykorzystanie wszystkich danych o terenie. VI Konferencja Katedry Nauk Technicznych "Oprzyrządowanie techniczne działalności bojowej artylerii".
Rys.; Bibliogr.; Abstr., streszcz.
Dostawca treści:
Bibliografia CBW
Artykuł
Tytuł:
Andreev Reflection Study of the Superconductor $Mo_3Sb_7$
Autorzy:
Dmitriev, V.
Rybaltchenko, L.
Khristenko, E.
Ishchenko, L.
Bukowski, Z.
Troć, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1812340.pdf
Data publikacji:
2008-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
74.70.Ad
Opis:
The point-contact Andreev-reflection measurements on the new paramagnetic superconductor $Mo_3Sb_7$ were carried out. It was found that the order parameter ∆ is strongly anisotropic varying over a very wide range depending on the contact orientation when the maximum $∆_\text{max}$ exceeds at least 40 times the minimum $∆_\text{min}$ in spite of the invariable $T_c$ that cannot be typical of conventional superconductors. For these and other reasons we suggest that $Mo_3Sb_7$ is not a trivial BCS (s-wave) superconductor but rather has some unconventional pairing symmetry.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 1; 263-267
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The use of upgraded hopper cars in the mining industry
Ispolzovanie modernizirovannykh vagonov-khopperov v dobyvajushhejj promyshlennosti
Autorzy:
Gubacheva, L.
Andreev, A.
Leonova, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/792396.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Komisja Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Tematy:
transportation
rock
dump
hopper car
mining industry
railway rolling stock
Źródło:
Teka Komisji Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa; 2012, 12, 4
1641-7739
Pojawia się w:
Teka Komisji Motoryzacji i Energetyki Rolnictwa
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Absorption and Photoluminescence in Quantum Dots and Artificial Molecules
Autorzy:
Firsov, D.
Vorobjev, L.
Panevin, V.
Fedosov, N.
Shalygin, V.
Samsonenko, J.
Tonkikh, A.
Cirlin, G.
Andreev, A.
Kryzhanovskaya, N.
Tarasov, I.
Pikhtin, N.
Ustinov, V.
Hanna, S.
Seilmeier, A.
Julien, F.
Zakharov, N.
Werner, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2041673.pdf
Data publikacji:
2005-01
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
Opis:
Intraband absorption in n- and p-doped structures with InAs/GaAs quantum dots covered by InGaAs layers is studied both experimentally and theoretically. The absorption cross-section for p-type quantum dots was found to be significantly smaller than that for n-type quantum dots. Interband absorption bleaching under strong interband excitation is found and investigated in undoped quantum dot structures. Structures with artificial molecules were grown. Photoluminescence spectra and transmission electron microscopy images proves the presence of coupled symmetrical quantum dots.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 107, 1; 158-162
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 22

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies