Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "61.70.Tm" wg kryterium: Wszystkie pola

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Hydrogen Passivation in Semiconductors
    Autorzy:
    Stavola, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1920967.pdf
    Data publikacji:
    1992-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.70.-r
    61.70.Tm
    Opis:
    A survey is presented of the structure, stability, and reorientation kinetics of acceptor-H and donor-H complexes in Si and III-V semiconductors. A few examples of the unintentional introduction of H into device materials are also discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 585-598
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Heterogeneous Amorphization of P and As Implanted GaAs at Low Temperatures
    Autorzy:
    Krynicki, J.
    Rzewuski, H.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1924215.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.Jh
    61.70.Tm
    Opis:
    Amorphization of P and As implanted GaAs at liquid nitrogen temperature has been investigated. The post-implantation damage was measured by means of Rutherford Backscattering (RBS) He$\text{}^{+}$ channeling technique. The critical dose and critical energy densities for amorphization were determined. From the results obtained it is concluded that for both ions the amorphization process can be satisfactorily described by the heterogeneous model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 871-875
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Heterogeneous Amorphization of Cd Implanted GaAs at Room Temperature
    Autorzy:
    Krynicki, J.
    Rzewuski, H.
    Groetzschel, R.
    Claverie, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1886822.pdf
    Data publikacji:
    1991-02
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.Jh
    61.70.Tm
    Opis:
    Amorphization of GaAs implanted with Cd in the dose range of 2 x 10$\text{}^{13}$-1.2 x 10$\text{}^{14}$ ions/cm2 and the energy range of 20 to 180 keV at room temperature has been investigated. The degree and the depth distributions of postimplanted damage were measured by using RBS technique. The critical dose for each Cd-ion energy was determined. The amorphization models have been discussed. The results obtained are in agreement with theoretical predictions supporting heterogeneous amorphization of Cd-implanted GaAs at room temperature.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 349-353
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Reflectivity Spectra of CdTe Implanted at Room and Liquid Nitrogen Temperature
    Autorzy:
    Czarnecka-Such, E.
    Kisiel, A.
    Rodzik, A.
    Gołacki, Z.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923759.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.Jh
    61.70.Tm
    78.20.Ci
    Opis:
    The fundamental reflectivity spectra of monocrystalline CdTe, implanted with Ag ions at room temperature and with Er ions at liquid nitrogen temperature, are investigated in the 0.5-6.0 eV energy range. The analysis of the obtained spectra leads to the suggestion that temperature of implantation influences the obtained results much more decisively than values of other parameters. For the implantation carried out at 300 K no significant changes in reflectivity spectra are observed regardless of magnitude of the ion dose (up to 5 × 10$\text{}^{15}$/cm$\text{}^{2}$) and this fact, in our opinion, is due to the self-annealing effect. For samples implanted at temperature 77 K with comparable doses of ions, however, the characteristic changes of shape and intensity of reflection coefficient spectra appear. The manner of this changes gives evidence that temperature 77 K is low enough to make the radiation induced lattice defects stable (frozen-in) which are responsible for the observed behaviour of CdTe fundamental reflectivity spectra.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 781-784
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies