Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "MOS" wg kryterium: Temat


Tytuł:
The Legal Value of Mos Maiorum in Cicero
Autorzy:
Anna, Iacoboni,
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/903132.pdf
Data publikacji:
2019-09-19
Wydawca:
Uniwersytet Warszawski. Wydawnictwa Uniwersytetu Warszawskiego
Tematy:
mos maiorum
mos
consuetudo
nobilitas
populares
optimates
popularzy
optymaci
Opis:
The tradition is constituted by the norms of conduct of the gentes and the patrician familiae. The right is the foundation of the ruling class power of the patricians first, of the patrician-plebeian nobilitas then. The hegemony of the pontiffs in the juridical field is subsequently questioned by the iurisprudentia, starting from the 3rd century BC. We examine the legal value of mos and consuetudo as sources of law in Cicero. Afterwards, we evoke the crisis of tradition and the evolution of right caused by changing social and political conditions. The mos maiorum knows the maximum crisis in the late-Republican age. Cicero considers it necessary to implement a critical revision of the mos maiorum. However, the individualism present at the time of the author makes the moral and political rebirth of Rome impossible.
Źródło:
Studia Iuridica; 2019, 80; 135-154
0137-4346
Pojawia się w:
Studia Iuridica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377135.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
tranzystor MOS
parametry termiczne
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 87; 235-244
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Rola pamięci w relacjach starożytnych Rzymian z bogami
Autorzy:
Musiał, Danuta
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/632097.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej. Wydawnictwo Uniwersytetu Marii Curie-Skłodowskiej
Tematy:
cultural memory, mos maiorum, roman religion
pamięć kulturowa, mos maiorum, religia rzymska
Opis:
In the article I discuss the role of rituals in the construction of religious memory. The concept of cultural memory of Jan Assman is the starting point of my research. In Rome, the social frame of social memory created the customs of ancestors, and historical examples, the places in the topography of Rome and figures from the past were ‘the figures’ of memory. The meticulous observance of the ritual characteristic of the Roman religion can be counted as an example of memory practices. Through the ritual people were confirming their memory of the gods and were reminding the gods of their expectations for them. The ritual was a kind of procedural memory that was connecting the Romans with their ancestors and the ancestral deities. Remembering and forgetting played an important role in many rituals related to, for example, the admission of foreign deities to the Roman pantheon. The memory was a form of godliness, which is why in various forms it was present in the images of Gods and ritual practice.
W artykule omawiam rolę rytuałów w konstruowaniu pamięci religijnej. Punktem wyjścia moich badań jest koncepcja pamięci kulturowej Jana Assmana. W Rzymie społeczne ramy pamięci społecznej tworzył obyczaj przodków, a historyczne przykłady, miejsca w topografii Rzymu i postacie z przeszłości były ‘figurami’ pamięci. Skrupulatne przestrzeganie rytuału charakterystyczne dla religii rzymskiej można zaliczyć do praktyk pamięci. Za pomocą rytuału ludzie potwierdzali pamięć o bogach i przypominali bogom o swoich oczekiwaniach wobec nich. Rytuał był rodzajem pamięci proceduralnej łączącej Rzymian z przodkami i bóstwami przodków. Pamięć i zapominanie odgrywa ważną rolę w wielu rytuałach związanych na przykład z przyjmowaniem do rzymskiego panteonu obcych bóstw. Pamięć była formą pobożności, dlatego w różnych formach był obecna w wyobrażeniach o bogach i w praktyce rytualnej.
Źródło:
Res Historica; 2019, 47
2082-6060
Pojawia się w:
Res Historica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Adaptive EPFL-EKV Long and Short Channel MOS Device Models for Qucs, SPICE and Modelica Circuit Simulation
Autorzy:
Brinson, M. E.
Nabijou, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398007.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
model adaptacyjny MOS
Qucs
SPICE
Modelica
monitoring parametru
adaptive MOS models
equation-defined device modelling
Verilog-A
EPFL-EKV MOS-FET model
parameter and equation monitoring
EPFL-EKV MOS-FET
Opis:
Equation-defined non-linear functional elements are important building blocks in the development of compact semiconductor device models. Current trends in compact device modelling suggest widespread acceptance among the modeling community of Verilog-A, for semiconductor device specification, model exchange and circuit simulation. This paper outlines techniques for the development of adaptive EPFL-EKV long and short channel MOS models which stress user selectable model features and diagnostic capabilities. Adaptive EPFL-EKV nMOS models based on Verilog-A and Modelica are introduced and their performance compared with simulation data obtained using the "Quite universal circuit simulator" (Qucs), SPICE and the Modelica simulation environment.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2012, 3, 1; 1-6
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Changes in the mitochondrial network during ectromelia virus infection of permissive L929 cells
Autorzy:
Gregorczyk, Karolina
Szulc-Dąbrowska, Lidia
Wyżewski, Zbigniew
Struzik, Justyna
Niemiałtowski, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1039359.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Biochemiczne
Tematy:
mitochondrial network
ECTV-MOS
apoptosis
Opis:
Mitochondria are extremely important organelles in the life of a cell. Recent studies indicate that mitochondria also play a fundamental role in the cellular innate immune mechanisms against viral infections. Moreover, mitochondria are able to alter their shape continuously through fusion and fission. These tightly regulated processes are activated or inhibited under physiological or pathological (e.g. viral infection) conditions to help restore homeostasis. However, many types of viruses, such as orthopoxviruses, have developed various strategies to evade the mitochondrial-mediated antiviral innate immune responses. Moreover, orthopoxviruses exploit the mitochondria for their survival. Such viral activity has been reported during vaccinia virus (VACV) infection. Our study shows that the Moscow strain of ectromelia virus (ECTV-MOS), an orthopoxvirus, alters the mitochondrial network in permissive L929 cells. Upon infection, the branching structure of the mitochondrial network collapses and becomes disorganized followed by destruction of mitochondrial tubules during the late stage of infection. Small, discrete mitochondria co-localize with progeny virions, close to the cell membrane. Furthermore, clustering of mitochondria is observed around viral factories, particularly between the nucleus and viroplasm. Our findings suggest that ECTV-MOS modulates mitochondrial cellular distribution during later stages of the replication cycle, probably enabling viral replication and/or assembly as well as transport of progeny virions inside the cell. However, this requires further investigation.
Źródło:
Acta Biochimica Polonica; 2014, 61, 1; 171-177
0001-527X
Pojawia się w:
Acta Biochimica Polonica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Niskotarciowe powłoki na bazie MoS2 z podwarstwami chromu na odlewniczych stopach aluminium
Production of low friction MoS2 (Ti,W) coatings with Cr interlayer deposited on silumin
Autorzy:
Michalska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/134770.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
ADVSEO
Tematy:
abrasion resistance
MoS2 coating
alloys
Opis:
I have attempted to meet request on lightweight functional materials with low friction coefficient and high wear resistance reported by various areas of industry. For this purpose I attempted to combine good tribological properties of MoS2 (Ti,W) coatings base and modified and refined silumin. In addition, under MoS2 (Ti,W) coating the Cr interlayer was deposited having the task to increase the adhesion of the coating to the substrate. In such a composite tribological tests were the major studies. Additionally, for the characterization of deposited coatings the following studies were conducted: qualitative analysis of the phase composition of X-ray diffraction (XRD), linear analysis of the distribution of selected elements (EDS), nano-hardness and Young modulus were measured.
Źródło:
Technical Issues; 2016, 1; 52-58
2392-3954
Pojawia się w:
Technical Issues
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Large-scale research on quality of experience (QoE) algorithms
Autorzy:
Leszczuk, M.
Szczerba, B.
Głowacz, A.
Derkacz, J.
Dziech, A.
Romaniak, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/305628.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
video
compresion
QoE
MOS
H.264
Opis:
The large variety of video data sources means variability not only in terms of included content, but also in terms of quality.Therefore, quality assessment provides an additional dimension.The paper describes a comprehensive evaluation experiment on perceived video quality. Consequently, in summary, 19 200 000 video frames will be processed. Given the scale of the experiment, it is set up on a computer cluster in order to accelerate the calculations significantly. This work on Quality of Experience (QoE) is synchronized with that conducted by the Video Quality Experts Group (VQEG), in particular the Joint Efforts Group (JEG) – Hybrid group project.
Źródło:
Computer Science; 2013, 14 (1); 63-75
1508-2806
2300-7036
Pojawia się w:
Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie tarcia i zużycia powłok przeciwzużyciowych w próżni
The investigation of the friction and wear of antiwear coatings in a vacuum
Autorzy:
Mańkowska, A.
Piekoszowski, W.
Szczerek, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/190426.pdf
Data publikacji:
2009
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
tarcie
zużycie
powłoka CrN
powłoka MoS2
próżnia
friction
wear
CrN coating
MoS2 coating
vacuum
Opis:
Zbadano charakterystyki tribologiczne ślizgowego węzła tarcia typu kula–tarcza pracującego w powietrzu w warunkach tarcia technicznie suchego oraz próżni. Elementami testowymi były tarcze wykonane ze stali 100Cr6 bez powłoki i z naniesionymi powłokami: przeciwzużyciową CrN i niskotarciową MoS2 oraz kulki łożyskowe ze stali 100Cr6 jako przeciwpróbki. Właściwości tribologiczne badanego węzła tarcia oceniano na podstawie przebiegu zmian współczynnika tarcia, intensywności zużywania liniowego, średnicy wytarcia kulki oraz wyglądu wytartych powierzchni. Wykazano istotny wpływ próżni na przebieg tarcia i zużycia badanych skojarzeń ciernych.
Tribological characteristics of coatings were investigated using a ball-on-disc tribosystem without lubrication in the presence of air and in a vacuum. The tests were performed employing friction pairs consisting of 100Cr6 bearing steel balls and a disc (uncoated or CrN and MoS2 coated). The evaluation of tribological properties of the investigated ball-on-disc tribosystem have been done on the basis of friction coefficient, linear wear intensity, wear scar diameters on balls, and microscopy observation of the worn surfaces. The results indicate that the vacuum significantly influences the friction and wear behaviour of investigated friction pairs.
Źródło:
Tribologia; 2009, 3; 125-138
0208-7774
Pojawia się w:
Tribologia
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Structure and Properties of Zn/MoS2 Composite Coatings Produced by Electrochemical Reduction
Autorzy:
Szmigielska, K.
Trzaska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/351134.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
electrodeposition
zinc coating
Zn/MoS2 composites
Opis:
The report presents research efforts on the synthesis of Zn/MoS2 composite coatings by electrochemical reduction from a sulphate-borate bath containing MoS2 powder as a dispersion phase at various concentrations. The structure of the Zn/MoS2 composite coatings was characterised and the effect of MoS2 particles embedded on their microhardness was evaluated. The coatings produced are characterized by a compact, homogeneous structure and a good connection to a steel substrate. The incorporation of MoS2 particles into the zinc matrix has an influence on the structure and morphology of the Zn/MoS2 composite coatings. It was found that the presence of MoS2 particles increases surface roughness along with coating hardness. The incorporation of the MoS2 particles into the zinc matrix slightly improves the corrosion resistance compared to Zn coatings, making the corrosion potential shift towards more electropositive values.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2019, 64, 4; 1653-1659
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiary naprężeń w strukturach MOS metod interferencyjną i za pomocą elipsometrii spektroskopowej
Stress determination of MOS structures by interference and spectroscopic ellipsometry method
Autorzy:
Borowicz, L. K.
Borowicz, P.
Rzodkiewicz, W.
Piskorski, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/157406.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
struktury MOS
naprężenie
interferometria
elipsometria
parametry elektryczne
Metal Oxide Semiconductor
MOS structures
stress
interferometry
ellipsometry
electrical parameters
Opis:
Zmierzone parametry elektryczne struktur MOS wskazują na obecność naprężeń mechanicznych panujących w tlenku pod powierzchnią bramki metalowej. Przyjęto do badań dwie metody optyczne: elipsometrii i mikro-interferometrii. Do oceny ugięcia prążków interferencyjnych spowodowanego zmianami drogi optycznej w warstwie dielektryka pod wpływem naprężeń stworzono oprogramowanie komputerowe oparte na regresji nieliniowej. Inny sposób oceny tej wielkości wykorzystuje ekwidensytometrię. Pomiary optyczne pozwoliły wyznaczyć niektóre składowe tensora naprężeń w warstwie dielektryka sąsiadującej z krawędzią bramki.
Observed changes in some electrical parameters of MOS structures indicate existence of stresses in SiO2 layer under aluminum gate. In order to find out why these parameters were changed, we have studied optical properties of the dielectric in the vicinity of metal and poly-silicon gate.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 9 bis, 9 bis; 325-328
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Shape coefficient in the inland vessel resistance prediction
Autorzy:
Zawiślak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/259778.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Inżynierii Mechanicznej i Okrętownictwa
Tematy:
shape
ships
inland vessel
resistance prediction
MOS
Opis:
In recalculation of a model resistance into a real object resistance, one of difficult to estimate values is the shape coefficient. There are well known and tested methods of determining the (1+ko) coefficient for sea-going ships. In the case of inland vessels navigating in the limited depth waterways the problem has not been solved completely. The paper presents results of computations of the inland vessel shape coefficient determined by means of numerical methods (MOS). The shape coefficient has been calculated as a function of the block coefficient and block coefficient of the forebody of a barge hull. The calculations were based on five typical shapes of the transport inland vessels and were carried out for different depth to draught (h/T) ratios and different sailing speeds.
Źródło:
Polish Maritime Research; 2007, S 2; 77-82
1233-2585
Pojawia się w:
Polish Maritime Research
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analytical Model Development for Unified 2D Electron Gas Sheet Charge Density of AlInN/GaN MOSHEMT
Autorzy:
Amarnath, G.
Lenka, T. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/227306.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
2DEG
AlInN/GaN
MOS-HEMT
TCAD
Opis:
We have developed a unified analytical model for computation of 2D electron gas sheet charge density in AlInN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor device structure. This model has been developed by incorporating the variation in lowest three energy sub-bands and Fermi level energy in the quantum-well with respect to gate voltage. We noticed that the dependency of lowest sub-band energy with Fermi energy having two fields, which are the lowest sub-band energy is greater and lesser than the Fermi level energy. According to these two fields, we have developed the fermi energy and sheet charge density expressions in each field. By combining each field of the models, developed a unified 2D electron gas sheet charge density model. The Fermi level and sheet charge density are interdependent in the model development. The developed model results are compared with TCAD simulation results and obtain a good consistency between them. This model is fitted to other metal-oxide-semiconductor high electron mobility transistor devices also with modifications in related physical values.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2017, 63, 4; 363-368
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of MoS2 Nanosheet Fillers on Poly(vinyl alcohol) Nanofibre Composites Obtained by the Electrospinning Method
Wpływ zastosowania wypełniaczy MoS2 na kompozyty z nanowłókien poli(alkoholu winylowego) otrzymane metodą elektroprzędzenia
Autorzy:
Yuan, Bin
Liu, Jun
Qiu, Lei
Hui, Qian
Chang, Meng-Jie
Li, Ya-Qing
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/233334.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Biopolimerów i Włókien Chemicznych
Tematy:
electrospinning
MoS2 nanosheet
poly(vinyl alcohol)
composite
nanofibre
elektroprzędzenie
nanoskładnik MoS2
poli(alkohol winylowy)
kompozyt
nanowłókno
Opis:
The graphene-like two dimensional (2D) inorganic materials have been been shown great interest for a variety of applications. In this work, polymer composite nanofibres containing molybdenum disulfide (MoS2) nanosheets were obtained by electrospinning. The MoS2 nanosheets were well dispersed inside the fibres, and the nanofibres maintained the fibre morphology well with the MoS2 nanosheets embedded. The incorporation of MoS2 nanosheets changes polymer nanofibre morphology from round to ribbon-like. Moreover, through thermogravimetric (TG) analysis and dynamic mechanical thermal analysis (DMTA) measurements, it was found that the MoS2 nanosheets as an additive material led to an increase in thermal stability and in the storage modulus. This work comprises an extensive approach to producing a novel 2D inorganic-organic composite structure, which should be applicable for membrane engineering with enhanced thermal and mechanical stability.
Dwuwymiarowe nieorganiczne materiały podobne do grafenu wywołały liczne zainteresowanie w różnych zastosowaniach. W pracy otrzymano metodą elektroprzędzenia kompozytowe nanowłókna polimerowe zawierające disiarczek molibdenu (MoS2). Nanoskładniki MoS2 były dobrze rozproszone we włóknach, a ich morfologia była na zadowalającym poziomie. Włączenie nanoskładników MoS2 zmienia nanowłókna polimerowe z morfologii okrągłej na wstążkową. Co więcej, dzięki analizie termograwimetrycznej (TG) i pomiarom dynamicznej mechanicznej analizy termicznej (DMTA) stwierdzono, że dodatek MoS2 może zapewnić wzrost stabilności termicznej i zwiększyć moduł przechowywania. Praca prezentuje rozszerzone podejście do produkcji nowej dwuwymiarowo nieorganiczno-organicznej struktury kompozytowej, która może mieć zastosowanie w wytwarzaniu membran o podwyższonej stabilności termicznej i mechanicznej.
Źródło:
Fibres & Textiles in Eastern Europe; 2020, 3 (141); 62-67
1230-3666
2300-7354
Pojawia się w:
Fibres & Textiles in Eastern Europe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An analysis of the Italian ro-ro and ro-pax network in the years 2008-2015
Autorzy:
Lupi, M.
Farina, A.
Pratelli, A.
Bellucci, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/961507.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
Tematy:
Motorway of the Sea
MoS
Italian MoS network
MoS routes
ro-pax
ro-ro
ro-pax services
ro-ro services
road transport
competitiveness
autostrada morska
włoska sieć autostrad morskich
trasy MoS
obsługa ro-pax
obsługa ro-ro
transport drogowy
konkurencyjność
Opis:
In this paper, the development of Motorways of the Sea (MoS) services offered at Italian ports from 2008 to 2015 is analyzed. In particular, a detailed research on MoS routes calling at Italian ports in the year 2015 is carried out; within MoS routes: ropax and only cargo ro-ro services are identified. MoS routes in the year 2015 are compared with those in the years 2008, 2010 and 2012. The study highlights two main aspects. First, the great majority of MoS routes in Italy are ro-pax ones: ro-ro routes are only 31% of the total, but ro-pax service frequencies are highly variable during the year, from high to low season. Second, due to the economic crisis, carriers are trying to operate services with high load factors and trying to find new markets: in fact, from 2008 to 2015, route frequencies have decreased, whereas the number of port calls in each route has increased. Finally, the capability of ro-ro and ro-pax routes of being competitive versus all-road transport has been analyzed. The analysis has shown that both ro-ro and ro-pax routes show relevant problems in terms of their competitiveness against all-road transport. Ro-pax routes are not reliable and ro-ro routes are not fast and frequent; thus, they both do not fulfill essential requirements for MoS services.
Źródło:
Transport Problems; 2017, T. 12, z. spec.; 127-140
1896-0596
2300-861X
Pojawia się w:
Transport Problems
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures
Autorzy:
Piskorski, K.
Przewłocki, H. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308661.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
barrier height
effective contact potential difference
MOS system
Opis:
Distributions of the gate-dielectric EBG(x, y) and semiconductor-dielectric EBS(x, y) barrier height values have been determined using the photoelectric measurement method. Modified Powell-Berglund method was used to measure barrier height values. Modification of this method consisted in using a focused UV light beam of a small diameter d =0.3 mm. It was found that the EBG(x, y) distribution has a characteristic dome-like shape which corresponds with the independently determined shape of the effective contact potential difference fMS(x, y) distribution. On the other hand, the EBS(x, y) distribution is of a random character. It is shown that the EBG(x, y) distribution determines the shape of the fMS(x, y) distribution. The model of the EBG and EBS barrier height distributions over the gate area has been proposed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2007, 3; 49-54
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies