We have developed a unified analytical model
for computation of 2D electron gas sheet charge density in
AlInN/GaN metal-oxide-semiconductor high electron
mobility transistor device structure. This model has been
developed by incorporating the variation in lowest three
energy sub-bands and Fermi level energy in the quantum-well
with respect to gate voltage. We noticed that the
dependency of lowest sub-band energy with Fermi energy
having two fields, which are the lowest sub-band energy is
greater and lesser than the Fermi level energy. According to
these two fields, we have developed the fermi energy and
sheet charge density expressions in each field. By combining
each field of the models, developed a unified 2D electron gas
sheet charge density model. The Fermi level and sheet
charge density are interdependent in the model
development. The developed model results are compared
with TCAD simulation results and obtain a good consistency
between them. This model is fitted to other metal-oxide-semiconductor
high electron mobility transistor devices also
with modifications in related physical values.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00