Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Turos, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 16
Tytuł:
Efektywna metoda przetwarzania macierzy rzadkich
Effective method of processing of sparse matrix
Autorzy:
Jabłoński, J.
Turos, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/152889.pdf
Data publikacji:
2007
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
kompresja
macierze rzadkie
compression
sparse matrix
Opis:
Wiele problemów optymalizacyjnych sprowadzanych jest do przetwarzania macierzy rzadkich o bardzo dużych rozmiarach. Tradycyjne metody operacji na macierzach o tak dużych rozmiarach jest czasochłonne dlatego poszukiwane są rozwiązania gwarantujące większą efektywność i krótszy czas przetwarzania. W artykule omówiono wybrane metody i zaproponowano autorską metodę wykorzystania kompresji w poprawie efektywności przetwarzania macierzy rzadkich.
Many optimization problems can be imported to processing of thin matrices about very large sizes. The traditional methods of operation on the matrices about so it is the large sizes time-consuming therefore the guaranteeing the larger efficiency solutions be in the demand and the shorter time of processing. This paper presented the author's method of utilization in improvement of efficiency the compression of processing of sparse matrix in presented study was introduced.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2007, R. 53, nr 5, 5; 63-65
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Czynnik ludzki a bezpieczeństwo znieczulenia
The Human Factor and the Safety of Anesthesia
Autorzy:
Turos, Maria J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/29551958.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Uczelnia Łazarskiego. Oficyna Wydawnicza
Tematy:
czynnik ludzki
anestezjologia
komunikacja w zespole
bezpieczeństwo pacjenta
human factor
anesthesiology
patient safety
team communication
Opis:
Czynnik ludzki, choć na ogół uważany za rzecz subiektywną, stanowi istotny aspekt bezpieczeństwa działań, szczególnie w obszarach, gdzie dochodzi do interakcji z drugim człowiekiem. Nie inaczej jest w anestezjologii, w której dodatkowo nakładają się jeszcze procedury wykorzystujące aparaturę kontrolno-pomiarową. Nie bez znaczenia jest tu również komunikacja wewnątrzzespołowa, zaliczana do istotnych czynników wchodzących w zakres prezentowanego pojęcia. Świadomość, jak wielką rolę odgrywają te interakcje w zapewnieniu bezpieczeństwa pacjenta, jest jednym z istotnych czynników unikania błędów, niejednokrotnie trudnych do jednoznacznego określenia.
The human factor, although generally considered subjective, is an important aspect of operational safety, especially in areas where there is interaction with other people. It is no different in anesthesiology, where additional procedures involving the use of control and measurement equipment also overlap. Not without significance is also intra-team communication, which should also be included among the important factors included in the scope of the presented concept. Awareness of how important a role these interactions play in ensuring patient safety is one of the important factors in avoiding errors that are often difficult to clearly define.
Źródło:
Review of Medical Practice; 2023, XXIX, 3; 24-39
2956-4441
2956-445X
Pojawia się w:
Review of Medical Practice
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ przetwarzania ziarniaków gryki i obróbki termicznej na składniki odżywcze
Effect of processing and thermally treating buckwheat grains on nutrients
Autorzy:
Worobiej, E.
Piecyk, M.
Perzyna, G.
Turos, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/826987.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Technologów Żywności
Tematy:
ziarniaki
gryka
przetwarzanie
obrobka kulinarna
bialka
skrobia
strawnosc
granuloma
buckwheat
processing
culinary treatment
protein
starch
digestibility
Opis:
Ze względu na cenny skład ziarniaków gryki na rynku pojawiła się szeroka oferta produktów z ich udziałem. Stosowane procesy podczas przetwarzania ziarniaków oraz obróbka kulinarna produktów gryczanych mogą powodować zmiany istotnych składników, mające wpływ na ich właściwości żywieniowe. Celem pracy było określenie zmian w składnikach odżywczych i strawności skrobi spowodowanych wpływem procesów przetwórczych ziarniaków gryki, tj. otrzymywania płatków oraz kaszy prażonej i nieprażonej oraz w przypadku kasz dodatkowo wpływem obróbki kulinarnej przeprowadzonej dwoma sposobami. Wykazano, że płatki w porównaniu z ziarniakami gryki zawierały mniej składników mineralnych i białek, natomiast w kaszach zależność ta była odwrotna. Proces prażenia wpłynął na skład kasz gotowanych, które zawierały mniej związków mineralnych w postaci popiołu, tłuszczu i białek niż gotowane kasze nieprażone. Sposób gotowania w wodzie (z odlewaniem lub bez) nie powodował istotnych różnic zawartości białek w obu rodzajach kasz oraz zawartości tłuszczu w kaszach prażonych. Prażenie wpływało na znaczne obniżenie aktywności inhibitora trypsyny oraz wzrost zawartości azotu niebiałkowego w kaszach gryczanych. W odniesieniu do ziarniaków gryki procesy stosowane w produkcji płatków i kaszy gryczanej spowodowały znaczne zmniejszenie ilości skrobi wolno trawionej i skrobi opornej w wyniku usunięcia składników ograniczających strawność skrobi oraz zabiegów hydrotermicznych powodujących skleikowanie skrobi. Kasze prażone zawierały po gotowaniu ok. czterokrotnie mniej skrobi opornej niż nieprażone. Wysoka zawartość dostępnych grup tiolowych w białkach ziarniaków gryki i produktach gryczanych, także po zastosowanej obróbce kulinarnej kasz, wskazuje na ich potencjalne właściwości funkcjonalne m.in. przeciwutleniające.
Because of the valuable composition of buckwheat grains, a wide range of products containing those grains appeared on the market. The processes applied during the processing of those grains and the thermal treatment of buckwheat products can cause changes in significant components, which affect their nutritional properties. The objective of the study was to investigate changes in the nutrients and the digestibility of starch caused by buckwheat grain processing, i.e. by the preparation of flakes and roasted and unroasted groats, and in the case of groats, additionally, the effects of culinary processing carried out in two ways. It was showed that, compared to grains, buckwheat flakes contained less minerals and less proteins, whereas in the groats, this dependence was reversed. The roasting process impacted the composition of boiled groats; they contained less mineral compounds in the form of ash, less fat and less protein than the boiled unroasted groats. The method of boiling in water (with or without pouring out) did not cause significant differences in the protein content in the two types of groats and in the fat content in roasted groats. Roasting caused the trypsin inhibitor activity to considerably decrease and the content of non-protein nitrogen in buckwheat groats to increase. As regards the buckwheat grains, the processes applied in the production of buckwheat flakes and buckwheat groats resulted in a significant reduction in the amount of slow-digested starch and resistant starch because constituents were removed that limited the starch digestion and because of the hydrothermal treatment that caused the starch to gelatinize. After boiling, roasted groats contained about four times less resistant starch than unroasted groats. A high content of available thiol groups in buckwheat grains and buckwheat products, also after culinary treatment of groats, indicates their potential functional properties, e.g. antioxidant properties.
Źródło:
Żywność Nauka Technologia Jakość; 2017, 24, 3
1425-6959
Pojawia się w:
Żywność Nauka Technologia Jakość
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Właściwości i strawność in vitro skrobi gryczanej w porównaniu ze skrobią pszenną
Properties and in vitro digestibility of buckwheat starch compared to wheat starch
Autorzy:
Piecyk, M.
Worobiej, E.
Turos, J.
Ostrowska-Ligeza, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/827478.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Technologów Żywności
Tematy:
maka gryczana
skrobia gryczana
skrobia pszenna
skrobia oporna
wartosc odzywcza
sklad chemiczny
wlasciwosci termiczne
pecznienie
rozpuszczalnosc amylozy
strawnosc
buckwheat flour
wheat starch
resistant starch
RS4 starch
swelling power
nutritional value
chemical composition
thermal property
baking
amylose solubility
digestibility
Opis:
Produkty z udziałem mąki gryczanej charakteryzują się dobrą wartością odżywczą i obecnością składników o działaniu prozdrowotnym, w tym niskim indeksem glikemicznym. Cechy te mogą być przydatne w projektowaniu nowych produktów z udziałem ziarniaków gryki. Celem pracy było porównanie wybranych właściwości wyizolowanej skrobi z gryki z właściwościami mąki gryczanej oraz skrobi pszennej. Wykazano, że ze względu na ponad 10-krotnie mniejszą wielkość ziarenek skrobi gryczanej w stosunku do skrobi pszennej ich właściwości znacznie się różnią, pomimo że obie mają ten sam typ struktury polimorficznej i podobną zawartość amylozy. Skrobia gryczana charakteryzowała się większą temperaturą i entalpią przemiany kleikowania niż skrobia pszenna. W przypadku mąki gryczanej obserwowano jeszcze większe wartości temperatury przemiany kleikowania oraz niskie wartości siły pęcznienia i zdolności rozpuszczania amylozy, co wynika prawdopodobnie z obecności białek na powierzchni ziarenek skrobi. Te właściwości wpłynęły na podatność skrobi na trawienie. Skrobia w mące gryczanej (surowej) charakteryzowała się dużym udziałem frakcji opornej (RS), ale po wyizolowaniu skrobi z mąki udział RS był znikomy – mniejszy niż w skrobi pszennej. Po gotowaniu udział skrobi szybko trawionej w mące i w wyizolowanej skrobi był na zbliżonym poziomie. Po skleikowaniu udział RS był większy w skrobi gryczanej niż w pszennej, co wskazuje na większą podatność tej skrobi na retrogradację.
Products containing buckwheat flour are characterized by a good nutritional value and pro-health substances contained therein as well as by a low glycemic index. Those features can be useful when designing new products containing buckwheat grains. The objective of the research study was to compare some selected properties of starch isolated from buckwheat with the features of buckwheat flour and wheat starch. It has been proved that, because the size of buckwheat starch granules is more than 10 times smaller than that of wheat starch, their properties vary widely, although the two starches have the same type of polymorphic structure and a similar content of amylose. The buckwheat starch had a higher gelatinization temperature and its enthalpy of gelatinization transition was higher than that of the wheat starch. In the case of the buckwheat flour, even higher values of gelatinization transition temperatures were recorded as were low values of swelling power and amylose leaching ability, which, likely, resulted from the presence of proteins on the surface of starch granules. Those properties affected the digestibility of starch. The starch in the buckwheat (raw) flour was characterized by a high content of resistant starch (RS); however, after it was isolated from the flour, the content of RS was insignificant and lower than that in the wheat starch. After cooking, the percentage contents of rapidly digested starch in the flour and in the isolated starch were at a similar level. After gelatinization, the content of RS was higher in the buckwheat than in the wheat starch; this fact indicated that the susceptibility of buckwheat starch to retrogradation was higher than that of the wheat starch.
Źródło:
Żywność Nauka Technologia Jakość; 2017, 24, 1
1425-6959
Pojawia się w:
Żywność Nauka Technologia Jakość
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Heterogeneous Amorphization of P and As Implanted GaAs at Low Temperatures
Autorzy:
Krynicki, J.
Rzewuski, H.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924215.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.80.Jh
61.70.Tm
Opis:
Amorphization of P and As implanted GaAs at liquid nitrogen temperature has been investigated. The post-implantation damage was measured by means of Rutherford Backscattering (RBS) He$\text{}^{+}$ channeling technique. The critical dose and critical energy densities for amorphization were determined. From the results obtained it is concluded that for both ions the amorphization process can be satisfactorily described by the heterogeneous model.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 871-875
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Caban, P.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
ZnO monocrystal
ion implantation
radiation defect analysis
wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
monokryształ ZnO
implantacja jonów
analiza defektów radiacyjnych
Opis:
High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza odkształceń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji
Analysis of crystal lattice deformations in the vicinity of dislocations
Autorzy:
Jóźwik, P.
Turos, A.
Jagielski, J.
Natarajan, S.
Nowicki, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192188.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
analiza defektów złożonych
kanałowanie jonów
symulacje Monte Carlo
complex defect analysis
ion channeling
Monte Carlo simulations
Opis:
W pracy opisano procedury symulacji Monte Carlo procesu rozpraszania wstecznego w kryształach zawierających dyslokacje. Sigmoidalny kształt ugiętych rzędów (płaszczyzn) atomowych można przybliżyć funkcją arctan, co stanowi model dystorsji sieci krystalicznej w pobliżu półpłaszczyzny dyslokacji krawędziowej. Badania strukturalne kryształów AlGaN i SrTiO3 za pomocą HRTEM pozwoliły wyznaczyć parametry geometryczne zaburzeń sieci krystalicznej w sąsiedztwie dyslokacji (kąt ugięcia w punkcie przegięcia funkcji arctan oraz odległość między jej asymptotami). Zależność każdego z tych parametrów od odległości od krawędzi dyslokacji można przybliżyć funkcją ekspotencjalnego zaniku i wyznaczyć współczynniki tej funkcji. Dane te zostały wykorzystane w symulacjach Monte Carlo widm rozpraszania wstecznego AlGaN oraz SrTiO3 i pozwoliły na ilościową parametryzację rozkładu dyslokacji w defektowanych kryształach.
A procedure of Monte Carlo simulation of a backscattering process in crystals containing dislocations was described in this publication. Sigmoidally bent atomic rows (planes) can be approximated by an arctan function being a model of the lattice distortion in the vicinity of a dislocation. HRTEM analysis of AlGaN and SrTiO3 crystals allowed determination of the geometrical parameters of crystalline structure distortion in the vicinity of a dislocation (a bending angle at the inflexion point of the arctan function as well as the distance between its asymptotes). A dependence of each of these parameters on the distance from a dislocation edge can be approximated by an exponential decay function. The parameters of this function can be calculated from the experimental data. The parameters obtained were used in Monte Carlo simulation of the backscattering process in AlGaN and SrTiO3 and enabled quantitative determination of the depth distribution of dislocations in defected crystals.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2015, T. 43, nr 2, 2; 18-26
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
X-ray Standing Waves and Rutherford backscattering Studies of the Structure of Si Single Crystals Implanted with Fe Ions
Autorzy:
Vartanyantz, I. A.
Auleytner, J.
Nowicki, L.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1945411.pdf
Data publikacji:
1996-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.10.-i
Opis:
The X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy in channelling geometry were applied for the investigation of the structure of silicon single crystals implanted with 80 keV Fe ions. Both methods were used for the determination of crystal damage and lattice location of implanted metal atoms before and after thermal annealing. Both methods gave consistent results regarding the amorphization of Si due to the Fe-ion implantation. Moreover, using both methods some Fe substitution fraction was determined. The depth profiles of implanted atoms were compared to the results of computer simulations. Complementary use of X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy channelling techniques for studies of radiation damage and lattice location of implanted atoms is discussed.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 5-6; 625-633
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ profilu interfejsów i zaburzeń grubości warstw w zwierciadłach Bragga na ich własności optyczne
Effects of composition grading at heterointefaces and variations in thickness of layers on Bragg Mirror quality
Autorzy:
Gaca, J.
Mazur, K.
Turos, A.
Wesołowski, M.
Wójcik, M.
Jasik, A.
Muszalski, J.
Pierściński, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192359.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
DBR
HRXRD
XRR
reflektometria optyczna
optical reflectivity
Opis:
Supersieci GaAs/AlAs i AlGaAs/AlAs przeznaczone do wykorzystania jako zwierciadła Bragga otrzymano zarówno metodą epitaksji z wiązek molekularnych MBE, jak i epitaksji z fazy gazowej z użyciem związków metaloorganicznych LP MOVPE. Supersieci te różniły się między sobą grubościami warstw, liczbą powtórzeń warstwy podwójnej (Al)GaAs/AlAs, jak i warunkami technologicznymi w których je wytwarzano. Dla każdej supersieci wyznaczono jej profil składu chemicznego, wykorzystując do tego celu wysokorozdzielczą dyfraktometrię rentgenowską (HRXRD), reflektometrię rentgenowską (XRR) oraz metodę wstecznego rozpraszania jonów (RBS), wspomagane analizą numeryczną. Szczególną uwagę zwracano na profil interfejsów pomiędzy warstwami i odstępstwa od zakładanej grubości warstw. Następnie stosując spektroskopię odbiciową dla każdej supersieci zmierzono spektralną zależność współczynnika odbicia. Pokazano zależność pomiędzy profilem składu chemicznego a zdolnością odbicia tych supersieci. Zidentyfikowano odstępstwa od typowej struktury zwierciadeł Bragga, którą stanowi supersieć o prostokątnym kształcie profilu składu chemicznego i zbadano ich wpływ na zdolność odbiciową tych zwierciadeł.
GaAs/AlAs, and AlGaAs/AlAs superlattices to be used as Bragg mirrors have been grown by means of Molecular Beam Epitaxy (MBE) or Low-Pressure Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy (LP MOVPE) techniques. These superlattices have differed in terms of: the thickness of layers, the number of periods, and growth conditions. The chemical composition profile for each superlattice has been determined by means of High Resolution X-ray Diffraction (HRXRD), X-ray Reflectometry (XRR), as well as RBS characterization techniques, and at the same time a numerical analysis has been performed. Special attention has been paid to the profile of interfaces between succeeding layers and variations in the thickness of layers. Next, Optical Reflectance (OR) has been applied to measure the reflectivity spectra for each sample. It has been shown that there is a strong correlation between the optical reflectivity of DBR mirrors and their chemical composition profile and structural quality. A departure from the designed structure of the DBR has been identified and its influence on the DBR’s reflectivity has been determined.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 1, 1; 17-32
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie heterostruktur związków AIIIN zawierających warstwy ultracienkie
The investigation of heterostructures based on AIIIN compounds with ultra thin crystalline layers
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Borysiuk, J.
Pathak, A. P.
Sathish, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192320.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
heterostruktura
AIIIN
warstwa buforowa
XRD
heterostructure
buffer layer
Opis:
Niedopasowanie sieciowe pomiędzy szafirowym podłożem i warstwą epitaksjalną GaN prowadzi do powstawania naprężeń i dyslokacji niedopasowania. Jest ono także główną przyczyną trudności, na jakie napotyka wzrost epitaksjalny warstw związków AIIIN. Próby rozwiązania tego problemu polegają m.in. na stosowaniu warstwy buforowej [1-3]. Niekiedy może ona zawierać supersieć o bardzo krótkiej fali modulacji składu chemicznego, która obniża gęstość dyslokacji, a także poprawia strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej [4-5]. W artykule prezentowane są wyniki badań systemów epitaksjalnych związków AIIIN, odkładanych na podłożu szafirowym o orientacji 001, dotyczące struktury warstw AlN, AlGaN oraz GaN o bardzo małej grubości, a także cech budowy krystalicznej warstwy buforowej i jej wpływu na wzrost i strukturę docelowej warstwy epitaksjalnej GaN.
The lattice misfit between Al2O3 substrate and epitaxial GaN layer generates stresses and numerous misfit dislocations. This leads to difficulties in the epitaxial growth of the GaN layer. The attempts to resolve this growth problems consist in employing the buffer layer with the ultra thin period AlGaN/GaN superlattice. This superlattice is expected to reduce the dislocations density and improve the structure of epitaxial GaN layer. In this work we present the results of the investigation of the structure of AlGaN/GaN superlattice used as a buffer layer on the crystalline and chemical order of the extremely thin AlN, GaN and AlGaN layers
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 61-84
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Pomiar długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni płytek Si za pomocą HR XRR
Measurement of long range surface flatness deviation of Si wafers by means of HR XRR method
Autorzy:
Mazur, K.
Sass, J.
Surma, B.
Piątkowski, B.
Wnuk, A.
Gładki, A.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192401.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
płytka Si
reflektrometria rentgenowska
Si wafers
X-Ray reflectrometry
Opis:
Opracowano metodę oszacowania stopnia długozasięgowego odchylenia od płaskości powierzchni za pomocą rentgenowskiej metody reflektometrycznej XRR w układzie niezwierciadlanym (non - specular). Otrzymane wyniki dla ośmiu płytek krzemowych o zróżnicowanej grubości porównano z wynikami uzyskanymi za pomocą innych metod: (1) optycznej (w przypadku próbek grubości < 200 μm), (2) z wykorzystaniem stykowego miernika grubości (TSK) (dla próbek o grubości > 200 μm). Pomimo różnych założeń dla porównywanych metod uzyskano wystarczająco dobrą zgodność wyników co świadczy o użyteczności opracowanej metody.
The adaptation of the non-specular X-ray reflectivity method to control the long range random deviation of the surface flatness were done. The results obtained for eight Si samples were compared with the ones obtained (1) by optical method (for the samples < 200 μm in thickness), (2) by contact thickness gage (TSK) measurements, (for samples > 200 m in thickness). Despite of the rather rough assumptions made for compared methods, a sufficiently good conformity has been obtained. This is important conclusion confirms the usefulness of the proposed X-ray method
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 5-22
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Azotek krzemu stosowany w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP
Silicon nitride for InP based planar photodiode applications
Autorzy:
Zynek, J.
Hejduk, K.
Klima, K.
Możdżonek, M.
Stonert, A.
Turos, A.
Rzodkiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192312.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
azotek krzemu
PECVD
fotodioda planarna
InP
silicon nitride
planar photodiode
Opis:
Przeprowadzono badania warstw azotku krzemu osadzonych na płytkach z fosforku indu metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Yapor Deposition) z wykorzystaniem do wytwarzania plazmy dwóch generatorów pracujących na różnych częstotliwościach. Celem badań było ustalenie warunków wytwarzania warstw azotku krzemu stosowanych w technologii planarnych fotodiod wykonanych na bazie InP, w których obszarem absorpcyjnym są studnie kwantowe z InxGa1-xAs. Warstwy azotku krzemu były osadzane w temperaturach pomiędzy 250°C i 300°C. Podstawą do oceny wytworzonych warstw były wyniki badań: ich składu chemicznego, struktury, współczynnika załamania, poziomu naprężeń, rezystywności, wytrzymałości dielektrycznej, stałej dielektrycznej i efektywnej gęstości powierzchniowej ładunków elektrycznych. Stwierdzono, że warstwy osadzane w temperaturze 250°C mają najlepszą strukturę, dobrze spełniają rolę maski w procesie selektywnej dyfuzji cynku, a właściwości elektryczne umożliwiają wykorzystanie ich do pasywacji powierzchni bocznych złącz p-n, pod warunkiem zastosowania odpowiedniego cyklu wygrzewań po procesie osadzania.
Silicon nitride films, deposited on InP wafers by the PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method, have been investigated in terms of their applicability in the technology of InP based planar photodiodes with the InxGa1-xAs quantum well absorption region. In order to compensate the mechanical stress in the films, the plasma was excited by two radio-frequency sources operating at frequencies of 13,56 MHz and 100 kHz. The films were deposited at different temperatures in the range of 250 - 300°C. The chemical composition of all examined films, determined by the RBS (Rutherford Backscattering Spectrometry) method, is very close to that of stoichiometric Si3N4. The films contain a large amount of hydrogen. The hydrogen content, evaluated by the NRA (Nuclear Reactions Analysis) technique, exceeds 30 %. The silicon nitride films deposited at 300°C have grown much faster on InP wafers than on Si wafers placed beside these and the structure of both films is different. As the films deposited on Si are amorphous with smooth surfaces, the films deposited on InP are heterogeneous with rough surfaces. These last ones exhibit lower Si-N bond concentration, lower refractive index, higher extinction coefficient, lower resistivity and lower dielectric breakdown strength than the films deposited on silicon. Deterioration of the film quality is caused probably by the reaction of phosphorus, released from the InP substrate at the beginning of the deposition process, with deposited SiNx:H. Such films should not be used in the fabrication of InP based planar photodiodes. When the deposition temperature decreases, the properties of silicon nitride films improve. Their structure becomes more homogeneous and the Si-N bond concentration increases. The silicon nitride films deposited on InP at 250°C have the same amorphous structure and the same Si-N bond concentration, determined from FTIR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy) absorption characteristics, as the films deposited on silicon. They exhibit the highest refractive index, the lowest extinction coefficient, the highest resistivity and the highest dielectric breakdown strength. These films are continuous, they do not crack during thermal processes and they can be applied as masking layers for the selective Zn diffusion used to form the p-n junctions. Unfortunately the films deposited at 250°C have the highest hydrogen content and the highest effective charge density. These films cannot be applied directly to passivate the p-n junction side surfaces. Measurements of hydrogen depth profiles and of FTIR absorption characteristics have revealed that the amount of hydrogen and of Si-N, Si-H and N-H bonds changed during annealing. An analysis of C-V characteristics of Al/Si3N4:H/InP MIS capacitors containing these films has shown, that annealing of the Si3N4:H films reduced the electronic defect state density at the Si3N4:H/InP interface. It is possible to take advantage of the thermal instability of silicon nitrides deposited by the PECVD method and to reduce the trap state density and the effective charge density by proper annealing processes. These investigations have enabled us to achieve reverse current values as low as 4 - 15 pA at the voltage of - 5 V and 200 - 500 pA at the voltage of -50 V for planar InP diodes with the 320 um diameter p-n junction. A high yield of 90 % is obtained. These results make a good base for development of planar photodiodes with InxGa1-xAs quantum wells inserted into the depletion region of the InP p-n junction.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 95-113
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksje GaN
The influence of the 4H-SiC substrats etching on GaN epitaxy
Autorzy:
Caban, P.
Kościewicz, K.
Strupiński, W.
Pągowska, K.
Ratajczak, R.
Wójcik, M.
Gaca, J.
Turos, A.
Szmidt, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192222.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
LP MOVPE
GaN
4H-SiC
Opis:
Przedstawiono wyniki prób osadzania azotku galu na podłożach z węglika krzemu w technologii epitaksji ze związków metalorganicznych w fazie pary w obniżonym ciśnieniu (LP MOVPE). W szczególności zbadano wpływ trawienia podłoży oraz ich odchylenia od osi (0001) na morfologię powierzchni oraz strukturę krystalograficzną osadzanego GaN. Stwierdzono, że trawienie podłoży ma wpływ na chropowatość powierzchni warstw epitaksjalnych, ale również poprawia strukturę krystalograficzną. Warstwy GaN zostały scharakteryzowane przy wykorzystaniu pomiarów AFM, HRXRD, RBS oraz pomiaru efektu Hall'a. Zaobserwowano, że najbardziej odpowiednim z analizowanych podłoży do epitaksji GaN jest 4H-SJC są te, które nie mają odchylenia od osi kryształu (0001).
The influence of surface preparation and off-cut of 4H-SiC substrates on morphological and structural properties of GaN grown by low pressure metalorganic vapour phase epitaxy was studied. Substrate etching has an impact on the surface roughness of epilayers and improves its crystal quality. The GaN layers were characterized by AFM, HRXRD, RBS/channelling and Hall effect measurements. It was observed that on-axis 4H-SiC is most suitable for GaN epitaxy and that substrate etching improves the surface morphology of epilayer.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 4, 4; 5-16
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badanie odkształceń sieci krystalicznej w implantowanej warstwie epitaksjalnej GaN osadzonej metodą MOCVD na podłożu szafirowym o orientacji [001]
Lattice strain study in implanted GaN epitaxial layer deposited by means of MOCVD technique on [001] oriented sapphire substrate
Autorzy:
Wójcik, M.
Gaca, J.
Wierzbicka, E.
Turos, A.
Strupiński, W.
Caban, P.
Sathish, N.
Pągowska, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192129.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
HRXRD
implementacja jonowa
dyfrakcja
ion implantation
diffraction
Opis:
W pracy zbadano warstwy epitaksjalne GaN o grubości 1000 nm implantowane jonami Ar++ w zakresie dawek od 7 ⋅ 1013 cm-2 do 1 ⋅ 1015 cm-2. Wyznaczono zakres proporcjonalności pomiędzy dawką a średnią zmianą odległości pomiędzy płaszczyznami równoległymi do powierzchni swobodnej implantowanego kryształu GaN. Wyznaczono korelację pomiędzy wielkością dawki jonów a rozkładem odkształceń sieci krystalicznej występujących w kierunku [001] w warstwie epitaksjalnej. Stwierdzono, że odkształcane są płaszczyzny sieciowe równolegle do interfejsu, a komórka elementarna warstwy implantowanej ulega tetragonalizacji.
In the present work 1000 nm epitaxial GaN layer implanted with Ar++ ions in the dose range from 7 ⋅ 1013 cm-2 to 1 ⋅ 1015 cm-2 was investigated. The range of linearity between dose and the average change of interplanar spacing of planes parallel to the surface of the implanted GaN crystal was determined. It was found a correlation between the distribution of displaced atoms and lattice deformation occurring in the [001] direction in the epitaxial layer. It was also observed the tetragonalization of unit cell due to implantation.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2011, T. 39, nr 4, 4; 22-31
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 16

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies