Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Turos, J." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Heterogeneous Amorphization of P and As Implanted GaAs at Low Temperatures
    Autorzy:
    Krynicki, J.
    Rzewuski, H.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1924215.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.80.Jh
    61.70.Tm
    Opis:
    Amorphization of P and As implanted GaAs at liquid nitrogen temperature has been investigated. The post-implantation damage was measured by means of Rutherford Backscattering (RBS) He$\text{}^{+}$ channeling technique. The critical dose and critical energy densities for amorphization were determined. From the results obtained it is concluded that for both ions the amorphization process can be satisfactorily described by the heterogeneous model.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 871-875
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    HRXRD study of ZnO single crystals bombarded with Ar ions
    Badanie metodami wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej monokryształów ZnO bombardowanych jonami Ar
    Autorzy:
    Wójcik, M.
    Gaca, J.
    Caban, P.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192341.pdf
    Data publikacji:
    2016
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    HRXRD
    ZnO monocrystal
    ion implantation
    radiation defect analysis
    wysokorozdzielcza dyfrakcja rentgenowska
    monokryształ ZnO
    implantacja jonów
    analiza defektów radiacyjnych
    Opis:
    High resolution X-ray diffraction methods (HRXRD) were used to study the tetragonalization of a unit cell in a zinc oxide single crystal resulting from the Ar-ion bombardment. Bulk ZnO (00∙1) single crystals were bombarded with ions with the energy of 300 keV and a dose range between 1 x 1014 cm-2 and 4 x 1016 cm-2. Diffraction profiles, obtained by radial 2Theta/Omega scans in the vicinity of the 00∙4 ZnO reciprocal space node were measured and fitted to the curves calculated by means of a computer program based on the Darwin’s dynamical theory of X-ray diffraction. On the basis of these numerical simulations, the profile of the interplanar spacing between planes perpendicular to the c axis of the ZnO single crystal were determined as a function of the Ar ion dose. It was found that positive deformation parallel to the c-axis appeared for the low doses in the bombarded crystal volume. When the dose is increased this deformation gets ronounced, and after reaching a certain critical value, it becomes saturated. This observation leads to the conclusion that the plastic deformation appears in the implanted volume of the crystal.
    Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej (HRXRD) badano tetragonalizację komórki elementarnej monokryształu tlenku cynku powstałą pod wpływem bombardowania jonami Ar. Objętościowe monokryształy ZnO o orientacji (00∙1) były bombardowane jonami o energii 300 keV, w przedziale dawek od 1 x 1014 cm-2 do 4 x 1016 cm-2. Zarejestrowano profile dyfrakcyjne otrzymane metodą radialnego skanowania 2Teta/Omega, w otoczeniu węzła 00∙4, sieci odwrotnej ZnO i w oparciu o założenia dynamicznej teorii dyfrakcji promieniowania rentgenowskiego w ujęciu Darwina, wykonano ich symulacje numeryczne. Na tej podstawie określono, w zależności od dawki, profil zmiany odległości płaszczyzn prostopadłych do osi c monokryształu ZnO. Stwierdzono, że dla niskich dawek, w ściśle określonej objętości kryształu, powstaje dodatnie odkształcenie równoległe do osi c, wraz ze wzrostem dawki jonów to odkształcenie wzrasta, a po osiągnięciu pewnej krytycznej wartości ulega nasyceniu. To prowadzi do wniosku, że w implantowanej objętości kryształu powstaje wówczas odkształcenie plastyczne.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2016, T. 44, nr 3, 3; 9-16
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    X-ray Standing Waves and Rutherford backscattering Studies of the Structure of Si Single Crystals Implanted with Fe Ions
    Autorzy:
    Vartanyantz, I. A.
    Auleytner, J.
    Nowicki, L.
    Kwiatkowski, S.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1945411.pdf
    Data publikacji:
    1996-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.10.-i
    Opis:
    The X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy in channelling geometry were applied for the investigation of the structure of silicon single crystals implanted with 80 keV Fe ions. Both methods were used for the determination of crystal damage and lattice location of implanted metal atoms before and after thermal annealing. Both methods gave consistent results regarding the amorphization of Si due to the Fe-ion implantation. Moreover, using both methods some Fe substitution fraction was determined. The depth profiles of implanted atoms were compared to the results of computer simulations. Complementary use of X-ray standing wave and Rutherford backscattering spectroscopy channelling techniques for studies of radiation damage and lattice location of implanted atoms is discussed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 89, 5-6; 625-633
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
    Autorzy:
    Piotrowska, A.
    Kamińska, E.
    Guziewicz, M.
    Adamczewska, J.
    Kwiatkowski, S.
    Turos, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
    Data publikacji:
    1992-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.40.Ns
    Opis:
    Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis of Crystal Lattice Deformation by Ion Channeling
    Autorzy:
    Jóźwik, P.
    Sathish, N.
    Nowicki, L.
    Jagielski, J.
    Turos, A.
    Kovarik, L.
    Arey, B.
    Shutthanandan, S.
    Jiang, W.
    Dyczewski, J.
    Barcz, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400434.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.85.+p
    68.55.Ln
    02.70.Uu
    68.37.Og
    Opis:
    A model of dislocations has been developed for the use in Monte Carlo simulations of ion channeling spectra obtained for defected crystals. High resolution transmission electron microscopy micrographs show that the dominant type of defects in the majority of ion irradiated crystals are dislocations. The RBS/channeling spectrum is then composed of two components: one is due to direct scattering on randomly displaced atoms and the second one is related to beam defocussing on dislocations, which produce predominantly crystal lattice distortions, i.e. bent channels. In order to provide a correct analysis of backscattering spectra for the crystals containing dislocations we have modified the existing Monte Carlo simulation code "McChasy". A new version of the code has been developed by implementing dislocations on the basis of the Peierls-Nabarro model. Parameters of the model have been determined from the high resolution transmission electron microscopy data. The newly developed method has been used to study the Ar-ion bombarded $SrTiO_3$ samples. The best fit to the Rutherford backscattering/channeling spectra has been obtained by optimizing the linear combination of two kinds of defects: displaced atoms and bent channels. The great virtue of the Monte Carlo simulation is that unlike a traditional dechanneling analysis it allows quantitative analysis of crystals containing a mixture of different types of defects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 828-830
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies