- Tytuł:
-
Covering glass microspheres with Al2O3 or Aln by low-temperature atomic layer deposition
Pokrywanie mikrosfer szklanych Al2O3 lub AlN metodą niskotemperaturowego osadzania warstw atomowych - Autorzy:
-
Stankiewicz, R.
Piątkowska, A. - Powiązania:
- https://bibliotekanauki.pl/articles/192240.pdf
- Data publikacji:
- 2018
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
ALD
EDS
dielectric layers
glass microspheres
warstwy dielektryczne
mikrosfery szklane - Opis:
-
Thin layers of Al2O3 and AlN were deposited on the surface of borosilicate glass microspheres in an ALD reactor at 50 and 150°C, respectively. They were imaged by SEM microscopy. X-ray EDS spectroscopy was used to assess chemical composition but it was also the basis for a thickness determination method. Al2O3 layers between 20 and 100 nm were obtained, with a constant growth rate of 1.2 Å per deposition cycle. AlN formed continuous but always very thin films on the spheres, generally 5 to 10 nm, even if it was growing much thicker on control glass slides, at 0.8 Å per cycle.
W reaktorze ALD osadzano cienkie warstwy Al2O3 i AlN na mikrosferach ze szkła borokrzemowego w temperaturach odpowiednio 50 i 150°c. obrazowano je przy pomocy skaningowego mikroskopu elektronowego. spektroskopia rentgenowska EDs była wykorzystywana do badania składu chemicznego, ale stanowiła także podstawę dla metody wyznaczania grubości warstw. otrzymano warstwy Al2O3 o grubościach od 20 do 100 nm przy stałej szybkości wzrostu 1,2 Å/cykl. AlN tworzył natomiast ciągłe, lecz zawsze bardzo cienkie warstwy (zwykle 5 do 10 nm), mimo że na kontrolnych płytkach szklanych uzyskiwano znacznie większe grubości, a szybkość wzrostu wynosiła 0,8 Å/cykl. - Źródło:
-
Materiały Elektroniczne; 2018, T.46, nr 1-4, 1-4; 8-15
0209-0058 - Pojawia się w:
- Materiały Elektroniczne
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł