Covering glass microspheres with Al2O3 or Aln by low-temperature atomic layer deposition Pokrywanie mikrosfer szklanych Al2O3 lub AlN metodą niskotemperaturowego osadzania warstw atomowych
Thin layers of Al2O3 and AlN were deposited on the surface of borosilicate glass microspheres in an ALD reactor at 50 and 150°C, respectively. They were imaged by SEM microscopy. X-ray EDS spectroscopy was used to assess chemical composition but it was also the basis for a thickness determination method. Al2O3 layers between 20 and 100 nm were obtained, with a constant growth rate of 1.2 Å per deposition cycle. AlN formed continuous but always very thin films on the spheres, generally 5 to 10 nm, even if it was growing much thicker on control glass slides, at 0.8 Å per cycle.
W reaktorze ALD osadzano cienkie warstwy Al2O3 i AlN na mikrosferach ze szkła borokrzemowego w temperaturach odpowiednio 50 i 150°c. obrazowano je przy pomocy skaningowego mikroskopu elektronowego. spektroskopia rentgenowska EDs była wykorzystywana do badania składu chemicznego, ale stanowiła także podstawę dla metody wyznaczania grubości warstw. otrzymano warstwy Al2O3 o grubościach od 20 do 100 nm przy stałej szybkości wzrostu 1,2 Å/cykl. AlN tworzył natomiast ciągłe, lecz zawsze bardzo cienkie warstwy (zwykle 5 do 10 nm), mimo że na kontrolnych płytkach szklanych uzyskiwano znacznie większe grubości, a szybkość wzrostu wynosiła 0,8 Å/cykl.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00