Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Kołtunowicz, T. N." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    The monitoring of oil distribution transformers in laboratory conditions
    Monitoring rozdzielczych transformatorów olejowych w warunkach laboratoryjnych
    Autorzy:
    Gutten, M.
    Korenčiak, D.
    Jurčik, J.
    Kołtunowicz, T. N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/156829.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
    Tematy:
    olej transformatorowy
    czujnik gazu i wody
    chromatografia
    monitoring
    oil transformer
    gas and moisture sensor
    chromatography
    Opis:
    The paper deals with physical fundamentals of monitoring the high-voltage oil transformer 22/0,4 kV by gas- and moisture-in-oil sensors, optical temperature sensors and an electric quantities analyser.
    W artykule omówiono fizyczne podstawy monitorowania olejowych wysokonapięciowych transformatorów 22/0,4 kV przy pomocy analizatora zawartości wilgoci gazów w oleju, optycznych czujników temperatury oraz analizatora wielkości elektrycznych. Stwierdzono, że ze wzrostem stopnia zawilgocenia oleju w czasie pracy transformatora następują zmiany takich podstawowych jego właściwości jak napięcie przebicia, współczynnik strat dielektrycznych oraz rezystywność. Naprężenia elektryczne i termiczne skutkują powstawaniem w oleju szeregu gazów, które można wykorzystać do wczesnej diagnozy powstających uszkodzeń urządzenia elektrycznego. Uszkodzenia takie mogą powstawać w różnym tempie, dlatego optymalna do ich detekcji jest diagnostyka on-line. W tym celu kanadyjska firma GE Energy Services opracowała przyrząd Hydran umożliwiający analizę parametrów oleju. W artykule przedstawiono przykład praktycznego wykorzystania tego miernika, który wraz z pomiarami termowizyjnymi wykorzystano do monitorowania transformatora w laboratorium. Zaobserwowano, że w zależności od obciążenia następują zmiany zawartości wody w oleju transformatorowym. Podczas takiego procesu właściwości oleju pogarszały się.
    Źródło:
    Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 2, 2; 116-119
    0032-4140
    Pojawia się w:
    Pomiary Automatyka Kontrola
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Maintenance diagnostics of transformers considering the influence of short-circuit currents during operation
    Eksploatacyjne diagnostyki transformatorów uwzględniające prądy zwarcia podczas pracy
    Autorzy:
    Gutten, M.
    Korenciak, D.
    Kucera, M.
    Sebok, M.
    Opielak, M.
    Zukowski, P.
    Koltunowicz, T. N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/301215.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
    Tematy:
    transformator
    diagnostyka
    diagnostyczny system
    uzwojenia transformatora
    metoda częstotliwościowa
    transformer
    diagnostic
    diagnostic system
    transformer windings
    frequency method
    Opis:
    Article presents theoretical, simulation and experimental analyses of possible effect of short-circuit forces on the transformer windings. The first part of the article is focused to the establishment and activity radial and axial forces during short circuit. It shows dimensions, direction and of course caused mechanical stress. Equation shows basic dependencies of these mechanical forces created in the transformer windings. The last part of the article is focused on the simulation method which shows the mechanical stress caused by the short-circuit currents on transformer. The paper presents experimental methods of diagnostics for analysis of the short circuit on transformer windings.
    Artykuł przedstawia teoretyczną, symulacyjną i doświadczalną analizę ewentualnych wpływów prądów zwarciowych na uzwojenia transformatorów. Pierwsza część artykułu koncentruje się na powstaniu i działaniu promieniowych i osiowych sił podczas zwarcia. Przedstawia rozmiary, kierunek i oczywiście powstałe naprężenia mechaniczne. Równanie pokazuje podstawowe zależności sił mechanicznych powstałych w uzwojeniach transformatora. Ostatnia część pracy dotyczy metody symulacji, która przedstawia naprężenia mechaniczne spowodowane przez prądy zwarciowe na transformatorze. Artykuł przedstawia eksperymentalne metody diagnostyki do analizy wpływu zwarcia na uzwojenia transformatora.
    Źródło:
    Eksploatacja i Niezawodność; 2017, 19, 3; 459-466
    1507-2711
    Pojawia się w:
    Eksploatacja i Niezawodność
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Formation of Cone-Shaped Inclusions and Line Defects on the Cz-Si Wafer Surface by the Helium Implantation and DC Nitrogen Plasma Treatment
    Autorzy:
    Frantskevich, N.
    Mazanik, A.
    Frantskevich, A.
    Kołtunowicz, T.
    Żukowski, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503982.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.72.uf
    73.20.Hb
    Opis:
    The general goal of this work is to investigate the defects formed on the surface of the Cz-Si wafers subjected to helium implantation, vacuum annealing and nitrogen plasma treatment. The performed scanning electron microscopy study has shown that in the general case two types of surface defects can be formed: cone-shaped inclusions with the base diameter of 0.2-2 μm and the ratio of diameter to height of approximately 1:1, as well as crystallographically oriented line defects with the length equal to 0.2-2 μm. The concentration of these defects depends on the conditions of implantation and plasma treatment.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 105-107
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Admittance and Permittivity in Doped Layered $TlGaSe_2$ Single Crystals
    Autorzy:
    Dawood, S.
    Fedotov, A.
    Mammadov, T.
    Zukowski, P.
    Koltunowicz, T.
    Saad, A.
    Drozdov, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1365735.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.61.Ey
    84.37.+q
    64.70.Nd
    Opis:
    In doped $TlGaSe_2$ crystals the phase transitions at low temperatures (100-170 K) were observed using admittance and dielectric spectroscopy in a temperature range of 80-320 K. The admittance and permittivity measurements in the studied samples indicated that after Fe or Tb doping by impurities with concentrations $N_\text{imp}$ < 0.5 at.% nonequilibrium electronic phase transition is observed. Doping with $N_\text{imp}$ > 0.5 at.% resulted in full suppression of this phase transition presence.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1267-1270
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effects of Fluences of Irradiation with 107 MeV Krypton Ions on the Recovery Charge of Silicon $p^{+}n$-Diodes
    Autorzy:
    Poklonski, N.
    Gorbachuk, N.
    Tarasik, M.
    Shpakovski, S.
    Filipenia, V.
    Skuratov, V.
    Wieck, A.
    Kołtunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503994.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    61.80.Fe
    Opis:
    The diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Krypton ions are implanted to the side of the $p^{+}$-region of diodes (energy 107 MeV, fluence Φp from 5 × $10^7$ to 4 × $10^9 cm^{-2}$). It is shown that recovery charge $Q_{rr}$ is inversely proportional to the square root of the irradiation fluence value Φp. When the fluence increases, the part of the recovery charge Q_{rrA}, due to the high reverse conductance phase, decreases faster than the value $Q_{rr}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 111-114
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodes
    Autorzy:
    Poklonski, N.
    Gorbachuk, N.
    Nha, Vo
    Shpakovski, S.
    Filipenya, V.
    Skuratov, V.
    Kołtunowicz, T.
    Kukharchyk, N.
    Becker, H.
    Wieck, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402222.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    61.80.Fe
    Opis:
    Silicon diodes irradiated with helium ions with energies of 4.1, 6.8 and 8.9 MeV are studied. It is shown that the mechanism determining the behaviour of frequency dependence of complex electric module and correspondingly the behavior of impedance of diodes irradiated with helium ions in the frequency region 3-200 kHz is a recharging of vacancy complexes localized in the space charge region.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 891-893
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Current-Voltage Characteristic Features of Diodes Irradiated with 170~MeV Xenon Ions
    Autorzy:
    Poklonski, N.
    Gorbachuk, N.
    Nha, Vo
    Tarasik, M.
    Shpakovski, S.
    Filipenia, V.
    Skuratov, V.
    Wieck, A.
    Kołtunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400481.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    61.80.Fe
    Opis:
    Diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Xenon ions were implanted into the diodes from the side of the $p^{+}$-region (implantation energy 170 MeV, fluence Φp from $5 \times 10^7$ to $10^9 cm^{-2}$). It is shown that the formation of a continuous irradiation damaged layer with the thickness of the order of magnitude of the average projective range creates prerequisites for the negative differential resistance in the current-voltage characteristics of the irradiated diodes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 926-928
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies