Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Grodecki, W." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-8 z 8
    Tytuł:
    CVD Growth of Graphene Stacks on 4H-SiC (0001) Surface - X-ray Diffraction and Raman Spectroscopy Study
    Autorzy:
    Tokarczyk, M.
    Kowalski, G.
    Grodecki, K.
    Urban, J.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1399073.pdf
    Data publikacji:
    2013-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.48.Gh
    61.72.Dd
    63.22.Rc
    Opis:
    Features associated with short and prolonged growth time in the chemical vapor deposition process of growth of graphene stacks on SiC (0001) substrate are reported. In particular general bimodal (as far as $d_{002}$ interlayer spacing is concerned) distribution of graphene species across the surface of the samples is observed. It consists of thin few layer graphene coverage of most of the sample surface accompanied by thick graphite-like island distribution. It points to the two independent channels of graphene stacks growth with two characteristic growth rates.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 768-771
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Comparison of CVD graphene grown on copper foil and PVD copper
    Porównanie własności grafenu otrzymanego metodą CVD na folii miedzianej oraz warstwie PVD miedzi
    Autorzy:
    Pasternak, I.
    Grodecki, K.
    Piątkowska, A.
    Ciuk, T.
    Caban, P.
    Strupiński, W.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192272.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    graphene on copper foils
    PVD copper films
    grain boundaries
    Raman spectroscopy
    grafen na folii miedzianej
    warstwy PVD miedzi
    granice ziaren
    spektroskopia ramanowska
    Opis:
    Graphene synthesis by the CVD method performed on the surface of copper is one of the most promising techniques for producing graphene for low cost and large scale applications. Currently, the most commonly used Cu substrate for graphene growth is foil, however, there is still a need to find new substrates and improve the quality of graphene layers. Sputtered Cu films on insulating substrates are considered as an alternative. Here we show the properties of graphene grown by the CVD method on thin copper foil and PVD copper films on Si/SiO2 substrates. We compare data on the properties of graphene films transferred from different copper substrates onto SiO2/Si substrates. We note that graphene grown on sputtered Cu films creates a multilayer form on the boundaries which can be identified on micro-Raman maps and in SEM images.
    Wytwarzanie grafenu metodą CVD na podłożach miedzianych jest jedną z najbardziej perspektywicznych metod otrzymywania grafenu ze względu na niski koszt podłoża oraz szerokie możliwości zastosowania w przemyśle. Obecnie najczęściej stosowanym do wzrostu grafenu podłożem miedzianym jest folia, jednakże ciągle istnieje potrzeba znalezienia nowego podłoża tak by poprawić jakość warstw grafenu. Jako alternatywę rozważa się cienkie warstwy miedzi wytwarzane metodami PVD osadzane na nieprzewodzącym podłożu. W niniejszym artykule przedstawiamy własności grafenu wytwarzanego metodą CVD na cienkiej folii miedzianej oraz na warstwach miedzi osadzonych na Si/SiO2. Porównujemy także wyniki otrzymane dla przeniesionych warstw grafenu z obu rodzajów próbek.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2013, T. 41, nr 2, 2; 26-33
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Theoretical Simulation of a Room Temperature HgCdTe Long-Wave Detector for Fast Response - Operating Under Zero Bias Conditions
    Autorzy:
    Martyniuk, P.
    Kopytko, M.
    Madejczyk, P.
    Henig, A.
    Grodecki, K.
    Gawron, W.
    Rutkowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221111.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    response time
    unbiased condition
    HgCdTe
    LWIR
    higher operating temperature
    Opis:
    The paper reports on a long-wave infrared (cut-off wavelength ~ 9 μm) HgCdTe detector operating under nbiased condition and room temperature (300 K) for both short response time and high detectivity operation. The ptimal structure in terms of the response time and detectivity versus device architecture was shown. The response time of the long-wave (active layer Cd composition, xCd = 0.19) HgCdTe detector for 300 K was calculated at a level of τs ~ 1 ns for zero bias condition, while the detectivity - at a level of D* ~ 109 cmHz1/2/W assuming immersion. It was presented that parameters of the active layer and P+ barrier layer play a critical role in order to reach τs ≤ 1 ns. An extra series resistance related to the processing (RS+ in a range 5-10 Ω) increased the response time more than two times (τs ~ 2.3 ns).
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 4; 729-738
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Piezospectroscopy of Phonons in Bulk 6H-SiC
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Wysmołek, A.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J.
    Hofman, W.
    Tymicki, E.
    Grasza, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791360.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    62.50.-p
    42.65.Dr
    63.20.-e
    78.30.-j
    Opis:
    Raman piezospectroscopy of high quality 6H-SiC crystals is presented. The crystals used in experiments were grown by the seeded physical vapor transport method. Uniaxial stress up to 0.9 MPa, obtained using a spring apparatus, was applied along [11-20] and [10-10] directions. It was found that the application of uniaxial stress led to different energy shifts of the observed phonon excitations in the investigated 6H-SiC crystals. The obtained pressure coefficients vary in the range 0.98-5.5 $cm^{-1}$ $GPa^{-1}$ for different transverse optical phonon modes. For longitudinal optic phonon modes pressure coefficients in the range 1.6-3.6 $cm^{-1}$ $GPa^{-1}$ were found. The data obtained could be useful in evaluation of local strain fields in SiC based structures and devices including epitaxial graphene.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 947-949
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Raman Studies of Defects in Graphene Grown on SiC
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Bożek, R.
    Borysiuk, J.
    Strupinski, W.
    Wysmolek, A.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2047919.pdf
    Data publikacji:
    2011-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    61.48.Gh
    78.30.Fs
    Opis:
    The Raman scattering studies of multi-layer graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) substrates are presented. Intensity ratio of the D and G bands was used to estimate the average size of the graphene flakes constituting carbon structures. The obtained estimates were compared with flake sizes from atomic force microscopy data. We found that even the smallest structures observed by atomic force microscopy images are much bigger than the estimates obtained from the Raman scattering data. The obtained results are discussed in terms of different average flake sizes inside and on the surface of the multi-layer graphene structure, as well as different type of defects which would be present in the investigated structures apart from edge defects.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 595-596
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Drabińska, A.
    Bożek, R.
    Wysmołek, A.
    Korona, K.
    Strupiński, W.
    Borysiuk, J.
    Stępniewski, R.
    Baranowski, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791292.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    78.66.Tr
    78.40.Ri
    78.30.Na
    63.20.dd
    63.20.kd
    Opis:
    Optical absorption and Raman scattering studies of few-layer epitaxial graphene obtained by high temperature annealing of carbon terminated face of 4H-SiC(000-1) on-axis substrates are presented. Changing the pressure and annealing time, different stages of the graphene formation were achieved. Optical absorption measurements enabled us to establish average number of graphene layers covering the SiC substrate. Raman scattering experiments showed that integrated intensity of the characteristic 2D peak positively correlated with the number of graphene layers deposited on the SiC substrate. The spectral width of the 2D peak was found to decrease with the number of the deposited graphene layers.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 835-837
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fast Response Hot (111) HGCDTE MWIR Detectors
    Autorzy:
    Grodecki, K.
    Martyniuk, P.
    Kopytko, M.
    Kowalewski, A.
    Stępień, D.
    Kębłowski, A.
    Piotrowski, A.
    Piotrowski, J.
    Gawron, W.
    Rogalski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/221254.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    HgCdTe
    MWIR
    photodetector
    response time
    Opis:
    In this work we report simulation and experimental results for an MWIR HgCdTe photodetector designed by computer simulation and fabricated in a joint laboratory run by VIGO Sytems S.A. and Military University of Technology. The device is based on a modified N+pP+ heterostructure grown on 2”., epiready, semi-insulating (100) GaAs substrates in a horizontal MOCVD AIX 200 reactor. The devices were examined by measurements of spectral and time responses as a function of a bias voltage and operating temperatures. The time response was measured with an Optical Parametric Oscillator (OPO) as the source of ~25 ps pulses of infrared radiation, tuneable in a 1.55–16 μm spectral range. Two-stage Peltier cooled devices (230 K) with a 4.1 μm cut-off wavelength were characterized by 1.6 × 1012 cm Hz1/2/W peak detectivity and < 1 ns time constant for V > 500 mV.
    Źródło:
    Metrology and Measurement Systems; 2017, 24, 3; 509-514
    0860-8229
    Pojawia się w:
    Metrology and Measurement Systems
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Ultrathin NbN Films for Superconducting Single-Photon Detectors
    Autorzy:
    Słysz, W.
    Guziewicz, M.
    Borysiewicz, M.
    Domagała, J.
    Pasternak, I.
    Hejduk, K.
    Rzodkiewicz, W.
    Ratajczak, J.
    Bar, J.
    Węgrzecki, M.
    Grabiec, P.
    Grodecki, R.
    Węgrzecka, I.
    Sobolewski, R.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1504147.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    74.62.Bf
    74.78.-w
    81.15.Cd
    81.15.Jj
    Opis:
    We present our research on fabrication and structural and transport characterization of ultrathin superconducting NbN layers deposited on both single-crystal $Al_2O_3$ and Si wafers, and $SiO_2$ and $Si_3N_4$ buffer layers grown directly on Si wafers. The thicknesses of our films varied from 6 nm to 50 nm and they were grown using reactive RF magnetron sputtering on substrates maintained at the temperature 850°C. We have performed extensive morphology characterization of our films using the X-ray diffraction method and atomic force microscopy, and related the results to the type of the substrate used for the film deposition. Our transport measurements showed that even the thinnest, 6 nm thick NbN films had the superconducting critical temperature of 10-12 K, which was increased to 14 K for thicker films.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 200-203
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-8 z 8

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies