Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "(ga)." wg kryterium: Wszystkie pola


Tytuł:
Microstructure of V3Ga superconducting wire using high Ga content Ti-Ga/V precursor composite material
Mikrostruktura nadprzewodzącego drutu V3Ga wytworzonego przy użyciu związku TiGa3 o wysokiej zawartości Ga
Autorzy:
Murakami, S.
Matsuda, K.
Kawabata, T.
Hishinuma, Y
Ikeno, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/355932.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
superconductor
Ti-Ga/V precursor composite material
V-Ga phase
TEM
microstructure
drut nadprzewodzący
Ti-Ga/V materiał kompozytowy
faza V-Ga
mikrostruktura
Opis:
Our co-workers, Hishinuma et. al. have fabricated the V3Ga compound wire by a new process using a high Ga content Ti-Ga compound in order to improve the superconducting property of the wire. In this study, we investigated microstructures of this wire to clarify the existence of V3Ga phase. The different contrasts of the matrix, two V-Ga phases and Ti-Ga core were observed by SEM observation. Two V-Ga phases were also confirmed. The ratio of V to Ga for two V-Ga phases was respectively 3:1 and 6:5 according to the EDS result. And these two phases were confirmed as V3Ga and V6Ga5.
Hishinuma i współpracownicy wytworzyli drut związku międzymetalicznego V3Ga przy użyciu nowej metody wykorzystującej związek międzymetaliczny Ti-Ga o wysokiej zawartości Ga celem poprawy właściwości nadprzewodzących drutu. Zbadaliśmy mikrostrukturę drutu, aby zweryfikować obecność fazy V3Ga. W trakcie badań SEM zaobserwowano zróżnicowany kontrast w osnowie oraz istnienie dwóch faz V-Ga i rdzenia T-Ga. Analiza EDS potwierdziła istnienie dwóch faz z układu V-Ga, w których stosunek V do Ga wynosi odpowiednio 3:1 i 6:5. Potwierdzono, ze te dwie fazy to V3Ga i V6Ga5.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 325-326
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Microstructure evaluation of Ni-Mn-Ga alloy
Mikrostruktura stopu Ni-Mn-Ga
Autorzy:
Flaga, S.
Kata, D.
Sapiński, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/368870.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
MSMA
stop Ni-Mn-Ga
Ni-Mn-Ga alloy
Opis:
This paper summarises the applications of MSMA materials, outlines the mechanism of magnetic shape memory effect and provides the procedure for microstructure evaluation of samples as well as the results of microstructure analysis using the example of the Ni-Mn-Ga alloy.
W artykule scharakteryzowano zastosowania materiałów z magnetyczną pamięcią kształtu (MSMA). Opisano mechanizm działania magnetycznej pamięci kształtu. Przedstawiono procedurę mikroskopowej oceny próbki i jej wyniki na przykładzie stopu Ni-Mn-Ga.
Źródło:
Mechanics and Control; 2010, 29, 1; 6-10
2083-6759
2300-7079
Pojawia się w:
Mechanics and Control
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Calorimetric Measurements of Ga-Li System by Direct Reaction Method
Autorzy:
Dębski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/350810.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
gallium-lithium system
Ga-Li
calorimetry
thermochemistry
Opis:
The direct reaction calorimetric method was used for the determination of the formation enthalpy of alloys which concentrations correspond to the: Ga7Li2, Ga9Li5, GaLi, Ga4Li5, Ga2Li3, and GaLi2 intermetallic phases. The obtained experimental values of the formation enthalpy were: –18.1 ±0.8 kJ/mol at., –26.5 ±0.3 kJ/mol at., –34.7 ±0.3 kJ/mol at., –33.5 ±0.5 kJ/mol at., –32.8 ±0.3 kJ/mol at. and –24.6 ±1.4 kJ/mol at., respectively. After the calorimetric measurements, all the samples were checked by way of X-ray diffraction investigations to confirm the structure of the measured alloys. All the measured values of the formation enthalpy of the Ga-Li alloys were compared with literature data and the data calculated with use of the Miedema model.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 2A; 919-926
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Non-Modulated Martensite Microstructure With Internal Nanotwins In Ni-Mn-Ga Alloys
Nie-modulowana martenzytyczna mikrostruktura z wewnętrznymi nano-bliźniakami w stopach Ni-Mn-Ga
Autorzy:
Szczerba, M. J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/356913.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
shape memory alloys
martensite
Ni-Mn-Ga single crystals
interface
stopy z pamięcią kształtu
martenzyt
monokryształy Ni-Mn-Ga
interfejs
Opis:
The self-accommodated non-modulated martensite of Ni-Mn-Ga single crystal was studied by transmission and scanning electron microscopy in the latter case using the electron backscatter diffraction technique. Three kinds of interfaces existing at different length scales were reported. The first, is the wavy and incoherent interface separating martensite variants observed on the micro-level with no-common crystallographic plane between them. The second is within a single martensite plate where the lattice rotates around one of the {110} pole to accommodate the interfacial curvature between martensite plates. Finally, at the nanoscale the third interface exists, a twin boundary separating internal nanotwins with the {112} type habit plane.
W pracy przeprowadzono obserwacje mikrostruktury monokryształu Ni-Mn-Ga charakteryzujący się nie-modulowaną strukturą martenzytyczną. Badania przeprowadzono z wykorzystaniem techniki transmisyjnej oraz skaningowej mikroskopii elektronowej. W przypadku drugiej metody zastosowano technikę elektronów wstecznie rozproszonych. Trzy rodzaje granic zostały zaobserwowane oraz opisane. Pierwsza granica jest niekoherentna i występuje w skali mikro pomiędzy płytkami martenzytu, które nie posiadają wspólnej płaszczyzny krystalograficznej o niskich indeksach Millera. Kolejna granica występuje wewnątrz pojedynczej płytki martenzytycznej, której towarzyszy rotacja sieci krystalicznej wokół kierunku {110} obszarów przedzielonych tą granicą w celu akomodacji wygięć granicy występującej między płytkami. W skali nanometrycznej można zaobserwować kolejną granicę równoległą do płaszczyzny krystalograficznej {112} (płaszczyzna bliźniacza), która rozdziela płytki nanobliźniaków.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2267-2270
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Some new inequalities of Hermite-Hadamard type for GA-convex functions
Autorzy:
Dragomir, Sever S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/747264.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej. Wydawnictwo Uniwersytetu Marii Curie-Skłodowskiej
Tematy:
Convex functions
integral inequalities
GA-convex functions
Hermite-Hadamard inequalities
Opis:
Some new inequalities of Hermite-Hadamard type for GA-convex functions defined on positive intervals are given. Refinements and weighted version of known inequalities are provided. Some applications for special means are also obtained.
Źródło:
Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska, sectio A – Mathematica; 2018, 72, 1
0365-1029
2083-7402
Pojawia się w:
Annales Universitatis Mariae Curie-Skłodowska, sectio A – Mathematica
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fault location technique using GA-ANFIS for UHV line
Autorzy:
Banu, G.
Suja, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/141254.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
GA – ANFIS
fault location
Fault resistance
one end data
UHV line
Opis:
This paper presents an improved approach for locating and identifying faults for UHV overhead Transmission line by using GA-ANFIS. The proposed method uses one end data to identify the fault location. The ANFIS can be viewed either as a Fuzzy system, neural network or fuzzy neural network FNN. The integration with neural technology enhances fuzzy logic system on learning capabilities are proposed to analyze the UHV system under different fault conditions. The performance variation of two controllers in finding fault location is analyzed. This paper analyses various faults under different conditions in an UHV using Matlab/simulink. The proposed method is evaluated under different fault conditions such as fault inception angle, fault resistance and fault distance. Simulation results confirm that the proposed method can be used as an efficient for accurate fault location on the transmission line.
Źródło:
Archives of Electrical Engineering; 2014, 63, 2; 247-262
1427-4221
2300-2506
Pojawia się w:
Archives of Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Internal Friction of Phase Transformations Observed Around Room Temperature in Ga-In-Sn Eutectic Alloys
Tarcie wewnętrzne przemian fazowych obserwowanych przy temperaturze pokojowej w eutektycznym stopie Ga-In-Sn
Autorzy:
Jin, M.
Li, Q.
Ying, R.
Lu, X.
Jin, X.
Ding, X.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/352781.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
Ga-In-Sn alloy
internal friction
liquid-liquid transition
stop Ga-In-Sn
tarcie wewnętrzne
wstępne krzepnięcie
Opis:
The phase transformation phenomena in eutectic Ga-In-Sn alloys around room temperature are studied by thermal analysis, internal friction, and in-situ XRD methods. The results show that in addition to the solidification transformation, a novel the so-called ‘pre-solidification’ phase transition, demonstrating first-order feature, is observed prior to the crystallization during cooling. The internal friction increases when the ‘pre-solidification’ effect occurs. The shear modulus increases until crystallization. An internal friction peak is attributed to the melting process observed during heating. The mechanism of the ‘pre-solidification’ transformation in Ga-In-Sn eutectic alloy is discussed.
Zjawiska przemian fazowych w eutektycznych stopach Ga-In-Sn, około temperatury pokojowej, badane są metodami analizy termicznej, tarcia wewnętrznego i XRD in-situ. Wyniki pokazują, że w dodatku do przemiany krzepnięcia, nowa przemiana tzw. „wstępne krzepnięcie”, o charakterze przemiany pierwszego rzędu, obserwowana jest przed krystalizacją podczas chłodzenia. Tarcie wewnętrzne zwiększa się, gdy występuje „wstępnie krzepnięcie”. Moduł sprężystości poprzecznej zwiększa się aż do krystalizacji. Wewnętrzny pik tarcia przypisany jest do topienia obserwowanego podczas ogrzewania. Omówiono mechanizm przemiany „wstępnego krzepnięcia” w eutektycznym stopie Ga-In-Sn.
Źródło:
Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 2097-2100
1733-3490
Pojawia się w:
Archives of Metallurgy and Materials
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Comparative Studies of Magnetocaloric Effect in Ni-Mn-Cu-Ga and Ni-Mn-Pb-Ga Alloys
Autorzy:
Sielicki, K.
Wróblewski, R.
Leonowicz, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1388040.pdf
Data publikacji:
2015-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.30.Sg
Opis:
Effect of Pb substitution for Cu on magnetocaloric properties of $Ni₂Mn_{1-x}Cu_xGa$ (x = 0.25, 0.27, 0.29) alloy was investigated experimentally. The magnetic measurements of Ni-Mn-Pb-Ga alloys conducted at low field of 4kA/m (50 Oe) showed that their Curie points are above the room temperature (RT). The analysis of isothermal magnetic curves allowed the estimation of magnetic entropy change $(ΔS_{M})$. The highest calculated value of $|ΔS_{M}|,$ ≈ 12 J/(kgK) and ≈ 1.8 J/(kgK), was registered for alloys containing 6.25 at.% of Cu and 6.75 at.% of Pb, respectively. The adiabatic temperature changes (ΔT) measured near RT are ≈ 0.4 K.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 127, 2; 644-646
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Enhancing grammar and valence resources for Akan and Ga
Autorzy:
Beermann, Dorothee
Hellan, Lars
Linde-Usiekniewicz, Jadwiga
Storch, Anne
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/chapters/1040110.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Uniwersytet Warszawski. Wydawnictwa Uniwersytetu Warszawskiego
Tematy:
digital resources
lexicon
valence
corpus annotation
Akan
Ga
Opis:
We present a case study in valence comparison between closely related Kwa languages, assessing frames and meanings of the verb ba (‘come’) in Akan with a homophonous corresponding item in Ga. The discussion draws on the Akan dictionary (Christaller 1881), a Ga valence dictionary based on (Dakubu 2009), and an online annotated corpus of Akan hosted in TypeCraft (Beermann & Mihaylov 2014). With a view to the possibility of making use of resources for one language in the development of resources for another, we demonstrate how digital resources and linguistic specifications can inform each other.
Źródło:
West African languages. Linguistic theory and communication; 166-185
9788323546313
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
68Ge/68Ga radioisotope generator as a source of radiotracers for water flow investigations
Autorzy:
Palige, J.
Majkowska, A.
Herdzik, I.
Ptaszek, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/146239.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:
Ga-68
generator
residence time distribution (RTD)
Opis:
Radiotracer experiments on the model of rectangular settler with a volume of 3 m3, with a consecutive application as a tracer of the aqueous phase fluoresceine (representative tracer of water), eluate from a 68Ge/68Ga radioisotope generator (0.1 N HCl solution) and chelates after Ga ions complexation with 1,4,7-triazacyclononane-1,4,7-triacetic acid (NOTA) and 1,4,7,10-tetrazacyclododecane-1,4,7,10-tetraacetic acid (DOTA) were carried out. The obtained residence time distribution (RTD) functions indicate that only the complex compounds of gallium are stable in the water phase and are not adsorb on the vessel walls, so they can be recommended as tracers of the water phase.
Źródło:
Nukleonika; 2011, 56, 1; 77-80
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:
Nukleonika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of genetic algorithm and Fourier coefficients (GA-FC) in mechanism synthesis
Zastosowanie algorytmu genetycznego i współczynnika Fouriera (GA-FC) w syntezie mechanizmów
Autorzy:
Starosta, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/281661.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Mechaniki Teoretycznej i Stosowanej
Tematy:
algorytmy ewolucyjne
synteza mechanizmów
evolutionary algorithms
mechanism synthesis
Opis:
The paper concerns synthesis of a four-bar linkage as a curve generator. Fourier coefficients of the curvature are applied to represent a closed curve. A genetic algorithm (GA) was adapted to solve the problem. The proposed method was successfully verified by many examples.
Rozważanym zagadnieniem jest synteza czworoboku przegubowego jako generatora krzywej. Zastosowano nowy sposób reprezentowania krzywej zamkniętej za pomocą współczynników Fouriera. Do rozwiązania zadania został zaadaptowany algorytm genetyczny. Proponowana metoda została z sukcesem przetestowana na przykładach.
Źródło:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics; 2008, 46, 2; 395-411
1429-2955
Pojawia się w:
Journal of Theoretical and Applied Mechanics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Our GIFT to All of Us: GA(Y)AM: Preface
Autorzy:
Loeshe, Frank
Łucznik, Klara
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/632640.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Projekt Avant
Opis:
This special issue of AVANT is all about Cognitive Innovation. It is not about CogNovo, the interdisciplinary and international doctoral training programme that produced three different Off the Lip events. It is not about Off the Lip 2017, the novel symposium format we developed to collaboratively create a publication resulting in this special issue of AVANT. It is not about the seemingly heterogeneous collection of papers that follow this preface. Collaborative Approaches to Cognitive Innovation required something else, something we are starting to capture in the four GIFT principles. While this special issue is not solely about CogNovo, Off the Lip events, or the content of the following submissions, all these aforementioned elements were necessary to shape our current understanding of Cognitive Innovation, the very process which led to numerous publications, exhibitions, and events during the past three years. In a sense, all of our previous endeavours have culminated in this collection of 26 distinct pieces of work, yet we hope and believe that this special issue also marks a beginning. Let us explain.
Źródło:
Avant; 2017, 8
2082-6710
Pojawia się w:
Avant
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
First-Principles Investigation of Structural and Electronic Properties of the $B_{x}Ga_{1-x}N,$ $B_{x}Al_{1-x}N, Al_{x}Ga_{1-x}N$ and $B_{x}Al_{y}Ga_{1-x-y}N$ Compounds
Autorzy:
Djoudi, L.
Lachebi, A.
Merabet, B.
Abid, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1418321.pdf
Data publikacji:
2012-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.15.Mb
71.20.-b
71.20.Nr
71.55.Eq
Opis:
The structural and electronic properties of the $B_{x}Ga_{1-x}N, B_{x}Al_{1-x}N,$ $Al_{x}Ga_{1-x}N$ and $B_{x}Al_{y}Ga_{1-x-y}N$ compounds were studied using the full-potential linearized augmented plane wave method, within the generalized gradient approximation. We have compared the Al and B compositions dependence on the ground state properties: lattice parameters, bulk moduli and their pressure derivative, and band gap energies. The lattice parameters are found to change linearly for $Al_{x}Ga_{1-x}N,$ exhibit a downward bowing for both $B_{x}Al_{1-x}N$ and $B_{x}Ga_{1-x}N,$ and has a very small deviation when Al is added and a large deviation when B is incorporated for $B_{x}Al_{y}Ga_{1-x-y}N$. The calculated band gap variation for the ternaries shows that the $B_{x}Ga_{1-x}N$ has a phase transition from direct-gap to indirect-gap for high boron contents (x > 0.75). As for $B_{x}Al_{1-x}N$, a direct-gap is found in the boron content range 0.07 < x < 0.83. For $Al_{x}Ga_{1-x}N$ and $B_{x}Al_{y}Ga_{1-x-y}N$ compounds, they have been found to be direct-gap materials. The results show that the $B_{x}Ga_{1-x}N,$ $B_{x}Al_{1-x}N,$ $Al_{x}Ga_{1-x}N$ and $B_{x}Al_{y}Ga_{1-x-y}N$ materials may well be useful for optoelectronic applications.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 4; 748-753
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Exogenus ‘Ga3’ and ‘Ga4+7’ effects on phenological indices, frost hardiness and quality properties of ‘English morello’ sour cherry (Prunus cerasus L.)
Autorzy:
Kurlus, R.
Świerczyński, S.
Rutkowski, K.
Ratajkiewicz, H.
Malinowska, A.
Wyrwał, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/11820021.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Uniwersytet Przyrodniczy w Lublinie. Wydawnictwo Uniwersytetu Przyrodniczego w Lublinie
Opis:
Exogenous gibberellins GA3 and GA4+7 treatments on ‘English Morello’ sour cherry trees 58 days after anthesis were evaluated in relation to their effect on fruit firmness, size distribution, colour development, titratable acidity to firmness ratio, yield, efficiency indices as well as leaf fall senescence. Moreover in the season following the applications their effect on flower bud characteristics including frost hardiness, fruit set and fruit drop, were examined. Foliar GA3 treatment had the most positive effect on ‘English Morello’ fruit size in the year of application and in the following season. GA4+7 treatment in the first experimental year increased sour cherry fruit firmness. Both GA3 and GA4+7 delayed leaf senescence process in the autumn. GA3 application had a positive effect on flower buds survival in comparison to control trees after frost occurred in spring. No GAs subsequent effect on next year fruit set and yield compared to control was found.
Źródło:
Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus; 2017, 16, 6; 99-109
1644-0692
Pojawia się w:
Acta Scientiarum Polonorum. Hortorum Cultus
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optimization of soft-sensing model for ash content prediction of flotation tailings by image features tailings based on GA-SVMR
Autorzy:
Wang, Guanghui
He, Ting
Kuang, Yali
Lin, Zhe
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1449310.pdf
Data publikacji:
2020
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
GA-SVMR
image features
flotation
ash content
Opis:
Ash content is one of the most important properties of coal quality and the ash prediction of coal slurry in floatation is urgent and important for automation of the floatation process. The aim of this paper is to propose a method of ash content prediction for flotation tailings by the use of image analysis. The mean gray value, energy, skewness and coal slurry concentration are highly correlated with coal slurry ash content by correlation analysis based on experiments while the particles’ size has little effect on the ash. Single variable linear prediction model between coal ash content and mean gray value was developed by the LS and its prediction errors were below 7%. For improving the prediction results, an ash prediction model based on GA-SVMR was established with additional three input parameters: energy, skewness, coal slurry concentration. This model has a higher accuracy with predictive errors all below 5% and 80% of them less than 3%. Results indicate that GA-SVMR model has a higher precision compared with LS model and PSO-SVMR model and soft-sensing model based on image features of the slurry can be used as a new method for ash detection of floatation tailings in automatic control process of coal flotation.
Źródło:
Physicochemical Problems of Mineral Processing; 2020, 56, 4; 590-598
1643-1049
2084-4735
Pojawia się w:
Physicochemical Problems of Mineral Processing
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies