Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystory" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów

Dostawca treści

Podbaza

Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 18
Tytuł:
Analiza zastosowania kontrolerów sygnałowych w falownikach jednofazowych z tranzystorami NEexFET
The analysis of digital signal controller applying in one phase inverter with NexFET transistor
Autorzy:
Górecki, Krzysztof
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377866.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
kontrolery sygnałowe
falownik jednofazowy
tranzystory NexFET
Opis:
W artykule tym dokonano analizy wykorzystania wybranych kontrolerów sygnałowych w falownikach jednofazowych. Do tego celu wykorzystano kontroler stałoprzecinkowy o małej mocy obliczeniowej oraz dla porównania kontroler zmiennoprzecinkowy z jednostką trygonometryczną. Zadaniem kontrolera było sterowanie mostkiem H poprzez dedykowany układ sterujący tranzystorami MOSFET mocy. Do tego celu użyto tranzystorów wykonanych w technologii NexFET o małej rezystancji kanału. Mostek H jest głównym układem mocy falownika jednofazowego, dwupoziomowego zasilanego z akumulatora o napięciu 12V. Jako metodę modulacji zastosowano modulację naturalną sygnałem nośnym z wykorzystaniem przebiegu trójkątnego. Celem głównym było pokazanie możliwości kontrolerów sygnałowych w sterowaniu falownikami w czasie rzeczywistym oraz zaprezentowanie maksymalnych częstotliwości próbkowania falownika, które można uzyskać dla powyższego przykładu.
The analysis of usage of chosen digital signal controllers in power inverter was done. Fixed point controller with low processor capacity and in comparison to it floating-point controller with trigonometric unit were used. The controller’s task was controlling of H-bridge by means of dedicated driver controlling power MOSFET transistors. NexFET transistors with low resistance channel were used to this purpose. H-bridge is the main power circuit of one-phase two-level power inverter supplied by 12 V battery. Natural modulation by carrier signal with usage of triangular signal was used as a modulation method. Showing of technical capability of digital signal controllers in real time controlling of power inverters and presenting maximum sampling frequency for particular solution was the main aim of this paper.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2019, 99; 7-17
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Preludium do wysokonapięciowych półprzewodników z szerokim pasmem zabronionym. Tranzystory IGBT nowej generacji – niskie poziomy indukcyjności, małe straty i miękkie przełączanie
Autorzy:
White, C.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/304640.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Wydawnictwo Druk-Art
Tematy:
tranzystory
półprzewodnik
urządzenie energoelektroniczne
semiconductor
transistor
power electronics
Opis:
HITACHI, dostrzegając aktualne potrzeby rynku, wprowadza tranzystory IGBT nowej generacji w obudowie nHPD2 o niższych stratach mocy, niższej indukcyjności oraz wartościach EMI, torując jednocześnie drogę dla technologii półprzewodników WBG.
Źródło:
Napędy i Sterowanie; 2017, 19, 1; 32-35
1507-7764
Pojawia się w:
Napędy i Sterowanie
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przekształtnik wysokiej częstotliwości z wykorzystaniem nowoczesnych tranzystorów GaN
High-frequency power converter using modern GaN transistors
Autorzy:
Swadowski, M.
Zygoń, K.
Jąderko, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1817901.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
tranzystory GaN
straty łączeniowe
wysoka częstotliwość
grzanie indukcyjne
termografia
Opis:
Modern transistors made with gallium nitride in the application of induction heater voltage converter are described in this paper. Advantages of modern GaN transistors in comparison to the MOSFETs are shown. Total power losses and maximum junctions temperature are significantly reduced.
Źródło:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2015, 71, 35; 29--39
1733-0718
Pojawia się w:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ napięcia zasilania tranzystora IGBT na otrzymany sygnał emisji akustycznej
The influence of the voltage of the IGBT power supply on the acoustic emission signal received
Autorzy:
Dreas, A.
Gordon, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/107804.pdf
Data publikacji:
2018
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
półprzewodniki
tranzystory IGBT
Emisja Akustyczna
semiconductor
IGBT Transistor
Acoustic Emission
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono serię pomiarów i poszukiwanie metody wykrywania uszkodzeń za pomocą przetwarzania sygnałów emisji akustycznej. Sygnał z czujnika obserwowano i przetwarzano za pomocą oscyloskopu i poddano obróbce cyfrowej. Celem była obserwacja wyjściowego sygnału przy zmianie napięcia zasilania, aby oszacować jego wpływ na sygnał z czujnika.
This paper shows series of measurements and a search for method of signal processing. Sensor signal was obtained with oscilloscope in order to further process it digitally. The change of power supply voltage was also measured to estimated its influence on sensor signal.
Źródło:
Badania Nieniszczące i Diagnostyka; 2018, 4; 62-64
2451-4462
2543-7755
Pojawia się w:
Badania Nieniszczące i Diagnostyka
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
E-mail, E-papier E-skóra ?
E-mail, E-paper, E-skin ?
Autorzy:
Łapkowski, M.
Jarosz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1217315.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:
e-skóra
tranzystory polowe
czujniki ciśnienia
e-skin
organic-FET
pressure sensor
Opis:
Przeszczepianie skóry jest zagadnieniem znanym już na dwa i pół tysiąca lat przed naszą erą, kiedy to przeprowadzano pierwsze eksperymenty z jej zakresu. Najnowszymi owocami tej dziedziny jest tzw. e-skóra - membrana wrażliwa na nacisk. Ostatnimi czasy ogłoszono powstanie dwóch jej modeli, autorstwa niezależnych zespołów naukowców. Artykuł opisuje ich budowę oraz zasadę funkcjonowania, a także opracowany wcześniej czujnik ciśnienia, który mógł stanowić inspirację dla twórców e-skóry.
The first experiments that gave birth to the discipline of skin grafting date back to two and a half millennia B.C. The most recent fruit of this branch of science is e-skin - a pressure-sensitive membrane. Lately, the completion of two models of such a membrane by independent research teams has been announced. The article describes the construction and the operating principles of those models, as well as a pressure sensor that has been developed before them and might have served as a source of inspiration for the creators of the e-skin.
Źródło:
Chemik; 2012, 66, 2; 119-122
0009-2886
Pojawia się w:
Chemik
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Complex fourier series mathematical model of a universal motor supplied by an igbt transistor
Model matematyczny silnika uniwersalnego zasilanego poprzez tranzystor IGBT przy wykorzystaniu zespolonych szeregów Fouriera
Autorzy:
Záskalický, P.
Kaňuch, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1369125.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Napędów i Maszyn Elektrycznych Komel
Tematy:
model matematyczny
silnik uniwersalny
tranzystory IGBT
IGBT transistor
universal motor
mathematical models
Opis:
The present contribution shows an analytical method of the calculus of the torque ripple and current waveforms of a universal motor supplied by an IGBT chopper. The chopper output voltage waveform is formulated by the Fourier series. The armature reaction of the motor is included in the calculus. The motor performance is computed using the circuit parameters determined by measurements. The calculated current waveforms are compared with the measured ones.
Źródło:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe; 2012, 1, 94; 33-37
0239-3646
2084-5618
Pojawia się w:
Maszyny Elektryczne: zeszyty problemowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie tranzystorów HEMT z azotku galu w impulsowych przekształtnikach mocy
Autorzy:
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118450.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
azotek galu
GaN
tranzystory HEMT
impulsowe przekształtniki mocy
gallium nitride
HEMT transistor
power converters
Opis:
Praca zawiera przegląd problematyki zastosowań tranzystorów HEMT (high electron mobility transistors) w wysokosprawnych układach przekształtników mocy. Wymieniono najważniejsze wymagania stawiane elementom półprzewodnikowym we współczesnych przekształtnikach energoelektronicznych. Przedstawiono główne cechy heterostruktur GaN-GaAlN i tranzystorów opartych na takich strukturach. Przedyskutowano różne rozwiązania konstrukcyjno-technologiczne struktur HEMT o cechach tranzystora normalnie wyłączonego (pracującego ze wzbogaceniem). Pokazano przykładowe parametry tranzystorów HEMT pracujących dla energoelektroniki. Omówiono także wybrane rozwiązania impulsowych przekształtników BUCK i BOOST oparte na tranzystorach HEMT i ich główne właściwości.
The applications of gallium nitride (GaN) high electron mobility transistors (HEMT) in modern power converters are reviewed. Basic demands for semiconductor devices used in switch-mode high efficiency power converters are summarized. Specific features of GaN-GaAlN heterostructure and HEMT’s are briefly described. Different solutions of enhancement-mode HEMT applicable in power converters of resulting parameters of HEMT-based enhancement-mode transistors are given. The exemplary power converters based on GaN HEMT’s, including BUCK and BOOST circuits are presented and their features discussed.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 5-27
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Application of GaN transistors to increase efficiency of switched-mode power supplies
Zastosowanie tranzystorów GaN do zwiększenia sprawności przetwornic impulsowych
Autorzy:
Aksamit, W.
Rzeszutko, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267239.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
gallium nitride
GaN transistors
power conversion
efficiency
azotek galu
tranzystory GaN
straty mocy w tranzystorach GaN
Opis:
During the last few years Gallium Nitride became a rapidly growing technology in the power conversion market. GaN HEMT transistors are now offered by several manufacturers and it is expected that in the nearest future they will replace conventional Si transistors in many applications. The aim of this article is to present the actual benefits of GaN transistors over Si by comparing both technologies from the point of view of power losses. It is shown that thanks to lower internal capacitances and lower reverse recovery charge GaN transistors offer significant improvements in power conversion efficiency, especially at higher frequencies. Calculations of power losses are performed on the example of a buck converter. Different types of GaN transistors with different voltage ratings are analyzed.
W ciągu ostatnich lat na rynku elektroniki mocy nastąpił dynamiczny rozwój technologii GaN. Tranzystory GaN HEMT są obecnie oferowane przez kilku producentów i przewiduje się że w najbliższym czasie w wielu zastosowaniach zastąpią one tradycyjne tranzystory Si. Celem tej publikacji jest przestawienie rzeczywistych zalet tranzystorów GaN w odniesieniu do Si poprzez porównanie obu technologii pod kątem strat mocy. W artykule pokazano że dzięki niższym pojemnościom wewnętrznym i niższemu ładunkowi QRR tranzystory GaN pozwalają na znaczącą poprawę sprawności, szczególnie przy wyższych częstotliwościach przełączania. Obliczenia strat mocy zostały przeprowadzone na przykładzie przetwornicy typu buck. Przeanalizowane zostały różne typy tranzystorów GaN o różnych napięciach znamionowych.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2016, 49; 11-16
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Model hybrydowego energoelektronicznego układu zasilania wielosystemowych zespołów trakcyjnych (EZT)
Hybrid power electronic traction transformer for electric multiple units (EMU)
Autorzy:
Koteras, Dariusz
Adamowicz, Marek
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/268599.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
energoelektroniczny system napędowy
elektryczne zespoły trakcyjne
tranzystory SiC
autotransformator suchy
electric multiple unit
SiC MOSFET
dry transformer
Opis:
W artykule przedstawiono model układ hybrydowy energoelektronicznego układu zasilania wielosystemowych zespołów trakcyjnych - EZT. Istota proponowanego rozwiązania zawiera się w zastosowaniu do obniżenia napięcia sieci trakcyjnej, zamiast tradycyjnego ciężkiego transformatora trakcyjnego (chłodzonego olejem) - suchego autotransformatora pracującego z częstotliwością sieci kolejowej oraz izolacji galwanicznej od sieci trakcyjnej. Izolacja ta jest realizowana za pomocą wielopoziomowego kaskadowego przekształtnika napięcia skonstruowanego z tranzystorów SiC MOSFET. W swojej strukturze zawiera on izolowane dwumostkowe przetwornice DC-DC z transformatorami pracującymi z częstotliwością 30 kHz. Układ jest przeznaczony do napędów oraz pokładowych systemów zasilania elektrycznych zespołów trakcyjnych (EZT). Układ może być zasilany z dwóch systemów: prądu stałego - 3 kV DC oraz prądu przemiennego - 15 kV, 16,7 Hz. W referacie pokazano wyniki analizy modelowania autotransformatora trakcyjnego 16,7 Hz o mocy 30 kVA, przeznaczonego do badań laboratoryjnych oraz wyniki badań laboratoryjnych izolowanej celki przekształtnikowej AC-DC-DC-AC z tranzystorami SiC MOSFET wraz ze specjalnie zaprojektowanym transformatorem 30 kHz. Do modelowania autotransformatora trakcyjnego wykorzystano Metodę Elementów Skończonych (MES).
The paper presents a system of hybrid power electronic supplying system. The main advantage of the proposed solution is in the application of dry traction autotransformer to reduce the voltage of the traction network, instead of the traditional heavy oil-cooled traction transformer. Galvanic isolation from the catenary is implemented by means of an insulated multilevel cascade voltage converter constructed of SiC MOSFET transistors and incorporating in its structure double active bridge DC-DC converters with transformers operating at 30 kHz. The system is designed for traction drives and on-board auxiliary power supply systems for electric multiple units (EMU) supplied from two power systems: 3 kV DC and 15 kV, 16.7 Hz. The paper presents the results of analysis of a 16.7Hz hybrid supplying system consisted of the autotransformer model with 30 kVA power and the isolated AC-DC-DC-AC converter cell with SiC MOSFET transistors and a specially designed 30 kHz transformer. The Finite Element Method (FEM) was used to model the traction autotransformer.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2019, 67; 137-141
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza strat powstających podczas załączania pary tranzystorów mocy MOS-FET oraz IGBT, pracujących w przekształtnikach rezonansowych
Analysis of power losses during turning on pair of power transistors MOS-FET and IGBT working in resonant inverter
Autorzy:
Balcerak, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159538.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
sterowanie tranzystorami
praca równoległa tranzystorów
minimalizacja strat mocy
sterowniki
drivery
podwyższenie sprawności
porównywanie tranzystorów
tranzystory
przekształtniki impulsowe
KPS
Opis:
W niniejszym artykule przedstawiono topologię rezonansowego układu przekształtnikowego służącego do generacji bardzo krótkich impulsów o wysokiej mocy. Omówiono celowość równoległego łączenia ze sobą dwóch typów tranzystorów: MOS-FET i IGBT, pracujących jako klucze w przekształtnikach rezonansowych typu Kicker Power Supply (KPS). Przedstawiono wpływ niejednoczesności załączenia tranzystorów na sprawność przetwornicy oraz na straty mocy na tych tranzystorach. Zwrócono również uwagę na opóźnienia czasu załączania wprowadzane przez sterowniki tranzystorów mocy. Omówiono także wpływ wartości rezystancji łączącej sterownik z tranzystorem mocy na sprawność przetwornicy rezonansowej.
Paper presents topology of resonant inverter which is used to generate very short, high-power pulses. Advisability of parallel connecting two kinds of transistors: MOS-FET and IGBT, working as keys in resonant inverters in Kicker Power Supply (KPS) were discussed. Influence of unsimultaneity of turning on transistors to efficiency of inverter and the power losses on these transistors was presented. Paper discussed also the delays added by the drivers of power transistors and the influence of value of resistance connecting driver with power transistor on efficiency of resonant inverter.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 59-72
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wybrane sposoby minimalizacji łączeniowych strat energii w wysokonapięciowych tranzystorach MOSFET pracujących z twardą komutacją
Selected methods to reduce hard-switching losses in high voltage power MOSFETS
Autorzy:
Grzejszczak, P
Barlik, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/160197.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
tranzystory MOSFET
łączeniowe straty energii
twarde załączanie
ładunek wsteczny diod
MOSFET
switching losses
hard commutation
body diode reverse recovery charge
Opis:
W artykule przedstawiono wybrane sposoby ograniczania łączeniowych strat energii w tranzystorach MOSFET pracujących z twardą komutacją. Głównym źródłem strat energii w tym procesie jest ładunek wsteczny diod zwrotnych komplementarnych łączników w gałęzi. W badaniach właściwości dynamicznych strukturalnych diod zwrotnych wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET wykazano ścisłą zależność ładunku wstecznego od długości czasu martwego w gałęzi przekształtnika. W związku z powyższym zaproponowano sposób minimalizacji dynamicznych strat energii przez dostosowanie czasu martwego w gałęziach przekształtnika do wartości prądu przełączanego przez tranzystory. Wyniki badań zaprezentowano dla tranzystorów MOSFET wykonanych w różnych technologiach
In this paper, selected methods to reduce switching losses in Power MOSFETs under hard switching operation were presented. The main part of these switching losses in two switches branch is body diode reverse recovery charge. Studies have demonstrated the dependence of the reverse recovery charge on the dead time length. Accordingly, the proposed methods of minimizing switching losses by adjusting the dead time length to switching current value. Simulation studies have shown a significant reduction in switching losses in the dual active bridge after applying the control algorithm with a variable dead time.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 5-13
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 18

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies