Wszystkie pola: Bugajski, J - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Identification of Residual Impurities in Si-Doped MBE Grown GaAs
Autorzy:: Kaniewska, M.
Regiński, K.
Kaniewski, J.
Muszalski, J.
Ornoch, L.
Adamczewska, J.
Marczewski, J.
Bugajski, M.
Mizera, E.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933820.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.Eq
73.40.Νs
73.20.Hb
Opis:: The changes of dopant vaporization enthalpy in GaAs:Si grown by molecular beam epitaxy revealed the presence of residual donors related to group VI elements. This has been confirmed by deep level transient spectroscopy studies of AlGaAs:Si layers grown in the same MBE system. It is argued that a commonly observed deep trap labelled E2 is probably related to Te, Se or S. The measurements have been performed on near-ideal Al Schottky barriers grown in situ by MBE.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 775-778
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Resonant Cavity Enhanced Photonic Devices
Autorzy:: Bugajski, M.
Muszalski, J.
Ochalski, T.
Kątcki, J.
Mroziewicz, B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2030303.pdf
Data publikacji:: 2002-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 78.30.Fs
78.66.Fd
78.55.-m
78.67.De
78.45.+h
78.47.+p
Opis:: In the present paper we review our recent works on technology, basic physics, and applications of one-dimensional photonic structures. We demonstrate spontaneous emission control in In$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As/GaAs planar microcavities with distributed Bragg reflectors. In general, observed trends are in agreement with theoretical predictions. We also demonstrate the operation of resonant-cavity light emitting diodes and optically pumped vertical cavity light emitting diodes developed recently at the Department of Physics and Technology of Low-Dimensional Structures of the Institute of Electron Technology.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 1; 105-118
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Low Threshold Room Temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW Lasers Grown by MBE
Autorzy:: Kaniewska, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Kryńska, D.
Litkowiec, A.
Kaniewski, J.
Wesołowski, M.
Bugajski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1951031.pdf
Data publikacji:: 1996-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 85.30.De
85.60.Jb
73.20.Dx
Opis:: Low threshold room temperature AlGaAs/GaAs graded-index separate-confinement heterostructure single quantum well (GRIN SCH SQW) lasers were prepared by MBE. The influence of the growth temperature on the laser parameters was studied. Due to the high temperature MBE growth and the use of p-contact layer in the form of thin quasi-metallic beryllium layer significant reduction of the threshold current was achieved.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 847-850
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
Autorzy:: Wójcik-Jedlińska, A.
Muszalski, J.
Bugajski, M.
Łukowski, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1812025.pdf
Data publikacji:: 2008-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 42.55.Px
85.35.Be
78.67.De
42.55.Sa
42.55.Xi
Opis:: In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1437-1443
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Informacja