Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Figielski, T." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-13 z 13
Tytuł:
Effect of Interface Roughness on Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950747.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
68.35.Ct
Opis:
We argue that the well-boundary roughness in a double-barrier heterostructure induces subsidiary subbands in the quantum well which, in turn, lead to the appearance of a broad shoulder beyond the principal resonance peak in the current-voltage characteristics.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of the Coulomb Blockade at 77 K in a Lattice-Mismatched GaAs/Si Heterojunction
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Riesz, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968070.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Lk
73.40.Gk
73.40.Kp
Opis:
We investigated current-voltage characteristics of a lattice-mismatched GaAs(n)/Si(p) heterojunction. For low bias voltages at 77 K it exhibits a behaviour characteristic of the Coulomb blockade. We discuss why this unexpected phenomenon can occur in the investigated structures.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 745-748
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On Electrostatic Aharonov-Bohm Effect in Solids
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1969073.pdf
Data publikacji:
1998-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
03.65.Bz
72.15.Gd
Opis:
We analyse conditions for an appearance of the electrostatic Aharonov- Bohm interference in two systems: a single-channel quantum-wire loop and an open ballistic quantum dot. We show that in the first system the effect will be destroyed by charge fluctuations, which probably is the reason why it has not been clearly observed, while in the second system the effect is still open for exploration.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 2; 305-308
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Resonant Tunnelling in Double-Barrier Heterostructures with an Accumulation Layer
Autorzy:
Wosiński, T.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wrotek, S.
Dobrowolski, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1992612.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
73.50.Jt
85.30.Mn
Opis:
Two modes of electron gas injection in resonant tunnelling through GaAs/AlGaAs double-barrier heterostructures were revealed while studying their current-voltage characteristics. Examining peculiarities of the characteristics within the temperature range 4-350 K and under a high magnetic field, we were able to distinguish the contribution to resonant tunnelling of ballistic electrons injected from a three-dimensional electron gas in the emitter contact and that of electrons injected from a two-dimensional electron gas in the accumulation layer formed near the emitter barrier.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 617-621
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Aharonov-Bohm Effect at Misfit Dislocations in GaAsSb/GaAs Heterostructures
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Raczyńska, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950746.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.10.Fk
73.40.Kp
03.65.Bz
Opis:
We examined the current flowing through p$\text{}^{+}$-n junction of the lattice mismatched GaAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$/GaAs heterostructure in a transverse magnetic field at 1.8 K. We have found the appearance of current oscillations, periodic as a function of the magnetic field, that are due to the Aharonov-Bohm effect of holes passed around charged dislocations.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 773-776
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Inelastic Electron Scattering in Double-Barrier Resonant Tunneling Structure Revealed with Photoexcitation
Autorzy:
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Harness, P. C.
Singer, K. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929767.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
We investigated current-voltage and photocurrent-voltage characteristics of a double-barrier resonant tunneling structure based on AlGaAs. To explain the observed "double-step" feature of the characteristics, we have proposed a mechanism including a multiple phonon emission of an electron dwelling in the quantum well.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 817-819
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bistability of (Ga,Mn)As Ferromagnetic Nanostructures Due to the Domain Walls Switching
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Figielski, T.
Wróbel, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791342.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
75.60.Ch
85.75.-d
Opis:
We designed and investigated four-arm nanostructures, composed of two perpendicularly crossed stripes, fabricated from ferromagnetic (Ga,Mn)As layer by means of electron-beam lithography patterning and chemical etching. The nanostructures exhibit a bistable resistance behavior resulting from two configurations of magnetic domain walls in the central part of the structures. We demonstrate a possibility of switching between two stable resistance states in zero magnetic field by applying a pulse of either weak magnetic field or electric current through the structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 901-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Planar Hall Effect in Ferromagnetic (Ga,Mn)As/GaAs Superlattices
Autorzy:
Wesela, W.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Figielski, T.
Sadowski, J.
Terki, F.
Charar, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047701.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
85.75.-d
Opis:
The planar Hall effect was used for investigation of magnetic anisotropy in short period (Ga,Mn)As/GaAs superlattices epitaxially grown on (001) oriented GaAs substrate. The results confirmed the existence of low-temperature magnetocrystalline anisotropy in the superlattices with the easy magnetic axes directed along the two in-plane 〈100〉 directions. Attention is paid to the two-state behaviour of the planar Hall resistance at zero magnetic field that provides its usefulness for applications in non-volatile memory devices.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 369-373
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetically Controlled Interference of Ballistic Electrons Tunnelled throughout the Double-Barrier Resonator
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Vitusevich, S. A.
Belyaev, A. E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1950748.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
An effect of magnetic field normal to the tunnel current on the amplitude and phase of the fine oscillatory structure, discovered in the resonance current-voltage curve in double-barrier AlAs/GaAs heterostructures, has been examined. All the obtained results are consistently explained in terms of the interference of ballistic electrons, escaped from the quantum well, in the collector part of the structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magneto-Transport Characterization of Four-Arm Nanostructure Based on Ferromagnetic (Ga,Mn)As
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Wosiński, T.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Tkaczyk, Z.
Łusakowska, E.
Wróbel, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811912.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
75.60.Ch
Opis:
We report on results of magneto-transport measurements performed on four-arm nanostructure fabricated from p-type ferromagnetic $Ga_{0.92}Mn_{0.08}As$ layer. The results reveal hysteresis-like behaviors of low field magnetoresistance. We interpret the magnetoresistance in terms of domain walls, which are expected to be trapped inside the nanostructure at some particular positions and which contribute to the total resistance.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1049-1054
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetotransport through Nanoconstriction in Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Pelya, O.
Sadowski, J.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Jagielski, J.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035752.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.63.-b
75.60.-d
73.20.Fz
Opis:
We studied narrow (submicron) constrictions in the layers of ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As. We have demonstrated a contribution of the quantum localization effects to the magnetoresistance of the constricted samples. We have also found a negative contribution of a domain wall trapped in the constriction to the resistance, due presumably to the erasing of the localization effects by the domain wall.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 525-531
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fine Structure of Resonant-Tunneling Peak in GaAs/AlAs Double-Barrier Heterostructure
Autorzy:
Vitusevich, S. A.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Belyaev, A. E.
Konakova, R. V.
Kravchenko, L. N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1872937.pdf
Data publikacji:
1995-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Gk
85.30.Mn
Opis:
For the first time we observed a fine oscillatory structure, with the period of 36 mV, of the resonant tunneling peak in the current-voltage characteristic of a double-barrier heterostructure. We attribute it to a sequential single-phonon emission of ballistic electrons which tunneled out from the quantum well through the collector barrier.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 87, 2; 377-380
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Vertical Electron Transport through PbS-EuS Structures
Autorzy:
Wrotek, S.
Dybko, K.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Wosiński, T.
Figielski, T.
Tkaczyk, Z.
Łusakowska, E.
Story, T.
Sipatov, A. Yu.
Szczerbakow, A.
Grasza, K.
Wróbel, J.
Palosz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036032.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
75.20.Ck
75.30.Et
Opis:
Temperature dependence of current-voltage I-V characteristics and resistivity is studied in ferromagnetic PbS-EuS semiconductor tunnel structures grown on n-PbS (100) substrates. For the structures with a single (2-4 nm thick) ferromagnetic EuS electron barrier we observe strongly non-linear I-V characteristics with an effective tunneling barrier height of 0.3-0.7 eV. The experimentally observed non-monotonic temperature dependence of the (normal to the plane of the structure) electrical resistance of these structures is discussed in terms of the electron tunneling mechanism taking into account the temperature dependent shift of the band offsets at the EuS-PbS heterointerface as well as the exchange splitting of the electronic states at the bottom of the conduction band of EuS.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 629-635
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-13 z 13

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies