Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Leszczyński, R." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-7 z 7
Tytuł:
Experimental investigation of single-phase microjet cooling of microelectronics
Autorzy:
Rusowicz, A.
Leszczyński, M.
Grzebielec, A.
Laskowski, R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/240614.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
cooling
heat transfer
microjets
microprocessor
chłodzenie
wymiana ciepła
mikrojety
mikroprocesor
Opis:
Development of electronics, which aims to improve the functionality of electronic devices, aims at increasing the packing of transistors in a chip and boosting clock speed (the number of elementary operations per second). While pursuing this objective, one encounters the growing problem of thermal nature. Each switching of the logic state at the elementary level of an integrated circuit is associated with the generation of heat. Due to a large number of transistors and high clock speeds, higher heat flux is emitted by the microprocessor to a level where the component needs to be intensively cooled, or otherwise it will become overheated. This paper presents the cooling of microelectronic components using microjets.
Źródło:
Archives of Thermodynamics; 2015, 36, 3; 139-147
1231-0956
2083-6023
Pojawia się w:
Archives of Thermodynamics
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anisotropic Lattice Misfit Relaxation in AlGaAs Semi-Bulk Layers Grown on GaAs Substrates by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Dobosz, D.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968459.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.60.Bs
68.55.Ln
Opis:
Experimental evidence for unidirectional microcracking in semi-bulk AlGaAs layers grown on (001) GaAs substrates is presented. The asymmetrical microcracking leads to anisotropic lattice misfit relaxation in the AlGaAs/GaAs structure and is explained in terms of higher mobility of [-110]-oriented α-type dislocations than that of β-type dislocations oriented in [110] direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1092-1096
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Light Emission Properties of GaN-Based Laser Diode Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Phillips, M. R.
Czernecki, R.
Targowski, G.
Perlin, P.
Leszczyński, M.
Figge, S.
Hommel, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2043715.pdf
Data publikacji:
2005-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
85.30.-z
78.60.Hk
68.37.Hk
Opis:
Cathodoluminescence is applied for evaluation of in-depth and in-plane variations of light emission from two types of GaN-based laser diode structures. We evaluate in-depth properties of the laser diode emission and demonstrate that potential fluctuations still affect emission of laser diodes for e-beam currents above thresholds for a stimulated emission.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2005, 108, 4; 675-680
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Impact of Thin LT-GaN Cap Layers on the Structural and Compositional Quality of MOVPE Grown InGaN Quantum Wells Investigated by TEM
Autorzy:
Ivaldi, F.
Kret, S.
Szczepańska, A.
Czernecki, R.
Kryśko, M.
Grzanka, S.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048084.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.bg
68.37.Lp
68.65.Fg
Opis:
Two samples containing InGaN quantum wells have been grown by metal-organic vapor phase epitaxy on high pressure grown monocrystalline GaN (0001). Different growth temperatures have been used to grow the wells and the barriers. In one of the samples, a low temperature GaN layer (730°C) has been grown on every quantum well before rising the temperature to standard values (900°C). The samples have been investigated by transmission electron microscopy and X-ray diffraction. Photoluminescence spectra have been measured as well. The influence of the LT-GaN has been investigated in regard to its influence on the structural and compositional quality of the sample.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 660-662
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Polarity Related Problems in Growth of GaN Homoepitaxial Layers
Autorzy:
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Śliwinski, A.
Suski, T.
Litwin-Staszewska, E.
Porowski, S.
Paszkiewicz, R.
Tłaczała, M.
Beaumont, B.
Gibart, P.
Barski, A.
Langer, R.
Knap, W.
Frayssinet, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1991873.pdf
Data publikacji:
1998-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.Vv
65.70.+y
Opis:
Homoepitaxial layers of GaN were grown by metalorganic chemical vapour deposition on single crystals obtained by high-pressure, high-temperature technology. For each metalorganic chemical vapour deposition run, four samples were placed, (00.1) and (00.1̲) faces of the Mg-doped insulating and undoped highly-conductive substrates. The layers were examined using X-ray diffraction, photoluminescence and far-infrared reflectivity. It was found that the (00.1̲) easier incorporates donors resulting in higher free-electron concentrations in the layers grown on these sides of the crystals, both, undoped and Mg-doped.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 427-430
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effect of Doping on Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As Structural Properties
Autorzy:
Bąk-Misiuk, J.
Domagała, J.
Paszkowicz, W.
Trela, J.
Żytkiewicz, Z. R.
Leszczyński, M.
Regiński, K.
Muszalski, J.
Härtwig, J.
Ohler, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964092.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Ea
81.40.-z
68.55.Ln
61.10.Nz
Opis:
The microstructure of Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As layers was studied using methods of high resolution diffractometry and topography. Mapping out the reciprocal space in the vicinity of 004 reciprocal lattice points shows a difference in diffuse scattering between doped and undoped layers. This result is attributed to a difference in a point-defect density. From the measurements of lattice parameters at different temperature it was found that the thermal expansion coefficients for the doped layers are higher than for the undoped ones. This phenomenon is attributed to the change of the anharmonic part of lattice vibrations by free electrons or/and point defects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 911-915
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Blue Laser on High N$\text{}_{2}$ Pressure-Grown Bulk GaN
Autorzy:
Grzegory, I.
Boćkowski, M.
Krukowski, S.
Łucznik, B.
Wróblewski, M.
Weyher, J.
Leszczyński, M.
Prystawko, P.
Czernecki, R.
Lehnert, J.
Nowak, G.
Perlin, P.
Teisseyre, H.
Purgał, W.
Krupczyński, W.
Suski, T.
Dmowski, L.
Litwin-Staszewska, E.
Skierbiszewski, C.
Łepkowski, S.
Porowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030423.pdf
Data publikacji:
2001-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Opis:
In this note we report briefly on the details of pulsed-current operated "blue" laser diode, constructed in our laboratories, which utilizes bulk GaN substrate. As described in Ref. [1] the substrate GaN crystal was grown by HNPSG method, and the laser structure was deposited on the conducting substrate by MOCVD techniques (for the details see Sec. 2 and Sec. 4 of Ref.~[1], respectively).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2001, 100, Supplement; 229-232
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-7 z 7

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies