Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Zakrzewski, P." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Nonradiative Recombination Processes in (CdTe,CdCrTe)/CdMgTe Quantum Well Structures
Autorzy:
Godlewski, M.
Ivanov, V.
Zakrzewski, A. J.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Kossut, J.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968108.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.60.-p
76.70.Hb
Opis:
Photoluminescence transitions in (CdTe,CdCrTe)/CdMgTe structure grown by molecular beam epitaxy are studied. Photoluminescence investigations show a very strong reduction of the photoluminescence intensity from chromium doped quantum wells. We explain this fact by a very efficient nonradiative recombination in the chromium-doped quantum wells. The present results indicate that the Auger-type energy transfer from excitons to chromium ions is responsible for the photoluminescence deactivation. The efficiency of this process is evaluated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 781-784
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Lattice Parameter Relaxation during MBE of ZnTe/Cd$\text{}_{1-x}$Zn$\text{}_{x}$Te/Cd$\text{}_{0.5}$Zn$\text{}_{0.5}$Te Buffer Layers by RHLED and HRTEM
Autorzy:
Kret, S.
Karczewski, G.
Zakrzewski, A.
Dłużewski, P.
Dubon, A.
Wojtowicz, T.
Kossut, J.
Delamarre, C.
Laval, J. Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933838.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.16.Bg
61.14.Hg
68.35.-p
Opis:
The dynamics of the lattice relaxation processes were investigated using a reflection of a high energy electron diffraction analysis system during growth by molecular beam epitaxy of ZnTe/Cd$\text{}_{1-x}$Ζn$\text{}_{x}$Te/Cd$\text{}_{0.5}$Mn$\text{}_{0.5}$Te buffers on GaAs substrates. The variation of the lattice parameter recorded by the high energy electron diffraction during the growth was later confirmed by an analysis of high resolution transmission electron microscopy images. We report also on an observation of oscillations of the lattice parameter during the deposition of several first layers of ZnTe on CdTe.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 795-798
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spatial Correlations of Donor Charges in MBE CdTe
Autorzy:
Suski, T.
Wiśniewski, P.
Litwin-Staszewska, E.
Wasik, D.
Przybytek, J.
Baj, M.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Zakrzewski, A.
Kossut, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934021.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
71.55.Gs
Opis:
We present experimental evidence that at high pressures indium donors in CdTe localize electrons in spatially correlated manner. We have studied Hall mobility, μ$\text{}_{H}$, as a function of electron concentration, n$\text{}_{H}$, at T=77 K. Changes of n$\text{}_{H}$ have been achieved by two methods. High pressure freeze-out of electrons onto localized states of In-donors leads to the mobility enhancement with respect to the situation when n$\text{}_{H}$ has been modified by means of a subsequent annealing of the sample. As a result, depending on the degree of spatial correlations in the impurity charges arrangement, different values of μ$\text{}_{H}$ correspond to the same value of n$\text{}_{H}$. The variation of mobility with electron concentration suggests that the localized state of In-donor represents likely negatively charged DX state.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 929-932
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies