Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "E. A." wg kryterium: Autor


Tytuł:
Interfacial Reactions between Thin Films of Zinc and (100)InP
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Barcz, A.
Mizera, E.
Dynowska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933803.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
The effects of interaction between thin films of Zn and (100)InP were studied with secondary ion mass spectrometry, X-ray diffraction and transmission electron microscopy. Zn was found to penetrate the native oxide on InP surface during deposition and to form an ohmic contact when deposited on highly doped n-type InP. Heat treatment causes the formation of Zn$\text{}_{3}$P$\text{}_{2}$ phase lattice matched to InP.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 771-774
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Regeneracja kolumn chromatograficznych wchodzących w skład zestawu Glyco Test 100 firmy Pierce do oznaczania zawartości hemoglobiny glikozylowanej we krwi
Regeneracija khromatograficheskikh kolonn v komplekse Glyco Tests 100 firmy Pierce dlja oboznachenija soderzhanija glikozilovannogo gemoglobina v krovi
Regeneration of chromotographic columns in the Glyco Test 100 manufactured by Pierce for determination of the blood content of glycosylated haemoglobin
Autorzy:
Kamińska, E.
Adamczyk, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2187393.pdf
Data publikacji:
1989
Wydawca:
Polskie Towarzystwo Diagnostyki Laboratoryjnej
Tematy:
badania krwi
zestaw Glyko Test 100
kolumny chromatograficzne
regeneracja
kolumny regenerowane
skutecznosc dzialania
hemoglobina glikozylowana
oznaczanie
Źródło:
Diagnostyka Laboratoryjna; 1989, 25, 4-5; 247-249
0867-4043
Pojawia się w:
Diagnostyka Laboratoryjna
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Kierunki zagospodarowania zużytych opon samochodowych
Development directions of disused car tires
Autorzy:
Skarbek-Żabkin, A.
Kamińska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/107624.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Transportu Samochodowego
Tematy:
opona
zużycie
recykling
spalanie
tire
wear
recycling
combustion
Opis:
W Europie przeważają dwie drogi postępowania z oponami, po pierwsze recykling materiałowy, którego celem jest ponowne wykorzystanie materiału po jego rozdrobnieniu oraz spalanie z odzyskiem energii. W ostatnich latach duży nacisk położony został na ochronę środowiska, w związku z czym powstał szereg rozwiązań na zagospodarowanie całych opon. W niniejszej publikacji przedstawione zostały możliwe kierunki zagospodarowania zużytych opon samochodowych wraz z analizą składu tego typu odpadów.
In Europe dominate two ways of dealing with tires, the first material recycling, which aims to re-use after crushing and incineration with energy recovery. In recent years, much emphasis has been placed on environmental protection, and therefore created a number of solutions for development of whole tires. Throughout this publication are presented possible directions of management of used tires along with an analysis of the composition of this type of waste.
Źródło:
Transport Samochodowy; 2015, 1; 79-87
1731-2795
Pojawia się w:
Transport Samochodowy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Interaction between Thin Films of Zinc and (100) GaAs
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Mizera, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929624.pdf
Data publikacji:
1993-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Interfacial reactions between thin films of Zn and GaAs were studied by means of transmission electron microscopy. Low-temperature interaction is governed by the penetration of Zn into the native oxide layer at the metal/GaAs interface. At 360°C the formation of Zn$\text{}_{3}$As$\text{}_{2}$ phase, highly oriented with respect to the (100) substrate takes place.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 3; 527-529
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analizy ekobilansowe w szacowaniu obciążeń środowiska
Eco-balance analysis in estimating environmental burdens
Autorzy:
Kamińska, E.
Skarbek-Żabkin, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/107213.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Transportu Samochodowego
Tematy:
ekobilansowanie
akumulator
środowisko
recykling
ecobilancing
battery
environment
recycling
Opis:
W artykule przedstawiono wyniki analizy ekobilansowej przeprowadzonej dla technologii recyklingu zużytych akumulatorów kwasowo-ołowiowych. Badania zostały wykonane w oparciu o dane pochodzące z 2009 roku. Do przeprowadzenia analizy wykorzystano metodę cyklu życia produktu (ang. Life Cycle Assessment). Narzędziem, którym posługiwano się w celu przeprowadzenia oceny cyklu życia (LCiA), jest program holenderskiej firmy PreConsultant, Jest to program SimaPro v. 7.3.3., który jest obecnie wykorzystywany jako narzędzie do przeprowadzania analiz cyklu życia obiektów w około 80 krajach. W artykule przestawiono wyniki szacowania poziomu obciążeń środowiska związanych z technologią recyklingu zużytych akumulatorów kwasowo-ołowiowych w kraju, przy uwzględnieniu istniejących uwarunkowań oraz dostępnych informacji. Analiza została przeprowadzona metodą ReCiPe, której baza danych obejmuje informacje charakterystyczne dla warunków europejskich.
The article presents the results of the eco-balance analysis carried out for the recycling technology of the disused lead-acid batteries. The studies have been conducted based on the data from the 2009. For the purpose of the analysis the product life cycle method (Life Cycle Assessment). The tool that was used for the Life Cycle Assessment (LCA) is a SimaPro v. 7.3.3. program of the Dutch company - PreConsultant, which is currently used as a tool for the analysis of the products life cycle in about 80 countries. The paper presents the results of estimating the level of environmental burdens associated with the technology of recycling disused lead-acid batteries in Poland, taking into account the current circumstances and available information. The analysis was conducted using ReCiPe method, whose database includes information specific to the European context.
Źródło:
Transport Samochodowy; 2015, 1; 49-66
1731-2795
Pojawia się w:
Transport Samochodowy
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Atomic Scale Morphology of Thin Au(Zn)/GaAs Ohmic Contacts
Autorzy:
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Żarecka, R.
Barcz, A.
Mizera, E.
Kwiatkowski, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923883.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Very thin Au(Zn) contacts to p-GaAs were studied by means of transmission electron microscopy and secondary ion mass spectrometry. It was found that such contacts when cap annealed became ohmic, even though the reaction between the metallization and GaAs is confined to a very close vicinity of the interface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 853-856
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
ZnO Thin Films Deposited on Sapphire by High Vacuum High Temperature Sputtering
Autorzy:
Borysiewicz, M. A.
Pasternak, I.
Dynowska, E.
Jakieła, R.
Kolkovski, V.
Dużyńska, A.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2048109.pdf
Data publikacji:
2011-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Dz
81.15.Cd
61.05.cp
68.37.Hk
68.37.Ps
68.49.Sf
78.55.Et
Opis:
ZnO (0001) layers on sapphire (0001) substrates were fabricated by means of high temperature high vacuum magnetron sputtering. The layers were deposited onto a thin MgO buffer and a low temperature ZnO nucleation layer, which is a technology commonly used in MBE ZnO growth. This paper reports on using this technology in the sputtering regime.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 5; 686-688
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Phosphorus Release during Annealing of Au Contacts to InP
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923864.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
The analysis of phosphorus release from Au/InP contacts heat treated at temperature from the range 360-480°C showed that P evaporation accompanies any stage of contact reaction. The use of encapsulating layer during contact annealing suppresses the loss of phosphorus and changes the kinetics of thermally activated interfacial reaction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 849-852
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The chosen aspects of end of life vehicles recycling
Wybrane aspekty recyklingu pojazdów wycofanych z eksploatacji
Autorzy:
Kamińska, E.
Wojciechowski, A.
Merkisz, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/244223.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Instytut Techniczny Wojsk Lotniczych
Tematy:
recykling pojazdów wycofanych z eksploatacji
metody recyklingu
recycling
end-of-life vehicles
recycling method
Opis:
According to the data from the Ministry of Finance, in January 2007 alone, there were 69 2 71 used passenger cars imported to Poland from the European Union. This represents an increase of over 85.7% more cars as compared to the January last year. This figure amounts to over 761 Mg of future waste to be recycled. As the amount of disused cars increases every year, utilization of the waste from these cars is becoming a problem. The article presents analysis of the problems with the system of recycling disused cars. The particular attention of the authors has been paid to the pro-ecological aspect of vehicles design, which the car manufacturers have been obliged to, by the European Parliament and Council Directive Nr 2000/53/WE of2000. The share of composite materials and plastics used in the car industry is ever increasing. Modification of the materials to facilitate disassembly and vehicle recycling is one of the problems of contemporary recycling. The analysis presented in the article will encompass materials used in vehicle production, susceptibility to various recycling methods and solutions implemented by selected car manufacturers. The article described also the basic legal requirements for car manufacturers resulting from a law on End of Life vehicles.
Według danych Ministerstwa Finansów tylko w styczniu 2007r. z Unii Europejskiej sprowadzono do Polski 69271 używanych samochodów osobowych. Stanowi to wzrost o ponad 85,7% więcej samochodów w odniesieniu do stycznia ubiegłego roku. Liczba ta daje ponad 761 Mg odpadów do przyszłego przetworzenia. W związku ze wzrostem liczby pojazdów wycofywanych corocznie z eksploatacji problemem staje się zagospodarowanie odpadów pochodzących z tych pojazdów. W artykule przedstawiono analizę problemów związanych z systemem recyklingu pojazdów wycofanych z eksploatacji. Szczególną uwagę autorzy zwrócili na aspekt proekologicznego projektowania pojazdów, do którego producenci samochodów zostali zobligowani między innymi Dyrektywą Parlamentu Europejskiego i Rady Nr 2000/53/WE z 2000 r. Udział materiałów kompozytowych i tworzyw sztucznych stosowanych w przemyśle motoryzacyjnym wciąż wzrasta. Jednym z problemów współczesnego recyklingu jest modyfikacja materiałów w celu ułatwienia demontażu i recyklingu pojazdów. Analiza przedstawiona w artykule będzie obejmowała materiały stosowane w produkcji pojazdów, podatność na różne metody recyklingu, rozwiązania wdrożone przez wybrane koncerny samochodowe. W artykule opisane zostaną również podstawowe wymagania prawne obowiązujące producentów samochodów, wynikające z ustawy o recyklingu pojazdów wycofanych z eksploatacji.
Źródło:
Journal of KONES; 2008, 15, 2; 145-152
1231-4005
2354-0133
Pojawia się w:
Journal of KONES
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Investigation of Porous Zn Growth Mechanism during Zn Reactive Sputter Deposition
Autorzy:
Borysiewicz, M.
Wojciechowski, T.
Dynowska, E.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1198573.pdf
Data publikacji:
2014-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
52.70.-m
81.15.Cd
77.55.hf
81.10.Pq
52.27.Cm
Opis:
Ar-O-Zn plasma discharges created during DC reactive magnetron sputtering of a Zn target and RF reactive magnetron sputtering of a ceramic ZnO target were investigated and compared by means of the Langmuir probe measurements in order to determine the mechanism of growth of porous Zn films during DC-mode Zn reactive sputtering. The power supplied to the magnetrons during the sputtering was kept at 125 W and the plasma was characterised as a function of oxygen content in the sputtering gas mixture, ranging from 0 to 60% for two gas pressures related to porous Zn film deposition, namely 3 mTorr and 5 mTorr. Based on the correlation of plasma properties measurements with scanning electron microscope imaging and X-ray diffraction of the films deposited under selected conditions it was found that the growth of porous, polycrystalline Zn films was governed by high electron density in the plasma combined with a high electron temperature and an increased energy of the ions impinging on the substrate.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 5; 1144-1148
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors
Autorzy:
Kaczmarski, J.
Taube, A.
Dynowska, E.
Dyczewski, J.
Ekielski, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1399114.pdf
Data publikacji:
2013-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Gc
81.15.Cd
85.30.Tv
72.80.Ng
73.61.Jc
Opis:
In-Ga-Zn-O thin films were fabricated by means of reactive RF magnetron sputtering. Mechanism of free electrons generation via oxygen vacancies formation is proposed to determine the relationship between oxygen content in the deposition atmosphere and the transport properties of IGZO thin films. The depletion-mode a-IGZO thin film transistor with field-effect mobility of $12 cm^2/(Vs)$ has been demonstrated.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 855-857
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Modelling and Simulation of Normally-Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs
Autorzy:
Taube, A.
Sochacki, M.
Szmidt, J.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/226802.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
gallium nitride
MOS-HEMT
high electron mobility
transistor
AlGaN
GaN
simulation
Opis:
The article presents the results of modelling and simulation of normally-off AlGaN/GaN MOS-HEMT transistors. The effect of the resistivity of the GaN:C layer, the channel mobility and the use of high-κ dielectrics on the electrical characteristics of the transistor has been examined. It has been shown that a low leakage current of less than 10⁻⁶ A/mm can be achieved for the acceptor dopant concentration at the level of 5×10¹⁵cm⁻³. The limitation of the maximum on-state current due to the low carrier channel mobility has been shown. It has also been demonstrated that the use of HfO₂, instead of SiO₂, as a gate dielectric increases on-state current above 0.7A/mm and reduces the negative influence of the charge accumulated in the dielectric layer.
Źródło:
International Journal of Electronics and Telecommunications; 2014, 60, 3; 253-258
2300-1933
Pojawia się w:
International Journal of Electronics and Telecommunications
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Monocrystalline and Polycrystalline ZnO and ZnMnO Films Grown by Atomic Layer Epitaxy - Growth and Characterization
Autorzy:
Wójcik, A.
Kopalko, K.
Godlewski, M.
Łusakowska, E.
Paszkowicz, W.
Dybko, K.
Domagała, J.
Szczerbakow, A.
Kamińska, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2038164.pdf
Data publikacji:
2004-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Jk
68.55.Ln
68.55.Nq
78.66.Hf
81.15.Kk
Opis:
Recently we demonstrated growth of monocrystalline ZnO films by atomic layer epitaxy in the gas flow variant using inorganic precursors. In this study, we discuss properties of ZnO films grown with organic precursors. Successful Mn doping of the ZnO films during the growth was achieved using the Mn-thd complex. Secondary ion mass spectroscopy and X-ray investigations reveal the contents of Mn up to about 20% of the cationic component.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2004, 105, 6; 667-673
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
FFirst TSC and DLTS Measurements of Low Temperature GaAs
Autorzy:
Muszalski, J.
Babiński, A.
Korona, K. P.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Kamińska, M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891236.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.-i
72.80.Ey
Opis:
The first thermally stimulated current (TSC) and deep level transient spectroscopy (DLTS) studies performed on GaAs grown by molecular beam epitaxy (MBE) at low substrate temperatures (LT GaAs) are reported. TSC experiments, conducted on as grown and 400-580°C annealed layers showed domination of arsenic antisite (EL2-like) defect and supported its key role in hopping conductivity. DLTS studies, performed on Si doped and annealed at 800°C layers revealed substantially lower concentration of EL2-like defect and an electron trap of activation energy ΔE = 0.38 eV was found.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 413-416
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Dual Role of TiN Reaction Barrier in Gold Based Metallization to GaAs
Autorzy:
Piotrowska, A.
Kamińska, E.
Guziewicz, M.
Adamczewska, J.
Kwiatkowski, S.
Turos, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923915.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Ns
Opis:
Reactively sputtered TiN films were evaluated as annealing cap improving the formation of Au(Zn) ohmic contact and as antidiffusion barrier protecting contact metallization and underlying GaAs against reaction with Au overlayers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 857-860
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies