Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Fabrication and Properties of Amorphous In-Ga-Zn-O Material and Transistors
Autorzy:: Kaczmarski, J.
Taube, A.
Dynowska, E.
Dyczewski, J.
Ekielski, M.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1399114.pdf
Data publikacji:: 2013-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 81.05.Gc
81.15.Cd
85.30.Tv
72.80.Ng
73.61.Jc
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 855-857
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In-Ga-Zn-O thin films were fabricated by means of reactive RF magnetron sputtering. Mechanism of free electrons generation via oxygen vacancies formation is proposed to determine the relationship between oxygen content in the deposition atmosphere and the transport properties of IGZO thin films. The depletion-mode a-IGZO thin film transistor with field-effect mobility of $12 cm^2/(Vs)$ has been demonstrated.

Informacja

Powiązane pozycje