Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Zytkiewicz, Z. R." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 16
Tytuł:
In Situ Monitoring of Electroepitaxial Growth of Thick AlGaAs Layers
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929752.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
In situ growth monitoring technique has been used to analyse growth disturbances during the liquid phase electroepitaxial growth of thick AlGaAs layers. It allowed us to explain the nature of growth instability occurring at the end of the growth and affecting the maximum thickness of AlGaAs layers obtainable by liquid phase electroepitaxy.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 777-780
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New DX-Related Photoinduced Absorption in AlGaAs:Te
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1890990.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Absorption measurements on thick AlGaAs:Te layers reveal a new absorption band at ca. 0.55 eV. Also the absorption coefficient of the DX-center ground state was measured directly for the first time.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 397-400
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
On the High Compositional Uniformity of Thick GaAlAs Layers Grown by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Miotkowska, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923664.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
81.10.Dn
Opis:
The results of electroepitaxial growth of thick GaAlAs layers on GaAs substrates are presented. It is experimentally proven that effective convective mixing of the solution volume results in the compositional uniformity of GaAlAs layers, even in spite of the high compositional non-uniformity of the material supplying the solutes (Al, As) to the solution during the growth of the layers. For the first time this allowed us to grow uniform GaAlAs layers with thicknesses up to 200-300 μm in a wide composition range from a small (5 g) amount of solution.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 765-768
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
A Role of Intermediate Charge State in the DX Center Photoionisation in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As:Se
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1923786.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
Opis:
Detailed studies of the DX center absorption are presented. They. studies performed on thick AlGaAs:Te layers, give a strong indication for the influence of the intermediate charge state on the DX center photoionisation.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 801-804
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Substrate Defects Filtration During Epitaxial Lateral Overgrowth of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968454.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Ln
Opis:
Results on the growth of GaAs on (001) GaAs substrates by the epitaxial lateral overgrowth technique are reported. We show that the ratio of normal to lateral growth rates in the epitaxial lateral overgrowth process can be controlled by the crystallographic orientation of the seeds and by Si adding to the melt. Experimental data showing that the dislocations threading from the substrate are efficiently filtered and cannot propagate to the epitaxial lateral overgrowth layers are presented. These findings prove that the epitaxial lateral overgrowth process is the powerful method to grow epilayers with low dislocation density on high dislocation density substrates.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1079-1082
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
New Local Vibrational Modes Related to Silicon in Bulk AlGaAs
Autorzy:
Kaczor, P.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933798.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.20.Pw
61.72.Vv
71.55.Eq
Opis:
A silicon-related local vibrational mode absorption in AlGaAs is reported for the first time. It consists of six peaks grouped around 450 cm$\text{}^{-1}$ which form a distinct pattern. We believe that the new local vibrational mode absorption is a fingerprint of a single defect. Among the discussed microscopic structures the most plausible is a Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pair complex with Si$\text{}_{As}$ acceptor interacting with different Ga, Al nearest neighbour local environments.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 759-762
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photoinduced Defects Creation on Sulfur Passivated Surface of GaAs
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Dobaczewski, L.
Gomez, D.
Briones, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968456.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.35.Dv
68.45.Da
Opis:
We report on photoinduced defect creation on the sulfurized (100) GaAs surface. The process manifests itself by unrecoverable temporal decrease in the photoluminescence intensity of the GaAs surface treated by (NH$\text{}_{4}$)$\text{}_{2}$S$\text{}_{x}$ solution. The results are discussed in terms of a photoinduced process of the As$\text{}_{Ga}$ antisite generation on the sulfurized surface of GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1083-1086
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Molecular Beam Epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As: New Donor Doping Sources
Autorzy:
Dobaczewski, L.
Missous, M.
Singer, K. E.
Żytkiewicz, Z. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929771.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Bd
61.50.Cj
71.55.Eq
Opis:
The first results obtained with the use of Ga$\text{}_{2}$S$\text{}_{3}$ and Ga$\text{}_{2}$Se$\text{}_{3}$ compounds as sources of donor elements for molecular beam epitaxy of Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb (0 ≤ x ≤ 1) and Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (0 ≤ x ≤ 0.4) are reported. In GaAs free electron concentrations obtained when incorporating the donors from these sources can be easily controlled in the range of three orders of magnitude. For Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$Sb it was possible to compensate the high concentration of native acceptors and to obtain n-type of conductivity.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 826-828
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Alloy Splitting of the Te-DX States in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Ostermayer, G.
Jantsch, W.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Wilamowski, Z.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929750.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
72.80.Ey
Opis:
We report investigations of the Hall effect and conductivity of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As (x = 0.3). After illumination at low temperature, the conductivity decreases in two steps on warming. These steps are explained in terms of the two sets of energy levels associated with two types of Te-DX centers depending on the neighboring host cation (Ga or Al) which undergoes the 1attice relaxation. The observed persistent increase in mobility is also explained in terms of the two different capture barriers.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 769-772
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Photo-ESR Study of the DX to Shallow Donor Conversion in Te Doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As
Autorzy:
Surma, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Fronc, K.
Stalinga, P.
Godlewski, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1929747.pdf
Data publikacji:
1993-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.55.Eq
76.30.Lh
78.66.Fd
Opis:
Results of detailed electron spin resonance (ESR) study of Te doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As epilayers with x = 0.41, 0.42, and 0.5 Al fractions are presented. It is shown that the ESR signal observed critically depends on cooling steps and that the shallow donor ESR signal can be observed prior to illumination. The first ESR study of AlGaAs layers with removed GaAs substrate are presented. The mechanism of the enhanced photosensitivity of the ESR signal is explained. It is found very paradoxical that the ESR signals decreases upon the illumination even though shallow donor concentration is increased.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1993, 84, 4; 757-760
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Anisotropic Lattice Misfit Relaxation in AlGaAs Semi-Bulk Layers Grown on GaAs Substrates by Liquid Phase Electroepitaxy
Autorzy:
Żytkiewicz, Z. R.
Domagała, J.
Bąk-Misiuk, J.
Dobosz, D.
Leszczyński, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968459.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.60.Bs
68.55.Ln
Opis:
Experimental evidence for unidirectional microcracking in semi-bulk AlGaAs layers grown on (001) GaAs substrates is presented. The asymmetrical microcracking leads to anisotropic lattice misfit relaxation in the AlGaAs/GaAs structure and is explained in terms of higher mobility of [-110]-oriented α-type dislocations than that of β-type dislocations oriented in [110] direction.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 1092-1096
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
High-Pressure Diffraction Study of Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As
Autorzy:
Paszkowicz, W.
Dynowska, E.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Otto, J. W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1964159.pdf
Data publikacji:
1997-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
64.30.+t
62.50.+p
64.70.Kw
Opis:
The Ga$\text{}_{1-x}$Al$\text{}_{x}$As sample of x=0.5 was prepared from a high quality single crystal grown by electroepitaxy on GaAs. The high-pressure diffraction experiments were performed using a diamond anvil cell and a germanium solid state detector. The zinc-blende phase is stable up to about 17.5 GPa on uploading. A high-pressure phase manifests itself at about 17 GPa, a complete phase change occurs at 18.7 GPa. On downloading, the zinc-blende phase reappears at about 10 GPa. The powder pattern of the high-pressure phase shows some similarities with the GaAs high pressure phases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 91, 5; 993-996
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
AlGaAs to GaAs Energy Transfer Mechanisms in AlGaAs/GaAs Structures
Autorzy:
Karpińska, K.
Godlewski, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Chen, W. M.
Weber, E. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1921617.pdf
Data publikacji:
1992-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
76.70.Hb
78.55.Cr
Opis:
The results of photoluminescence and optically detected cyclotron resonance experiments are presented for thick AlGaAs epilayers grown by liquid phase electroepitaxy method on GaAs:Cr substrate. These results indicate an efficient energy transfer from excited AlGaAs to GaAs.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 4; 713-716
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of the DX State by Donors in Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As - Experiment
Autorzy:
Dobaczewski, L.
Kaczor, P.
Missous, M.
Żytkiewicz, Z. R.
Dobosz, D.
Peaker, A. R.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1924251.pdf
Data publikacji:
1992-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.38.+i
71.55.Eq
78.50.Ge
Opis:
A high-resolution Laplace-transform deep level transient spectroscopy was used to study electron emission from the DX centres related to group IV and VI donor elements in AlGaAs. This provides the experimental evidence that substitutional-interstitial atom motion is responsible for DX behaviour and for the associated metastability effects.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1992, 82, 5; 905-907
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Lattice Sites of Silicon Impurities in AlGaAs Grown by Liquid Phase Epitaxy
Autorzy:
Kaczor, P.
Ashwin, M. J.
Dobosz, D.
Żytkiewicz, Z. R.
Newman, R. C.
Dobaczewski, L.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1951990.pdf
Data publikacji:
1996-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.Fs
63.20.Pw
61.72.-y
Opis:
Localised vibrational mode infrared absorption (10 K) and Hall measurements were made on a series of Si doped Al$\text{}_{x}$Ga$\text{}_{1-x}$As samples with 0 ≤ x ≤ 0.25 grown by liquid phase epitaxy. Localised vibrational modes were detected from Si$\text{}_{Ga}$ donors, Si$\text{}_{As}$ acceptors and Si$\text{}_{Ga}$-Si$\text{}_{As}$ pairs which increased in frequency as x increased. The assignments of new lines observed at 386, 388 and 391 cm$\text{}^{-1}$ are discussed in relation to possible perturbations of the lines from Si$\text{}_{Ga}$ or Si$\text{}_{As}$. The presence of DX centres was inferred from observed persistent photoconductivity and attempts were made to relate this result to the presence of the new IR lines.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 5; 865-868
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 16

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies