Temat: Crystal - Katalog OPAC zbiorów

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: A comparative study on the performance of radiation detectors from the HgI2 crystals grown by different techniques
Autorzy:: Martins, J. F. T.
Costa, F. E.
dos Santos, R. A.
de Mesquita, C. H.
Hamada, M. M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/146916.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Instytut Chemii i Techniki Jądrowej
Tematy:: crystal growth
iodide mercury crystal
physical vapor transport (PVT)
radiation detector
semiconductor crystal
Opis:: In this work, the establishment of a technology for HgI2 purification and crystal growth is described, aiming at a future application of this crystal as a room temperature radiation semiconductor detector. Two methods of crystal growth were studied in the development of this work: (1) physical vapor transport (PVT) and (2) saturated solution from dimethylsulphoxide (DMSO) complexes. In order to evaluate the crystals obtained using each of these methods, systematic measurements were carried out for determining the stoichiometry, structure, orientation, surface morphology and impurity of the crystal. The influence of these physicochemical properties of the crystals developed was evaluated in terms of their performance as a radiation detector. The best response to radiation was found for the crystals grown by the PVT technique. Significant improvement in the performance of HgI2 radiation detector was found, purifying the crystal by means of two successive growths by the PVT technique.
Źródło:: Nukleonika; 2012, 57, 4; 555-562
0029-5922
1508-5791
Pojawia się w:: Nukleonika
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Growth and study of nonlinear optical crystals at the Hungarian Academy of Sciences
Autorzy:: Földvári, I.
Polgár, K.
Péter, A.
Beregi, E.
Szaller, Z.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/308743.pdf
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:: crystal growth
nonlinear optical materials
Opis:: The former Research Laboratory for Crystal Physics continues the growth and defect structure investigation of nonlinear optical single crystals in a new organization, as a part of the Research Institute for Solid State Physics and Optics, Hungarian Academy of Sciences. The aim of the activity is to prepare specific crystals for basic and applied research as well as for applications. We improve the quality or modify the properties of well known nonlinear oxide and borate crystals and develop new materials. The principle nonlinear optical crystals in our profile are the followings: Paratellurite (TeO2), congruent, Mg-doped and stoichiometric lithium niobate (LiNbO3), a variety of sillenite structured crystals (Bi12MeO20, Me=Si, Ge, Ti, etc.), bismuth tellurite (Bi2TeO5) and nonlinear borates (BBO-beta-BaB2O4, LBO-LiB3O5, LTB-Li2B4O7, CLBO-CsLiB6O10 and YAB-YAI3(BO3)4). Details of the crystal preparation and the major achievements are discussed in the paper.
Źródło:: Journal of Telecommunications and Information Technology; 2000, 1-2; 37-41
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:: Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Investigation on Nucleation Kinetics, Growth and Nonlinear Optical Properties of L-Cystine Hydrochloride Crystal
Autorzy:: Manivannan, D.
Kirubavathi, K.
Selvaraju, K.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1029827.pdf
Data publikacji:: 2018-01
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: crystal growth
nucleation kinetics
optical materials
NLO
Opis:: The semiorganic nonlinear optical crystal of amino-carboxyl acid family, L-cystine hydrochloride (LCHCl) was successfully grown from its aqueous solution by the slow evaporation solution growth method. The solubility, metastable zone width and induction period were determined for the first time experimentally and there by the possibility of growing bulk crystals of LCHCl using deionized water as solvent. The induction period was recorded for the different supersaturation ratios (S=1.2, 1.3, 1.4, and 1.5), which reveals that the induction period of LCHCl decreases with increase in supersaturation. The nucleation kinetic parameters such as critical free energy, change of volume free energy, critical radius, number of molecules in the critical nucleus and nucleation rate have been evaluated for LCHCl crystals. The interfacial energy values of LCHCl were determined for different supersaturation ratio by means of varying temperatures. The single crystal X-ray diffraction gives the lattice parameters value of the grown crystals. The second harmonic generation efficiency was confirmed by the Kurtz-Perry powder method. The laser damage threshold energy of the grown crystal indicates that grown crystal has excellent resistance to laser radiation also compared with known other nonlinear optical crystals.
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 1; 63-67
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:: Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: An efficient Monte Carlo Potts method for the grain growth simulation of single-phase systems
Autorzy:: Maazi, Noureddine
Lezzar, Balahouane
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/29520251.pdf
Data publikacji:: 2020
Wydawca:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:: alloys
crystal growth
Monte Carlo simulation
microstructure
Opis:: The choice of the lattice sites to be reoriented in the Monte Carlo Potts algorithm for grain growth simulation is repeated in a non-homogeneous way. Therefore, some grains are favorably growing than others. This fact may seriously affect the simulation results. So a modified MC method is presented. Lattice sites are selected for reorientation one by one following their positions in the matrix in each Monte Carlo step (mcs). This approach ensures that the various selections of one lattice site within every mcs are eliminated, and no favorable growth of grains at the expense of others. The calculation time considerably decreases. The effect of real-time and physical temperature on the grain growth kinetics is discussed.
Źródło:: Computer Methods in Materials Science; 2020, 20, 3; 85-94
2720-4081
2720-3948
Pojawia się w:: Computer Methods in Materials Science
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Problemy wzrostu monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4 i orientacji < 100 > oraz < 111 >
Difficulties in 4 gallium phosphide (GaP) single crystals growing in < 100 > or < 111 > direction
Autorzy:: Orłowski, W.
Mirowska, A.
Hruban, A.
Strzelecka, S.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192234.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: GaP
monokrystalizacja
metoda LEC
crystal growth
LEG method
Opis:: Opracowano warunki otrzymywania monokryształów fosforku galu (GaP) o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Skonstruowano układy termiczne dla urządzenia MarkIV, w których można otrzymywać metodą Czochralskiego z herme-tyzacją cieczową (LEC - Liąuid Encapsulated Czochralski) duże monokryształy GaP. Zbadano termiczne warunki wzrostu kryształów. Doświadczalnie określono wpływ niektórych elementów układu termicznego na kształt pola temperatur w obszarze wzrostu kryształów. Otrzymano monokryształy GaP o średnicy 4" i orientacji < 100 > oraz < 111 >. Zbadano ich własności elektryczne i strukturalne.
Technological parameters for growing 4"(GaP) single crystals in < 100 > and < 111 > direction were investigated. Thermal systems were constructed for MarklV puller, which allow growing GaP single crystals with big diameter by Liquid Encapsulated Czochralski method. The influence of some of the thermal system elements on the temperature field near the growing crystal was experimentally assessed. GaP crystals of 4" in diameter were obtained in < 100 > and < 111 > direction. Electrical and structural parameters were assessed.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2010, T. 38, nr 2, 2; 9-19
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
Growth of gallium antimonide single crystals in and directions by Czochralski method
Autorzy:: Mirowska, A.
Orłowski, W.
Bańkowska, A.
Hruban, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/192038.pdf
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: GaSb
monokrystalizacja
domieszkowanie
własności elektryczne
crystal growth
doping electrical properties
Opis:: Do otrzymywania monokryształów antymonku galu o orientacji <111> oraz <100> zastosowana została zintegrowana z syntezą in-situ zmodyfikowana metoda Czochralskiego. Zbadano wpływ parametrów technologicznych procesu wzrostu na własności elektryczne niedomieszkowanych monokryształów GaSb. Uzyskano niedomieszkowane monokryształy GaSb typu p o koncentracji dziur w zakresie 1 ÷ 2 x 10^17 cm -³ i ruchliwości 600 ÷ 700 cm²/Vs (w 300 K). Przeprowadzono również próby domieszkowania na typ n oraz typ p. Zbadano wpływ koncentracji domieszki (Te, Si), jak też sposobu jej wprowadzania (Si), na własności elektryczne otrzymanych kryształów.
The aim of this work was to find out technological conditions for growing undoped gallium antimonide (GaSb) single crystals in <111> and <100> direction. Integrated process of in-situ synthesis and modified Czochralski crystal growth has been applied. The influence of charge material purity as well as other technological parameters on electrical properties of GaSb crystals was investigated. Undoped gallium antimonide single crystals were obtained with carrier concentration in the range 1 ÷ 2xl0^17 cm -³ and carrier mobility 600 ÷ 700 cm²Vs. First attempts of doping GaSb were made. The influence of doping (the way of doping and dopant quantity) on crystal parameters was also investigated.
Źródło:: Materiały Elektroniczne; 2009, T. 37, nr 2, 2; 3-15
0209-0058
Pojawia się w:: Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Growth velocities and sectorial and zonal distributions of impurities in crystals
Prędkości wzrostu i sektoralne oraz zonalne rozkłady zanieczyszczeń w kryształach
Autorzy:: Szurgot, M.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/296476.pdf
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydawnictwo Politechniki Łódzkiej
Tematy:: wzrost kryształu
zanieczyszczenie
lopezyt
defekty wzrostu kryształów
crystal growth
impurities
lopezite crystals
defect
Opis:: Formulae for relative impurity content in various parts of a crystal have been derived and analysis of sectorial and zonal distributions of impurities conducted. Contribution of volume diffusion controlled crystal growth for sectorial and tonal distributions of impurities in lopezite crystals has been evaluated as small in comparison with surface diffusion.
Analizowano rozkład zanieczyszczeń w kryształach, wprowadzając nowe zależności na zawartość zanieczyszczeń w różnych częściach kryształów, które wyprowadzono wykorzystując równanie Burtona-Prima-Slichtera. Porównanie zawartości domieszek określonych teoretycznie z danymi eksperymentalnymi gęstości klasterów defektów punktowych w różnych sektorach i prążkach domieszkowych kryształów lopezytu pokazuje, że dla lopezytu wkład dyfuzji objętościowej jest mały i uwzględnienie procesów dyfuzji powierzchniowej jest konieczne.
Źródło:: Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź; 2010, 31; 75-86
1505-1013
2449-982X
Pojawia się w:: Scientific Bulletin. Physics / Technical University of Łódź
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Wzrost i właściwości optyczne kryształu BaGd₂ (MoO₄)₄ domieszkowanego Er³⁺
Growth and optical properties of Er3+-doped BaGdcrystal 2 (MoO4)4
Autorzy:: Han, S.
Wang, J.
Zhang, H.
Pan, S.
Xv, H.
Wang, Y.
Shen, C.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/142191.pdf
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Przemysłu Chemicznego. Zakład Wydawniczy CHEMPRESS-SITPChem
Tematy:: Wytwarzanie kryształów
ciepło właściwe
widmo
czas trwania fluorescencji
crystal growth
specific heat
spectrum
fluorescence lifetime
Opis:: Pojedynczy kryształ BaGd₂(MoO₄)₄ domieszkowany 1% at. Er³⁺ wyhodowano metodą Czochralskiego. Omówiono szczegóły procedury otrzymywania i wzrostu kryształu. Kryształ ma doskonałą płaszczyznę poślizgu (010), a jego łupliwość czyni go przydatnym jako ośrodek czynny w mikrolaserach. Zmierzono widmo absorpcyjne w zakresie światła widzialnego i bliskiej podczerwieni (NIR) w temperaturze pokojowej. W zakresie od 380 do 1600 nm występuje kilka intensywnych pików absorpcyjnych. Zmierzono również widmo fluorescencyjne wzbudzane za pomocą lampy ksenonowej. Zaobserwowano intensywny pik emisyjny NIR 1536 nm. Czasy trwania fluorescencji ⁴I_13/2 oraz ⁴I_11/2 wyznaczone za pomocą dopasowania krzywej wykładniczej wyniosły odpowiednio 5,85 ms i 112,62 μs. Ciepło właściw Er³⁺ BaGd₂(MoO₄)₄ w 25°C wynosi 0,471 J g^-1 K^-1. Na podstawie zmierzonych widm obliczono parametry optyczne na podstawie teorii Judda-Ofelta (J–O).
A 1 at % Er³⁺ doped BaGd₂(MoO₄)₄ single crystal was grown by the Czochralski method. Details on the preparation and growth procedures were discussed. The crystal has a perfect (010) cleavage plane, and the cleavage character makes the crystal suitable as a gain medium for microchip lasers. The absorption spectrum in the visible and near-infrared (NIR) regions was measured at room temperature. There are several strong absorption peaks in the range from 380 to 1600 nm. The fluorescence spectrum excited by a Xenon lamp was also measured. A strong NIR emission peak located at 1536 nm was observed. The fluorescence lifetimes of ⁴I_13/2 and ⁴I_11/23+:BaGd₂(MoO₄)₄ at 25°C is 0.471 J g^-1 K^-1. Using the measured spectra, the optical parameters were calculated using the J–O theory.
Źródło:: Chemik; 2013, 67, 9; 763-770
0009-2886
Pojawia się w:: Chemik
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Modeling of dynamics of big size ZnGeP2 crystal growth by vertical Bridgman technique
Autorzy:: Philippov, M.
Babushkin, Y.
Efimov, S.
Zamyatin, S.
Rudnicki, V.
Trofimov, A.
Gribenyukov, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/202215.pdf
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: crystal growth
temperature field
finite elements method
Bridgman technique
wzrost kryształów
pole temperatury
metoda elementów skończonych
metoda Bridgmana
Opis:: The results of a modelling of big size single crystal ZnGeP2 growth dynamics in the multi-zone thermal installation based on the vertical variant of the Bridgman technique are given. Trustworthiness of the results modeling is achieved by means of creation of the mathematical model taking into account the particularities of the installation as well as the changes in installation work volume during crystallization. Temperature field changes during crystal growth by numerical technique were examined. It is demonstrated that growth container moving has a significant impact on temperature field in work volume and crystallization isotherm local position. Thus, the actual crystal growth rate differs from the nominal velocity of growth container moving. The data received as a result of modelling should be taken into account in new equipment designing, crystallization process control system development and crystal growth experiments planning.
Źródło:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2018, 66, 3; 283-290
0239-7528
Pojawia się w:: Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Digital Concentration-Distribution Models - tools for a describing heterogeneity of the hybridized magmatic mass as reflected in elemental concentration of growing crystal
Autorzy:: Śmigielski, M.
Słaby, E.
Domonik, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/138808.pdf
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:: cyfrowe stężenia dystrybucji modeli
mieszanie magmy
model cyfrowy
raster
wzrost kryształów
crystal growth
DC-DM
EMPA
LA-ICP-MS
magma mixing
Raster digital model
Opis:: Raster digital models (digital concentration-distribution models - DC-DMs) as interpolations of geochemical data are proposed as a new tool to depict the crystal growth mechanism in a magmatic environment. The Natural Neighbour method is proposed for interpolation of Electron Microprobe Analysis (EMPA) data; the Natural Neighbour method and Kriging method are proposed for interpolating data collected by the LA-ICP-MS method. The crystal growth texture was analysed with the application of DC-DM derivatives: 3D surface models, shaded relief images, aspect and slope maps. The magmatic mass properties were depicted with the application of solid models. Correlation between the distributions of two elements on a single crystal transect was made by operations on the obtained raster DC-DMs. The methodology presented is a universal one but it seems to be significant for the depiction of magma mixing processes and the heterogeneity of the magmatic mass.
Źródło:: Acta Geologica Polonica; 2012, 62, 1; 129-141
0001-5709
Pojawia się w:: Acta Geologica Polonica
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Zmień widok

na półce

Informacja

Wyszukujesz frazę "Crystal" wg kryterium: Temat

Źródło danych

Dostawca treści

Kolekcja

Rok wydania

Wydawca

Temat

Autor

Typ dokumentu

Język