The results of a modelling of big size single crystal ZnGeP2 growth dynamics in the multi-zone thermal installation based on the vertical variant of the Bridgman technique are given. Trustworthiness of the results modeling is achieved by means of creation of the mathematical model taking into account the particularities of the installation as well as the changes in installation work volume during crystallization. Temperature field changes during crystal growth by numerical technique were examined. It is demonstrated that growth container moving has a significant impact on temperature field in work volume and crystallization isotherm local position. Thus, the actual crystal growth rate differs from the nominal velocity of growth container moving. The data received as a result of modelling should be taken into account in new equipment designing, crystallization process control system development and crystal growth experiments planning.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00