Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Wójtowicz, D." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-3 z 3
Tytuł:
Thermal Desorption of Krypton Implanted into Silicon
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Wójtowicz, A.
Filiks, J.
Pyszniak, K.
Mączka, D.
Yuschkevich, Y.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030211.pdf
Data publikacji:
2017-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.43.Vx
61.72.uf
Opis:
The thermal desorption spectrometry studies of krypton implanted Si samples are presented. Implantations (with the fluence 2×10¹⁶ cm¯²) were done with the energies 100, 150, and 200 keV. Additionally, a 200 keV and 100 keV Kr⁺G double implantation was performed. A sudden Kr release was observed in the ≈1100-1400 K range, most probably coming from the gas bubbles in cavities. The desorption activation energy varies from 2.5 eV (100 keV) to 0.8 (200 keV). The peak splitting suggests existence of two kinds of cavities trapping the implanted noble gas. Two Kr releases are observed for the 200 and 100 keV double-implanted samples. The peak shift of the release corresponding to 100 keV implantation could be a result of both introduced disorder and higher effective Kr concentration. The desorption activation energy is risen to ≈3.2 eV for both releases.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 2; 249-253
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Desorption of Helium from Defected Silicon
Autorzy:
Turek, M.
Droździel, A.
Pyszniak, K.
Wójtowicz, A.
Mączka, D.
Yuschkevich, Y.
Vaganov, Y.
Żuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402210.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.43.Vx
61.72.uf
Opis:
The thermal desorption spectroscopy measurements of He implanted silicon samples are reported. The He implantation energy was 90 keV (at 45° tilt) while the fluence was 10¹⁶ cm¯². Additionally, the influence of Si pre-implantation (fluences in the range 10¹⁴-10¹⁶ cm¯², E=260 keV) was under investigation. The He releases from both interstitials/vacancies (β peak) and cavities (α peak or rather band consisting probably of at least two peaks) were observed. The α peak disappears for the pre-implantation fluences larger than 10¹⁵ cm¯², while β peak becomes broader and shifts toward higher temperatures. The thermal desorption spectra were collected using heating ramp rates in the range 0.3-0.7 K/s. Desorption activation energy of the β peak for different pre-implantation fluences was found using the Redhead analysis of the β peak shift. It varies from 0.97 eV for the sample that was not pre-implanted up to 1.3 eV for the sample pre-implanted with the fluence 10¹⁶ cm¯².
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 849-852
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Thermal Desorption Studies of $Ar^{+}$ Implanted Silicon
Autorzy:
Drozdziel, A.
Wojtowicz, A.
Turek, M.
Pyszniak, K.
Maczka, D.
Slowinski, B.
Yushkevich, Y.
Zuk, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1382778.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.43.Vx
61.72.uf
Opis:
Thermal desorption spectrometry measurements were performed for Ar implanted Si samples. Implantation energy $E_{i}$ varied in the range 85-175 keV. The release of implanted Ar in two steps was observed in the temperature range 930-1300 K: the relatively narrow peak at lower temperature ( ≈ 930 K for implantation fluence 5 × $10^{16}$ $cm^{-2}$) is due to the release of Ar from the agglomerations (bubbles) while the broader peak observed for higher temperatures ( ≈ 950 K for implantation fluence 5 × $10^{16}$ $cm^{-2}$) comes from Ar atoms diffusing out of the sample. Inverse order of peaks is observed compared to the results for lower energy implantations (< 50 keV). Analyzing the thermal desorption spectra collected for different heating ramp rates enabled estimation of the desorption activation energy (2 eV for $E_{i}$ = 85 keV and 1.7 eV for $E_{i}$ = 115 keV).
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1400-1403
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-3 z 3

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies