Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Yu, H. K." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Exchange Bias in Ni-Mn-Sn Heusler Alloy Films
    Autorzy:
    Gościańska, I.
    Załęski, K.
    Głowiński, H.
    Kudryavtsev, Yu.
    Dubowik, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1427549.pdf
    Data publikacji:
    2012-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.70.Ak
    75.30.Et
    Opis:
    We report a relatively large exchange bias effect observed for the first time in Ni-Mn-Sn thin films with different microstructure and composition: a $Ni_{50}Mn_{36}Sn_{14}$ epitaxial film (A), a $Ni_{50}Mn_{43}Sn_7$ film which is phase decomposed (B), and a $NiMn//Ni_{50}Mn_{25}Sn_{25}$ bilayer (C). Despite the samples differ markedly in both microstructure and composition $H_{EB}$ does not substantially differs at 5 K. Exchange bias decreases with increasing T approximately as $H_{EB}$ (T) ∝ $H_{EB}$ (5K)/T with $H_{EB}$ (5K) of 180 Oe and 60 Oe for sample B and C, respectively and almost linearly for sample A with $H_{EB}$ (5K) = 65 Oe. Blocking temperature where the exchange bias vanishes is 40, 50 and 80 K for sample A, C and B, respectively. The results suggest that the role of AFM/FM interfaces is not substantial in formation of exchange bias in Ni-Mn-Sn Heusler alloy films and exchange bias is rather related to AFM/FM interactions in nanoscale.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2012, 121, 5-6; 1179-1181
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic and Ferroelectric Ordering in the $TbMnO_3$ Film
    Autorzy:
    Sazanovich, A.
    Nikolaenko, Yu.
    Paszkowicz, W.
    Mikhaylov, V.
    Dyakonov, K.
    Medvedev, Yu.
    Nizhankovskii, V.
    Dyakonov, V.
    Szymczak, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1207010.pdf
    Data publikacji:
    2014-01
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.47.Lx
    75.85.+t
    75.70.Ak
    77.55.Nv
    Opis:
    Measurements of magnetization and electric polarization performed for the $TbMnO_3$ film grown onto the single crystal [100] $SrTiO_3$ substrate using magnetron sputtering technique exhibit series of anomalies related to the magnetic and electric ordering of the $Tb^{3+}$ and $Mn^{3+}$ sublattices. The detailed temperature dependences of the electric polarization and dielectric constant of the $TbMnO_3$ film have shown that the ferroelectric phase appears below 30 K in magnetic field H > 1 T applied in-plane and out-of-plane of the film.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 1; 128-130
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Optically Active Si:Er Layers Grown by the Sublimation MBE Method
    Autorzy:
    Stepikhova, M.
    Andreev, A.
    Andreev, B.
    Krasil'nik, Z.
    Shmagin, V.
    Kuznetsov, V.
    Rubtsova, R.
    Jantsch, W.
    Ellmer, H.
    Palmetshofer, L.
    Preier, H.
    Karpov, Yu.
    Piplits, K.
    Hutter, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1992203.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    81.15.Hi
    Opis:
    We report the first application of sublimation molecular beam epitaxy to grow uniformly and selectively doped Si:Er layers with Er concentration up to 5×10$\text{}^{18}$ cm$\text{}^{-3}$. The Hall concentration of electrons is about 10% of total Er contents. The mobility is 300-400 cm$\text{}^{2}$ V$\text{}^{-1}$ s$\text{}^{-1}$ at 300 K. All samples exhibit photoluminescence at 1.537 μm up to 100-140 K.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 549-554
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Influence of Annealing Temperature on Magnetic Properties of Vitrovac 6030
    Autorzy:
    Lachowicz, H. K.
    Popławski, F.
    Żuberek, R.
    Kulik, T.
    Ślawska-Waniewska, A.
    Kuźmiński, M.
    Yu, S. C.
    Dynowska, E.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2011100.pdf
    Data publikacji:
    1999-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Cc
    75.50.Kj
    75.60.Ch
    Opis:
    Co-Fe-Mo-Mn-Si-B metallic glass ribbon (Vitrovac 6030) was subjected to the isothermal annealing at temperatures in the range 523-873 K so as to produce a series of samples with gradually coarser microstructure. For this series of samples a giant increase in the coercivity, exceeding three orders of magnitude, is observed. This increase is interpreted in terms of the strengthening of the pinning effect of the nanocrystalline structure on the moving domain walls. It is shown that the anisotropy of the created crystallites is mainly responsible for the increase in the pinning force since the effective anisotropy seen by the wall becomes larger and larger with the gradual increase in the density and size of the grown particles.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1999, 96, 3-4; 483-494
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Resonant State of 4f$\text{}^{14}\text{}^{/}\text{}^{13}$ Yb Ion in Pb$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$Te
    Autorzy:
    Grodzicka, E.
    Dobrowolski, W.
    Story, T.
    Slynko, E. T.
    Vygranenko, Yu.K.
    Willekens, M. M. H.
    Swagten, H. J. M.
    de Jonge, W. J. M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1950801.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.55.Ht
    75.20.Ck
    Opis:
    The study of transport and of magnetic properties of Pb$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$Te:Yb mixed crystals (0 ≤ x ≤ 0.04) is reported. It is shown that Yb forms a donor state resonant with the PbTe valence band. The donor state position may be tuned (shifted relative to the energy gap) by admixture of Ge. The properties of the Yb ion in the Pb$\text{}_{1-x}$Ge$\text{}_{x}$Te matrix makes the system unique from the point of view of magnetic properties. It is demonstrated that the change of the conductivity type from p to n induces transitions from the paramagnetic state to the diamagnetic one.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 801-804
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Magnetic and Structural Properties of EuS-PbS Multilayers Grown on n-PbS (100) Substrates
    Autorzy:
    Chernyshova, M.
    Łusakowska, E.
    Domukhovski, V.
    Grasza, K.
    Szczerbakow, A.
    Wrotek, S.
    Kowalczyk, L.
    Story, T.
    Smits, C. J. P.
    Swagten, H. J. M.
    De Jonge, W. J. M.
    Palosz, W.
    Sipatov, A. Yu.
    Volobuev, V. V.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2035589.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.20.Ck
    75.30.Et
    Opis:
    Magnetic properties of semiconductor EuS(t)-PbS(d)-EuS(t) ferromagnetic trilayers (t=30÷300Å and d=7.5÷70Å) grown on n-type monocrystalline PbS (100) substrate were studied by SQUID magnetometry and ferromagnetic resonance technique yielding, in particular, the dependence of the ferromagnetic Curie temperature on the thickness of the EuS layer. Structural parameters of layers were examined by X-ray powder diffraction analysis. A high structural quality of the substrate and the multilayer was verified by the measurements of the X-ray rocking curve width indicating the values of the order of 100 arcsec and by atomic force microscopy revealing the presence on the cleft PbS surface regions practically flat in the atomic scale over the area of 1×0.1μm$\text{}^{2}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2002, 102, 4-5; 609-615
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Scanning Tunneling Spectroscopy Study of Surface States of 3d Metals: Chemical Identification, Magnetic Contrast and Orbital Kondo Resonance States
    Autorzy:
    Bischoff, M. M. J.
    Fang, C. M.
    de Groot, R. A.
    Heijnen, G. M. M.
    Katsnelson, M. I.
    Kolesnychenko, O. Yu.
    de Kort, R.
    Lichtenstein, A. I.
    Quinn, A. J.
    Vasquez de Parma, A. L.
    Yamada, T. K.
    van Kempen, H.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2036891.pdf
    Data publikacji:
    2003
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.-r
    68.37.-d
    75.70.-i
    Opis:
    The surface states of 3d transition metals are studied by scanning tunneling microscopy and scanning tunneling spectroscopy. The results show that surface states can be used for chemical identification with high spatial resolution. The spin polarized nature of the surface states allows us to obtain magnetic contrast in scanning tunneling miroscopy imaging with near atomic resolution. For Cr(100) we found that the surface state close to the Fermi level can be explained by an orbital Kondo resonance surface state.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 3-4; 231-243
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies