Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Wrobel, J" wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 37
Tytuł:
Electron Transport in Submicron Wires of Semiconductors
Autorzy:
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1947015.pdf
Data publikacji:
1996-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.15.Rn
73.20.Fz
73.61.Ga
75.50.Pp
Opis:
We review the methods of fabrication and transport properties of submicron II-VI, IV-VI and III-V semiconductor wires. Devices were prepared by electron-beam lithography and used for detailed magnetotransport studies, carried out at low (down to 30 mK) temperatures. We discuss a number of novel features obtained in ballistic, diffusive and localized transport regimes. In particular, we describe the universal conductance fluctuations for semimagnetic materials (CdMnTe) and discuss the edge channel transport for PbTe, PbSe and GaAs/GaAlAs systems.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 691-701
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Linear and Non-Linear Response in T-Shaped Electron Waveguides
Autorzy:
Bek, M.
Bułka, B.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791289.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.23.-b
73.63.Rt
85.35.Ds
85.35.Be
Opis:
We present theoretical studies of three-terminal ballistic junction in linear and non-linear regime. Various conductance and voltage dips and peaks are observed and their origin is explained as influence of the bend resistance and the threshold effect.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 829-831
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Optical Studies of HgCdMnTe Bicrystals
Autorzy:
Grabecki, G.
Wróbel, J.
Karczewski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1879930.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.40.+w
73.40.Lq
Opis:
We report preliminary results of optical measurements performed on Hg$\text{}_{1-x-k}$Cd$\text{}_{x}$Mn$\text{}_{k}$Te grain boundaries. Photovoltaic spectra and I-V characteristics under illumination exhibit metastable behavior, confirming our previous conclusions based on transport measurements under high hydrostatic pressure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 221-223
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Focusing with 2D Square Photonic Crystal with Concavo-Concavo Boundaries
Autorzy:
Palka, N.
Ciurapinski, W.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1807741.pdf
Data publikacji:
2009-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
42.70.Qs
42.79.Bh
42.25.Bs
Opis:
We studied focusing properties of 2D square photonic crystal with concavo-concavo boundaries. The photonic crystal is built by air holes in a uniform dielectric. The incident plane wave propagates through a section of the photonic crystal and efficient focusing is observed by finite difference time domain simulations. To analyze the properties of photonic crystal we calculated the photonic band structure and equal frequency contours for TE modes. In our simulation we consider influence of geometry of the concave structures on the focusing properties.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 3; 368-370
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
An Investigation of Optical Vibrations in Zn$\text{}_{3}$P$\text{}_{2}$
Autorzy:
Misiewicz, J.
Wrobel, J. M.
Clayman, B. P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1887203.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
63.20.-e
78.30.Hv
Opis:
Reflectivity and transmittivity spectra of Zn$\text{}_{3}$P$\text{}_{2}$ in the far infrared region were measured at several temperatures. Raman scattering spectra at 295 K were also measured. Results of these measurements were interpreted in terms of one-phonon and multi-phonon transitions.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 405-409
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Observation of Two-Dimensional Electron Gas in LPE-Grown GaInAs-InP Heterostructures
Autorzy:
Fronc, K.
Grabecki, G.
Wróbel, J.
Dietl, T.
Gajewska, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1891365.pdf
Data publikacji:
1991-09
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.Df
73.20.Dx
73.60.Br
Opis:
A series of GaInAs/InP heterostructures was grown by liquid phase epitaxy. The heterostructures were characterized by magnetotransport measurements carried out down to 1.8 K and up 10 T. The results demonstrate the existence of the high-mobility two-dimensional electron gas in the narrow-gap GaInAs as well as the presence of residual conductance through the InP buffer layer.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 80, 3; 449-452
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Mechanical and Electrical Properties, of ZnO-Nanowire/Si-Substrate Junctions Studied by Scanning Probe Microscopy
Autorzy:
Aleszkiewicz, M.
Fronc, K.
Wróbel, J.
Klepka, M.
Wojtowicz, T.
Karczewski, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2047440.pdf
Data publikacji:
2007-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.37.Ef
68.37.Ps
68.65.La
73.21.Hb
78.67.Lt
Opis:
Scanning tunneling spectroscopy was used to check the tunneling I-V characteristics of junctions formed by n-ZnO nanowires deposited on Si substrates with n- and p-type electrical conductivity (i.e. n-ZnO nanowire/n-Si and n-ZnO nanowire/p-Si junctions, respectively). Simultaneously, several phenomena which influence the measured I-V spectra were studied by atomic force microscopy. These influencing factors are: the deposition density of the nanowires, the possibility of surface modification by tip movement (difference in attraction forces between nanowires and the p-Si and n-Si) and the aging of the surface.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2007, 112, 2; 255-260
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Bistability of (Ga,Mn)As Ferromagnetic Nanostructures Due to the Domain Walls Switching
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Wosiński, T.
Mąkosa, A.
Figielski, T.
Wróbel, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1791342.pdf
Data publikacji:
2009-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
75.60.Ch
85.75.-d
Opis:
We designed and investigated four-arm nanostructures, composed of two perpendicularly crossed stripes, fabricated from ferromagnetic (Ga,Mn)As layer by means of electron-beam lithography patterning and chemical etching. The nanostructures exhibit a bistable resistance behavior resulting from two configurations of magnetic domain walls in the central part of the structures. We demonstrate a possibility of switching between two stable resistance states in zero magnetic field by applying a pulse of either weak magnetic field or electric current through the structure.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 901-903
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Low Temperature Processing of Nanostructures Based on II-VI Semiconductors Quantum Wells
Autorzy:
Majewicz, M.
Śnieżek, D.
Wojciechowski, T.
Baran, E.
Nowicki, P.
Wojtowicz, T.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1376129.pdf
Data publikacji:
2014-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ga
73.63.Hs
68.37.Hk
62.23.St
Opis:
We report the first results of electron beam lithography processes performed on polymethyl methacrylate (PMMA) and hydrogen silsesquioxane (HSQ) resists, which have been pre-backed in vacuum at T ≤ 90°C. For such low temperature processing the lithographical resolution is reduced as compared to standard procedures, however, the exposure contrast and adhesion to CdTe and HgTe substrates have been sufficient for the fabrication of sub-μ m quantum devices. Furthermore, the new method of electrical microcontact forming is proposed, based on the local melting and annealing of an indium metal layer, performed with the application of accelerated electron beam. The method has been tested for CdTe/CdMgTe quantum wells using the lithography techniques, the exposure parameters have been optimized by inspecting the morphology of annealed metal film via the in situ imaging.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 126, 5; 1174-1176
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magneto-Transport Characterization of Four-Arm Nanostructure Based on Ferromagnetic (Ga,Mn)As
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Wosiński, T.
Figielski, T.
Mąkosa, A.
Tkaczyk, Z.
Łusakowska, E.
Wróbel, J.
Sadowski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1811912.pdf
Data publikacji:
2008-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.50.Jt
75.50.Pp
75.30.Gw
75.60.Ch
Opis:
We report on results of magneto-transport measurements performed on four-arm nanostructure fabricated from p-type ferromagnetic $Ga_{0.92}Mn_{0.08}As$ layer. The results reveal hysteresis-like behaviors of low field magnetoresistance. We interpret the magnetoresistance in terms of domain walls, which are expected to be trapped inside the nanostructure at some particular positions and which contribute to the total resistance.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1049-1054
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
GaSb Dots Grown on GaAs Surface by Metalorganic Chemical Vapour Deposition
Autorzy:
Bożek, R.
Babiński, A.
Baranowski, J. M.
Stępniewski, R.
Klusek, Z.
Olejniczak, W.
Starowieyski, K.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1934054.pdf
Data publikacji:
1995-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.15.Gh
68.55.-a
Opis:
We report metaloorganic chemical vapour deposition growth of an anisotropic GaSb islands on GaAs (001) surface with a typical dimensions around 200 nm. Results of investigations employing scanning electron microscope, scanning tunnelling microscope and ph9tocapacitance are presented.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 974-976
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Magnetotransport through Nanoconstriction in Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
Autorzy:
Figielski, T.
Wosiński, T.
Pelya, O.
Sadowski, J.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Jagielski, J.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2035752.pdf
Data publikacji:
2003-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.63.-b
75.60.-d
73.20.Fz
Opis:
We studied narrow (submicron) constrictions in the layers of ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As. We have demonstrated a contribution of the quantum localization effects to the magnetoresistance of the constricted samples. We have also found a negative contribution of a domain wall trapped in the constriction to the resistance, due presumably to the erasing of the localization effects by the domain wall.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 525-531
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electrostatic Gates for GaN/AlGaN Quantum Point Contacts
Autorzy:
Czapkiewicz, M.
Cywiński, G.
Dybko, K.
Siekacz, M.
Wolny, P.
Gierałtowska, S.
Guziewicz, E.
Skierbiszewski, C.
Wróbel, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1403637.pdf
Data publikacji:
2012-12
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.40.Qv
73.61.Ng
73.23.-b
Opis:
We report on AlGaN/GaN quantum point contacts fabricated by using e-beam lithography and dry ion etching. The tunable nano-constrictions are defined by the integration of side and top gates in a single device. In this configuration, the planar gates are located on the both sides of a quantum channel and the metallic top gates, which cover the active region, are separated from the substrate by an insulating and passivating layers of $HfO_2$ or $Al_2O_3//HfO_2$ composite. The properties of devices have been tested at T = 4.2 K. For side gates we have obtained a very small surface leakage current $I_g < 10^{-11}$ A at gate voltages $|V_g|$ < 2 V, however, it is not enough to close the quantum channel. With top gates we have been able to reach the pinch-off voltage at $V_g$ = - 3.5 V at a cost of $I_g ≈ 10^{-6} A$, which has been identified as a bulk leakage current.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1026-1028
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of Ballistic Transport in Wires of n-PbTe
Autorzy:
Grabecki, G.
Wróbel, J.
Dietl, T.
Papis, E.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Ueta, Y.
Sprinholtz, G.
Bauer, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968110.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.-r
73.23.Ad
73.50.Dn
Opis:
We present results of magnetotransport studies on quantum wires of submicron PbTe epilayers, fabricated by means of electron beam lithography and dry etching. When the wire width is reduced down to 1 μm, the transition from diffusive to ballistic regime is observed. Effects associated with collimation and boundary scattering are found in the Hall, longitudinal, and van der Pauw magnetoresistance for wires and junctions in the shape of a cross.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 789-792
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electron Localization in Sb-Doped Si/SiGe Superlattices
Autorzy:
Dietl, T.
Jaroszyński, J.
Sawicki, M.
Głód, P.
Wróbel, J.
Stöger, G.
Brunthaler, G.
Bauer, G.
Schäffler, F.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1933732.pdf
Data publikacji:
1995-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Cw
72.15.Rn
73.20.Fz
Opis:
Millikelvin studies of in-plane magnetoconductance in short period Si/Ge:Sb superlattices have been carried out in order to examine the effect of anisotropy on quantum localization. The field-induced metal-to-insulator transition has been observed, indicating the existence of extended states. This suggests that despite anisotropy as large as D $\text{}_{∥}$/D$\text{}_{⊥}$ ≈ 10$\text{}^{3}$ the system behaves as 3D in respect of localization by disorder.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 699-702
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 37

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies