Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Koltunowicz, M." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Ion-Induced Modification of Structure and Magnetic Anisotropy in Granular FeCoZr-CaF₂ Nanocomposite Films
    Autorzy:
    Kasiuk, J.
    Fedotova, J.
    Przewoznik, J.
    Kapusta, Cz.
    Skuratov, V.
    Milosavljevic, M.
    Bondariev, V.
    Koltunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1402191.pdf
    Data publikacji:
    2015-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    75.50.Tt
    75.30.Gw
    81.15.Jj
    81.40.Wx
    81.40.Rs
    61.80.Jh
    Opis:
    The paper reports on the results of structural analysis and magnetometry of granular nanocomposite films FeCoZr-CaF₂ irradiated with Xe and Kr ions at different fluences. The observed effect of enhanced perpendicular magnetic anisotropy characterizing pristine films is discussed with respect to the irradiation regimes and structural changes of the films originating from the impact of ions.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 828-831
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Effects of Fluences of Irradiation with 107 MeV Krypton Ions on the Recovery Charge of Silicon $p^{+}n$-Diodes
    Autorzy:
    Poklonski, N.
    Gorbachuk, N.
    Tarasik, M.
    Shpakovski, S.
    Filipenia, V.
    Skuratov, V.
    Wieck, A.
    Kołtunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1503994.pdf
    Data publikacji:
    2011-07
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    61.80.Fe
    Opis:
    The diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Krypton ions are implanted to the side of the $p^{+}$-region of diodes (energy 107 MeV, fluence Φp from 5 × $10^7$ to 4 × $10^9 cm^{-2}$). It is shown that recovery charge $Q_{rr}$ is inversely proportional to the square root of the irradiation fluence value Φp. When the fluence increases, the part of the recovery charge Q_{rrA}, due to the high reverse conductance phase, decreases faster than the value $Q_{rr}$.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 111-114
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Current-Voltage Characteristic Features of Diodes Irradiated with 170~MeV Xenon Ions
    Autorzy:
    Poklonski, N.
    Gorbachuk, N.
    Nha, Vo
    Tarasik, M.
    Shpakovski, S.
    Filipenia, V.
    Skuratov, V.
    Wieck, A.
    Kołtunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1400481.pdf
    Data publikacji:
    2013-05
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    72.20.Jv
    61.80.Fe
    Opis:
    Diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Xenon ions were implanted into the diodes from the side of the $p^{+}$-region (implantation energy 170 MeV, fluence Φp from $5 \times 10^7$ to $10^9 cm^{-2}$). It is shown that the formation of a continuous irradiation damaged layer with the thickness of the order of magnitude of the average projective range creates prerequisites for the negative differential resistance in the current-voltage characteristics of the irradiated diodes.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 926-928
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Thermoelectric Properties of $Ca_3Co_4O_9$-Based Ceramics Doped with Fe and/or Y
    Autorzy:
    Fedotov, A.
    Mazanik, A.
    Svito, I.
    Saad, A.
    Troyanchuk, I.
    Bushinski, M.
    Fedotova, V.
    Zukowski, P.
    Koltunowicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1366301.pdf
    Data publikacji:
    2014-06
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    46.25.Hf
    62.20.D-
    82.45.Xy
    Opis:
    We describe here structure and temperature dependences of conductivity σ(T), the Seebeck coefficient α(T), thermal conductivity λ(T) and figure-of-merit ZT(T) in $Ca_3Co_4O_9$ ceramics, doped with Fe and Y, depending on compacting pressure (0.2 or 6 MPa) and temperature (300 < T < 700 K). It is shown that introduction of iron and yttrium to ceramics does not alter the crystalline structure of the material. Increasing the pressure in the compacting process before the additional diffusion annealing leads to a smaller-grained structure and increase σ and λ due to reducing of the synthesized samples porosity. The Seebeck coefficients of nanocomposite ceramics $Ca_3Co_{3.9}Fe_{0.1}O_9$ and $(Ca_{2.9}Y_{0.1})(Co_{3.9}Fe_{0.1})O_9$ have linear dependences on temperature is not changed after increase of compacting pressure. Electrical-to-heat conductivity ratio (σ/λ) for the samples compacted at high (6 GPa) pressure increases not more than 20-30% in comparison with ones compacted at low (0.2 GPa) pressure, whereby ZT is increased more than 50%. The main reason for this effect is samples porosity reduction with the compacting pressure increase.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1344-1347
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies