Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Bugajski, A." wg kryterium: Autor

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-7 z 7
    Tytuł:
    Angular and Temperature Tuning of Emission from Vertical-External-Cavity Surface-Emitting Lasers (VECSELs)
    Autorzy:
    Wójcik-Jedlińska, A.
    Muszalski, J.
    Bugajski, M.
    Łukowski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1812025.pdf
    Data publikacji:
    2008-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.35.Be
    78.67.De
    42.55.Sa
    42.55.Xi
    Opis:
    In this paper we demonstrate how the tuning of the VECSEL heterostructure can be precisely determined. Since the VECSEL active region is embodied in a microcavity, the photoluminescence signal collected from the chip surface is modified by the resonance of this cavity. The angle resolved photoluminescence measurements combined with the temperature tuning of the structure allowed us to precisely determine VECSEL emission features. The investigated structure consists of GaAs cavity with six InGaAs quantum wells and is designed for lasing at 980 nm.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2008, 114, 5; 1437-1443
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The Study of Thermal Properties of GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers
    Autorzy:
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Karbownik, P.
    Szerling, A.
    Kosiel, K.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807668.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    85.35.Be
    72.80.Ey
    Opis:
    Temperature change in quantum cascade laser can be estimated by studying the device resistance change. Using this method we compared quantum cascade laser structure mounted on diamond heat spreader and without heat spreader. We have shown that the use of heat spreader reduces temperature increase even by 40%.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-60-S-61
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Time-Resolved Microwave Spectroscopy of High Electron Mobility GaAs/AlGaAs Structures
    Autorzy:
    Khachepuridze, A.
    Ivanov, V. Yu.
    Godlewski, M.
    Regiński, K.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1991552.pdf
    Data publikacji:
    1998-09
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    73.20.Dx
    76.40.+b
    76.70.Hb
    Opis:
    Mechanism of the optical detection of cyclotron resonance via emission from 2D electron gas in modulation doped quantum wells and in high electron mobility structures of GaAs/AlGaAs is discussed based on the results of time-resolved optical detection of cyclotron resonance. An important role of impact ionization processes is demonstrated. We also show that microwave radiation destroys emission enhancement at the Fermi level and the relevant mechanism is proposed.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1998, 94, 3; 387-391
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Molecular Beam Epitaxy Growth for Quantum Cascade Lasers
    Autorzy:
    Kosiel, K.
    Szerling, A.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Karbownik, P.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1791281.pdf
    Data publikacji:
    2009-11
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    81.15.Hi
    85.60.-q
    85.35.Be
    73.63.-b
    63.22.-m
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Opis:
    The fabrication of quantum cascade lasers emitting at 9 μm is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W and the slope efficiency η ≈ 0.5-0.6 W/A per uncoated facet. This has been achieved by the use of GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ heterostructure, with the "anticrossed-diagonal" design. Double plasmon planar confinement with Al-free waveguide has been used to minimize absorption losses. The double trench lasers were fabricated using standard processing technology, i.e., wet etching and $Si_{3}N_{4}$ for electrical insulation. The quantum cascade laser structures have been grown by molecular beam epitaxy, with Riber Compact 21 T reactor. The stringent requirements - placed particularly on the epitaxial technology - and the influence of technological conditions on the device structure properties were presented and discussed in depth.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, 5; 806-813
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Fermi-Edge Singularity in Excitonic Spectra of Modulation Doped AlGaAs/GaAs Quantum Wells
    Autorzy:
    Bugajski, M.
    Regiński, K.
    Godlewski, M.
    Wesołowski, M.
    Holtz, P. O.
    Buyanov, A. V.
    Monemar, B.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1950741.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    71.35.+z
    85.30.De
    Opis:
    The dynamic response of an electron Fermi sea to the presence of optically generated holes gives rise to an enhanced interaction of correlated electron-hole pairs near the Fermi level, resulting in an enhanced oscillator strength for optical transitions, referred to as the Fermi-edge singularity. We studied this effect in modulation-doped quantum wells which provide confined dense Fermi sea, spatially separated from dopant atoms, easily accessible for investigations under low excitation conditions. The Fermi-edge singularity was observed in both photoluminescence and photoluminescence excitation experiments, although in the case of photoluminescence the samples had to be either co-doped with acceptors in the wells to provide necessary localization of holes or designed to allow for nearly resonant scattering between the electronic states near the Fermi energy and the next unoccupied subband of the 2D electron gas.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 751-754
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Low Threshold Room Temperature AlGaAs/GaAs GRIN SCH SQW Lasers Grown by MBE
    Autorzy:
    Kaniewska, M.
    Regiński, K.
    Muszalski, J.
    Kryńska, D.
    Litkowiec, A.
    Kaniewski, J.
    Wesołowski, M.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1951031.pdf
    Data publikacji:
    1996-10
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    85.30.De
    85.60.Jb
    73.20.Dx
    Opis:
    Low threshold room temperature AlGaAs/GaAs graded-index separate-confinement heterostructure single quantum well (GRIN SCH SQW) lasers were prepared by MBE. The influence of the growth temperature on the laser parameters was studied. Due to the high temperature MBE growth and the use of p-contact layer in the form of thin quasi-metallic beryllium layer significant reduction of the threshold current was achieved.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 1996, 90, 4; 847-850
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mid-Infrared GaAs/AlGaAs Quantum Cascade Lasers Technology
    Autorzy:
    Szerling, A.
    Karbownik, P.
    Kosiel, K.
    Kubacka-Traczyk, J.
    Pruszyńska-Karbownik, E.
    Płuska, M.
    Bugajski, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/1807678.pdf
    Data publikacji:
    2009-12
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
    Tematy:
    42.55.Px
    85.60.-q
    85.35.Be
    72.80.Ey
    73.61.Ey
    78.66.Fd
    Opis:
    The fabrication technology of AlGaAs/GaAs based quantum cascade lasers is reported. The devices operated in pulsed mode at up to 260 K. The peak powers recorded at 77 K were over 1 W for the GaAs/$Al_{0.45}Ga_{0.55}As$ laser without anti-reflection/high-reflection coatings.
    Źródło:
    Acta Physica Polonica A; 2009, 116, S; S-45-S-47
    0587-4246
    1898-794X
    Pojawia się w:
    Acta Physica Polonica A
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-7 z 7

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies