Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Mielcarek, W." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-4 z 4
Tytuł:
Uwarunkowania technologiczne warystorów tlenkowych
The essence of knowing-how in varistor technology
Autorzy:
Mielcarek, W
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159940.pdf
Data publikacji:
2002
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
warystory tlenkowe
Opis:
W pracy na tle literatury i badań własnych przedstawiono zagadnienia związane z technologią wytwarzania dominujących obecnie warystorów tlenkowych. Celem przeprowadzonych badań było określenie warunków uzyskiwania warystorów o powtarzalnych i stabilnych charakterystykach przy zminimalizowanej ilości dodatków - tlenków bizmutu i antymonu. Warystory - rezystory o rezystancji zmieniającej się w zależności od przyłożonego napięcia, znajdują zastosowanie w układach ochrony przed przepięciowej praktycznie w pełnym zakresie napięć i prądów. Podstawowym elementem budowy warystora tlenkowego są ziarna tlenku cynku rozdzielone warstwą tlenku bizmutu zapewniającej powstanie bariery potencjałowej. Na konieczność podjęcia tych prac wskazywało pojawienie się w wytworzonych partiach warystorów podgrupy elementów o znacznie gorszych charakterystykach oraz pogarszanie się parametrów warystorów w zakresie prądów upływu (punkt pracy) w wyniku chwilowego wzrostu temperatury. Warystory te wytworzono z surowców technicznych stosowanych zwykle w procesie produkcyjnym. Jak wykazały badania mikrostruktury oraz przesłanki literaturowe, wady te były spowodowane niejednorodnością rozmiarów ziaren tlenku cynku i występowaniem obszarów fazy bogatej w tlenek bizmutu. Niejednorodności te w przypadku występowania zmian temperatury powodowały powstawanie lokalnych naprężeń i pogarszanie się właściwości elektrycznych. W celu określenia warunków i mechanizmów wzrostu ziaren tlenku cynku w trakcie spiekania warystora wykonano analizy morfologii ziaren ZnO otrzymanego z rozkładu octanu cynku i metodą spray-pyhyrolisis. Analizy morfologii ziaren wykonano przy pomocy mikroskopów elektronowych - transmisyjnego, skaningowego i optycznego. Pomiary składu fazowego i wielkości krystalitów wykonano metodami rentgenografii proszkowej. Przeprowadzone badania wykazały, że tlenek cynku początkowo krystalizuje w formie igieł, które w temperaturach 600-700°C przyjmują korzystne obłe formy. Tlenek cynku otrzymywany metodą spray-pyrolisis przyjmuje obłe formy już w niższych temperaturach. Na podstawie uzyskanych danych oceniono właściwości różnych frakcji tlenku cynku: uzyskanego metodą przemysłową (spalania par metalu) oraz tlenku reaktywnego o ziarnach zawierających znaczną ilość mikroporów. Najlepsze wyniki uzyskano dla frakcji o jednorodnych mikronowych ziarnach. Warystory wykonane z tej frakcji wykazywały odporność na zmiany temperatury. Warystory wykonane z tlenku aktywnego charakteryzowały drobne ziarna i wysokie napięcia pracy. Zahamowanie wzrostu ziaren było tu spowodowane występowaniem mikroporów wewnątrz ziaren, podobnie jak w przypadku aglomeratów zbudowanych z małych ziaren dla tlenku otrzymywanego metodą spalania par cynku. Tak więc tlenek stosowany w warystorach powinien mieć jednorodne mikronowe ziarna pozbawione mikroporów i aglomeratów. Drugim znaczącym składnikiem warystora jest tlenek bizmutu. Występuje on w szeregu odmianach polimorficznych, których występowanie potwierdzono w warystorze. Jednak istotne znaczenie w formowaniu granicy ziaren ma amorficzna nanometrowa lub atomowa warstwa tlenku bizmutu. Tlenek krystalizujący w większych mikronowych obszarach w trakcie wygrzewania stabilizującego elektryczne właściwości warystora ulega przemianie polimorficznej ß›?. Mniejsza przewodność jonów tlenu przez odmianę ? w porównaniu do odmian ß czy ? ma zapobiegać migracji jonów tlenu z obszaru złącza i obniżaniu się międzyziarnowej bariery potencjałowej. Mniejszą przewodność odmiany ? potwierdzono badaniami własnymi dla tlenku cynku (który jest również dobrym przewodnikiem jonów tlenu) domieszkowanego tlenkiem bizmutu oraz dla masy warystorowej. Wywołany wygrzewaniem spadek przewodności (około dwukrotny) jest zbyt mały aby wyjaśnić znaczące zahamowanie procesu degradacji. Wygrzewanie to powoduje również znaczne zmniejszenie współczynników nieliniowości w zakresie niskoprądowym , przypuszczalnie związane z naprężeniami wywołanymi przez przemianę polimorficzną. Zahamowanie procesu degradacji może być spowodowane relaksacją naprężeń i/lub., jak podaje literatura, poprzez eliminację mobilnych międzywęzłowych jonów cynku ze strefy zubożonej obszaru złącza. Najlepsze rezultaty uzyskano stosując wygrzewanie w tlenie pod zwiększonym ciśnieniem, wzbogacające w tlen granice ziaren, a zarazem eliminujące jony między-węzłowe. Poza czynnikami związanymi z przemianami polimorficznymi czy oddziaływaniem międzywęzłowych jonów cynku, na degradację mogą mieć wpływ inne dodatki. Dobre rezultaty daje zastosowanie fryty szklanej dodawanej do masy warystyrowej. Stwierdzono też, że dodatek tlenku kobaltu znakomicie zwiększający współczynniki nieliniowości, powoduje również zahamowanie procesu degradacji. Inne dodatki jak tlenek manganu nie tworzący własnych faz krystalicznych przyśpiesza reakcje pirochlorku Bi2((Zn4/3Sb2/3)O6 z ZnO i uwolnieniu tlenku bizmutu co stwierdzono na podstawie analizy reakcji w układzie ZnO-Bi2O3-Sb2O3-MnO2. Dodatkiem oddziaływującym w zróżnicowany sposób jest tlenek antymonu. Powoduje on zahamowanie wzrostu ziaren, poprawia współczynnik nieliniowości i ukierunkowuje reakcje chemiczne w warystorze tworząc pirochlorek. Wzorując się na tej reakcji wykonano warystory oparte o tlenek tytanowo-bizmutowy o niższych napięciach warystorowych i większych ziarnach. Radykalną poprawę struktury warystora uzyskano jednak stosując tlenek barowo-bizmutowy BaBiO2,77 i jako reagent TiO2. Znaczne rozproszenie reagenta (w poprzednich przypadkach był to tlenek cynku - główny składnik warystora) i poprawy zwilżalności granic ziaren umożliwiły wielokrotne zmniejszenie ilości dodawanego tlenku bizmutu i antymonu przy zachowaniu wysokich współczynników nieliniowości. Warystory te charakteryzuje odporność na procesy degradacji nawet bez stosowania dodatkowego wygrzewania. Zmniejszenie ilości antymonu i bizmutu powoduje eliminację obszarów wyłączonych z przewodzenia prądu - spinelu antymonowo-cynkowego i obszarów bogatych w tlenek bizmutu. Zastosowanie tlenku barowo-bizmutowego z tlenkiem tytanu zamiast tlenku bizmutu i antymonu oraz tlenku cynku o jednorodnych mikronowych ziarnach umożliwia uzyskanie warystora o wysokich parametrach eksploatacyjnych przy obniżonych kosztach wytwarzania.
The research was aimed at clarifying the essence of metal oxide varistors (MOV) technology. The necessity of undertaking this challenge was dictated by the troubles with processing of commercial varistors with satisfying properties. The other prompt to this research was given by deterioration of varistor properties during varistor operation. Efforts fructified in development of varistors maintaining excellent electrical properties at reduced rate of dopants. Varistor samples, laboratory made for the necessity of this work were based on typically used in commercial varistors, technically pure row materials. Varistors being resistors with variable (depending on applied voltage) resistivity are widely used for protection of electrical devices against voltage surges. The electrical properties of varistors are controlled by charge and defect profile of ZnO grain boundaries. As it was anticipated from literature data and confirmed experimentally by author, the main varistor faults are effected by non-homogeneity of ZnO grains and Bi2O3 intergranular layers. Non-homogeneity of the sizes of ZnO grains and the width of Bi2O3 leads, during passing of the current, to the local overheatings and deterioration of varistor electrical properties. Morphology of varistors was examined by scanning, optical and electron transmittance microscopy. The process of ZnO grain growth during sintering was watched and compared in varistor samples made of ZnO powders sensitized by different methods. X-ray powder diffractometer was used for measurements of crystal phases and crystallite sizes. The carried out examination revealed that at the beginning ZnO crystallizes in the form of needles and at 600-700oC it transforms into desirable oval shape. ZnO synthesized by spray-pyrolysis method shapes in oval at lower temperatures. The comparison of two different commercially available ZnO powders: so called "active" one with large specific area BET and the one synthesized by combustion of Zn vapors led author to conclusion that ZnO suitable for varistor application is to be characterized by equal in size micronous ZnO grains without pores and agglomerates. The other meaningful component of varistor is Bi2O3. The presence of monomolecular layer of Bi2O3, separating ZnO grains, is essential for development of varistors property in ZnO ceramics. Bi2O3 has several crystal forms and ?, ß, ? and ? are deducible in varistors. Bi2O3 crystal phases differ in structure and properties. During stabilizing heating of varistors the ß - Bi2O3 transforms to ? - Bi2O3. This transformation benefits the varistor with the lower oxygen ion conductivity retarding the migration of oxygen ions from ZnO grain boundaries. The lower oxygen conductivity of ? phase was confirmed experimentally by author in both ZnO-Bi2O3 systems and in varistor samples. But even twice as much diminishment of Bi2O3 oxygen conductivity does not account for retarding varistor suitability for degradation as much as it takes place. It was anticipated by author that because ß to ? transformation is accompanied with stresses, during additional heating strain relaxation must and occurs (lower nonlinearity coefficient ? is the prove). The process of relaxation is opposite to degradation. Author's studies on varistor degradation led him to the conclusion that the best hindering of degradation is achievable by heating of varistors under higher pressure in oxygen atmosphere. The other approach how to hinder varistor degradation worked out by author consisted in adding varistor ceramics with glass frit. Author's experimentally confirmed discovery that cobalt dopant, remarkably enhancing ? coefficients is is also the essential factor in hindering varistor degradation. Author's study on role of Mn dopant ended in conclusion that Mn advances the pirochlore reaction with ZnO, delivering the additional amount of Bi2O3 liquid at lower sintering temperature. The role of Sb in ZnO varistor ceramics is rather complicated. It acts mainly as ZnO grain retardant and as a precursor of pirochlore phase, it is a promoter of varistor property in ZnO ceramics. Assuming similarity between Sb and Ti behavior, a new technology of varistors doped with titan-bismuth oxide was developed by author. Varistors processed according to this technology are characterized by lower (due to larger ZnO grains) characteristic voltage in comparison with the ones doped with Sb. Anyway, the fundamental improvement of homogenuity of varistor structure and electrical properties at the same time was achieved with development by author the technology of varistors doped with BaBiO2,77 and TiO2. The Bi2O3 phase in varistors made with this technology has much better uniformity of dispersion, for the Bi2O3 phase in this system is formed due to reaction of pirochlore phase with TiO2 instead of ZnO, as it takes place in standard varistor technology. Varistors made with this technology acquire the excellent electrical properties at reduced rate of dopants, due to better wettability of ZnO grain boundaries in this system.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2002, 212; 1-125
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Przekładki ceramiczne wyprasek warystorowych do stosowania w procesie wypalania warystorów
Ceramic separators to place between green compacts during varistor sintering
Autorzy:
Mielcarek, W.
Prociów, K.
Warycha, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159182.pdf
Data publikacji:
2012
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
przekładki ceramiczne wyprasek
warystory tlenkowe
związek trudno-spiekalny
ceramic separators of green compacts
metal-oxide varistors
sinter-resisting component
Opis:
Warystory Zno są wytwarzane typową technologią ceramiczną. W uproszczeniu proces wytwarzania warystorów obejmuje mielenie i mieszanie składników oraz formowanie i wypalanie wyprasek. Podczas wypalania może dojść do takiego spieczenia się sąsiadujących ze sobą wyprasek, że rozdzielenie ich bez uszkodzenia staje się niemożliwe. W pracy przedstawiono wady i zalety dotychczas stosowanych sposobów rozwiązania tego problemu. Niektóre z nich są niewystarczająco efektywne, inne wręcz nieekonomiczne. Przekładki ceramiczne proponowane w ramach tej pracy są wytworzone z ceramiki o składzie zbliżonym do ceramiki warystorowej lecz uzupełnionej o trudnospiekalny składnik dzięki któremu uzyskano przekładki które nie tylko nie przywierają do wypalanych warystorów ale nie wprowadzają też do nich żadnych chemicznych zanieczyszczeń.
ZnO metal oxide varistors are created using typical ceramic technology. During the process of sintering the green compacts may glue together and stick to each other so hard that they cannot be separated without damaging the varistor. This can be avoided in several ways but none is satisfactory and good enough as ones are not effective, while the other ones are simply inconvenient.The developed ceramic separators can be applied in multiple uses. In essence they are made of the same ceramic as varistor but doped with sinter-resisting component which causes the separators and sintered varistors not stick together. They are reliable and economical.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2012, 259; 81-82
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ modyfikacji warystorów do ograniczników przepięć typu SPD na rozkład konduktywności i na charakterystyki przewodzenia
Influence of modification of varistors for the SPD type arresters on the conductivity distribution and conductance characteristics
Autorzy:
Bandel, J.
Mielcarek, W.
Sibilski, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159339.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
ograniczniki przepięć
warystory
konduktywność
charakterystyka prądowo napięciowa
arresters
varistors
conductivity
current-voltage characteristics
Opis:
Zapotrzebowanie na warystory do ograniczników przepięć jest bardzo duże, zarówno do ograniczników typu SPD jak i stosowanych na wyższe napięcia znamionowe. Głównym celem jest opracowanie nowej generacji nanostruktur, która zapewni jednorodny rozkład konduktywności na całej płaszczyźnie warystora. To umożliwi zmniejszenie wymiarów warystorów, przy równoczesnej poprawie jakości użytego materiału. Równocześnie możliwe będzie modelowanie charakterystyk prądowo-napięciowych przy większej gęstości prądu przewodzenia.
The required demand of varistors for the arresters, not only for the SPD type, but also for these used at high voltage systems, is very high. The idea of this paper was to develop a new generation of nanostructures of the material which assure a uniform distribution of the conductivity. These enable to reduce the size of the voltage limiting elements and therefore quantity of material used. Also it will be possible to modulate current voltage characteristic with simultaneous great density of current.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2015, 270; 153-167
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ modyfikowania Bi2O3 barem na właściwości mikrostruktury warystorów ZnO
Effect of Ba modified Bi2O3 on microstructure properties of ZnO varistors
Autorzy:
Warycha, J.
Mielcarek, W
Prociów, K.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/159435.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
Tematy:
BaBiO3-x
ZnO
warystory
mikrostruktura
właściwości elektryczne
Opis:
Ba jako dodatek modyfikujący Bi2O3 w ceramice z tlenku cynku umożliwia równomierne rozmieszczenie Bi w całym warystorze i hamuje tworzenie się aglomeratów Bi2O3 podczas spiekania warystora. Dzięki temu warystor osiąga doskonałe właściwości elektryczne a poziom domieszkowania ceramiki ZnO tlenkami innych metali może być znacznie obniżony. W najbardziej obiecującym przypadku, ilość Bi dodawanego do masy warystorowej była siedem razy mniejsza a całkowita ilość domieszek - trzy razy niższa w porównaniu do powszechnie stosowanego poziomu domieszkowania warystorów.
Doping ZnO varistor ceramics with Ba modified Bi2O3, instead of pure Bi2O3, enables the uniform distribution of Bi in varistor body and restrains formation of the Bi2O3 agglomerates during varistor processing. As the result the varistor attains the excellent electrical properties at lower rate of metal oxide additives. In the most promising varistor composition the amount of Bi was seven times lower and the total of other dopants three times lower, than in varistors made by commonly used technology.
Źródło:
Prace Instytutu Elektrotechniki; 2010, 246; 123-132
0032-6216
Pojawia się w:
Prace Instytutu Elektrotechniki
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-4 z 4

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies