Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "Ga" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-4 z 4
    Tytuł:
    Microstructure of V3Ga superconducting wire using high Ga content Ti-Ga/V precursor composite material
    Mikrostruktura nadprzewodzącego drutu V3Ga wytworzonego przy użyciu związku TiGa3 o wysokiej zawartości Ga
    Autorzy:
    Murakami, S.
    Matsuda, K.
    Kawabata, T.
    Hishinuma, Y
    Ikeno, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/355932.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    superconductor
    Ti-Ga/V precursor composite material
    V-Ga phase
    TEM
    microstructure
    drut nadprzewodzący
    Ti-Ga/V materiał kompozytowy
    faza V-Ga
    mikrostruktura
    Opis:
    Our co-workers, Hishinuma et. al. have fabricated the V3Ga compound wire by a new process using a high Ga content Ti-Ga compound in order to improve the superconducting property of the wire. In this study, we investigated microstructures of this wire to clarify the existence of V3Ga phase. The different contrasts of the matrix, two V-Ga phases and Ti-Ga core were observed by SEM observation. Two V-Ga phases were also confirmed. The ratio of V to Ga for two V-Ga phases was respectively 3:1 and 6:5 according to the EDS result. And these two phases were confirmed as V3Ga and V6Ga5.
    Hishinuma i współpracownicy wytworzyli drut związku międzymetalicznego V3Ga przy użyciu nowej metody wykorzystującej związek międzymetaliczny Ti-Ga o wysokiej zawartości Ga celem poprawy właściwości nadprzewodzących drutu. Zbadaliśmy mikrostrukturę drutu, aby zweryfikować obecność fazy V3Ga. W trakcie badań SEM zaobserwowano zróżnicowany kontrast w osnowie oraz istnienie dwóch faz V-Ga i rdzenia T-Ga. Analiza EDS potwierdziła istnienie dwóch faz z układu V-Ga, w których stosunek V do Ga wynosi odpowiednio 3:1 i 6:5. Potwierdzono, ze te dwie fazy to V3Ga i V6Ga5.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2013, 58, 2; 325-326
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Internal Friction of Phase Transformations Observed Around Room Temperature in Ga-In-Sn Eutectic Alloys
    Tarcie wewnętrzne przemian fazowych obserwowanych przy temperaturze pokojowej w eutektycznym stopie Ga-In-Sn
    Autorzy:
    Jin, M.
    Li, Q.
    Ying, R.
    Lu, X.
    Jin, X.
    Ding, X.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/352781.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    Ga-In-Sn alloy
    internal friction
    liquid-liquid transition
    stop Ga-In-Sn
    tarcie wewnętrzne
    wstępne krzepnięcie
    Opis:
    The phase transformation phenomena in eutectic Ga-In-Sn alloys around room temperature are studied by thermal analysis, internal friction, and in-situ XRD methods. The results show that in addition to the solidification transformation, a novel the so-called ‘pre-solidification’ phase transition, demonstrating first-order feature, is observed prior to the crystallization during cooling. The internal friction increases when the ‘pre-solidification’ effect occurs. The shear modulus increases until crystallization. An internal friction peak is attributed to the melting process observed during heating. The mechanism of the ‘pre-solidification’ transformation in Ga-In-Sn eutectic alloy is discussed.
    Zjawiska przemian fazowych w eutektycznych stopach Ga-In-Sn, około temperatury pokojowej, badane są metodami analizy termicznej, tarcia wewnętrznego i XRD in-situ. Wyniki pokazują, że w dodatku do przemiany krzepnięcia, nowa przemiana tzw. „wstępne krzepnięcie”, o charakterze przemiany pierwszego rzędu, obserwowana jest przed krystalizacją podczas chłodzenia. Tarcie wewnętrzne zwiększa się, gdy występuje „wstępnie krzepnięcie”. Moduł sprężystości poprzecznej zwiększa się aż do krystalizacji. Wewnętrzny pik tarcia przypisany jest do topienia obserwowanego podczas ogrzewania. Omówiono mechanizm przemiany „wstępnego krzepnięcia” w eutektycznym stopie Ga-In-Sn.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3A; 2097-2100
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Calorimetric Measurements of Ga-Li System by Direct Reaction Method
    Autorzy:
    Dębski, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/350810.pdf
    Data publikacji:
    2017
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    gallium-lithium system
    Ga-Li
    calorimetry
    thermochemistry
    Opis:
    The direct reaction calorimetric method was used for the determination of the formation enthalpy of alloys which concentrations correspond to the: Ga7Li2, Ga9Li5, GaLi, Ga4Li5, Ga2Li3, and GaLi2 intermetallic phases. The obtained experimental values of the formation enthalpy were: –18.1 ±0.8 kJ/mol at., –26.5 ±0.3 kJ/mol at., –34.7 ±0.3 kJ/mol at., –33.5 ±0.5 kJ/mol at., –32.8 ±0.3 kJ/mol at. and –24.6 ±1.4 kJ/mol at., respectively. After the calorimetric measurements, all the samples were checked by way of X-ray diffraction investigations to confirm the structure of the measured alloys. All the measured values of the formation enthalpy of the Ga-Li alloys were compared with literature data and the data calculated with use of the Miedema model.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2017, 62, 2A; 919-926
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Non-Modulated Martensite Microstructure With Internal Nanotwins In Ni-Mn-Ga Alloys
    Nie-modulowana martenzytyczna mikrostruktura z wewnętrznymi nano-bliźniakami w stopach Ni-Mn-Ga
    Autorzy:
    Szczerba, M. J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/356913.pdf
    Data publikacji:
    2015
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    shape memory alloys
    martensite
    Ni-Mn-Ga single crystals
    interface
    stopy z pamięcią kształtu
    martenzyt
    monokryształy Ni-Mn-Ga
    interfejs
    Opis:
    The self-accommodated non-modulated martensite of Ni-Mn-Ga single crystal was studied by transmission and scanning electron microscopy in the latter case using the electron backscatter diffraction technique. Three kinds of interfaces existing at different length scales were reported. The first, is the wavy and incoherent interface separating martensite variants observed on the micro-level with no-common crystallographic plane between them. The second is within a single martensite plate where the lattice rotates around one of the {110} pole to accommodate the interfacial curvature between martensite plates. Finally, at the nanoscale the third interface exists, a twin boundary separating internal nanotwins with the {112} type habit plane.
    W pracy przeprowadzono obserwacje mikrostruktury monokryształu Ni-Mn-Ga charakteryzujący się nie-modulowaną strukturą martenzytyczną. Badania przeprowadzono z wykorzystaniem techniki transmisyjnej oraz skaningowej mikroskopii elektronowej. W przypadku drugiej metody zastosowano technikę elektronów wstecznie rozproszonych. Trzy rodzaje granic zostały zaobserwowane oraz opisane. Pierwsza granica jest niekoherentna i występuje w skali mikro pomiędzy płytkami martenzytu, które nie posiadają wspólnej płaszczyzny krystalograficznej o niskich indeksach Millera. Kolejna granica występuje wewnątrz pojedynczej płytki martenzytycznej, której towarzyszy rotacja sieci krystalicznej wokół kierunku {110} obszarów przedzielonych tą granicą w celu akomodacji wygięć granicy występującej między płytkami. W skali nanometrycznej można zaobserwować kolejną granicę równoległą do płaszczyzny krystalograficznej {112} (płaszczyzna bliźniacza), która rozdziela płytki nanobliźniaków.
    Źródło:
    Archives of Metallurgy and Materials; 2015, 60, 3; 2267-2270
    1733-3490
    Pojawia się w:
    Archives of Metallurgy and Materials
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-4 z 4

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies