Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "Kołtunowicz, T. N." wg kryterium: Autor


Wyświetlanie 1-10 z 10
Tytuł:
Właściwości elektryczne nanokompozytów (FeCoZr)x(Al2O3)(100-x) wytworzonych rozpylaniem wiązką argonu i tlenu jako układy kondensatorowe
Electrical properties of (FeCoZr)x(Al2O3)(100-x) nanocomposites produced by sputtering of argon and oxygen beam as capacitor systems
Autorzy:
Kierczyński, K.
Kołtunowicz, T. N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/952720.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
nanokompozyty
właściwości elektryczne
układ kondensatorowy
nanocomposites
electrical properties
capacitor system
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki pomiarów określających właściwości elektryczne nanokompozytów (FeCoZr)x(Al2O3)(100-x) wytworzonych przy użyciu metody rozpylania jonowego. Do badań wykorzystano próbki wykonane jako kondensatorowy układ pomiarowy w celu zmniejszenia wpływu rezystancji badanej próbki. Określono temperaturowe i częstotliwościowe zależności pojemności, konduktancji, kąta stratności i kąta przesunięcia fazowego. Pomiary wykonano przy użyciu prądu zmiennego o częstotliwości z przedziału od 42 Hz do 1 MHz w temperaturach z zakresu od 77 K do 373 K
The paper presents the results of measurements which determine the electrical properties of nanocomposites (FeCoZr)x(Al2O3)(100-x) which were produced using the ion-sputtering. In the research samples, which were made as capacitor measurement system, were used to reduce the impact of resistance of the sample. Temperature and frequency dependence on capacity, conductance, loss angle and phase angle were determined. Measurements were performed using alternating current at a frequency range from 42 Hz to 1 MHz at temperatures range from 77 K to 373 K.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2015, 2; 47-54
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Wpływ wysokotemperaturowego wygrzewania na właściwości elektryczne nanokompozytu (FeCoZr)81.8(CaF2)18.2
Вплив високотемпературного відпалювання на електричні властивості нанокомпозиту (FeCoZr)81.8(CaF2)18.2
High temperature annealing influence on electric properties of nanocomposite (FeCoZr)81.8(CaF2)18.2
Autorzy:
Bondariev, V.
Koltunowicz, T. N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/408467.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Lubelska. Wydawnictwo Politechniki Lubelskiej
Tematy:
nanokompozyty
wygrzewanie
konduktywność
nanocomposites
annealing
conductivity
Opis:
Praca przedstawia wyniki badań wpływu wygrzewania na zmiennoprądowe właściwości elektryczne nanokompozytu (FeCoZr)x(CaF2)(100-x) o zawartości fazy metalicznej x = 81,8 at.% wytworzonego metodą jonowo-wiązkowego rozpylania w atmosferze argonu Ar i tlenu O2. Zaobserwowano, że w materiale są dwa rodzaje studni potencjału różniących się czasami relaksacji. Wygrzewanie powoduje zanik maksimów na częstotliwościowej zależności współczynnika częstotliwościowego α oraz wygładzenie odcinków wzrostu konduktywności na sigma(f), co oznacza całkowite utlenienie materiału
В статті наведено результати впливу відпалювання на електричні властивості на змінному струмі нанокомпозиту (FeCoZr)x(CaF2)(100-x), який має металеву фазу х = 81,8 ат.%, утвореного методом іонно-пучкового розпилення в атмосфері аргону Ar і кисню O2. Було виявлено, що в матеріалі є два різновиди студні потенціалу, які відрізняються часом релаксації. Відпалювання призводить до зникнення піків на частотній залежності частотного коефіцієнта α і згладжування діапазону зросту провідності sigma(f), що означає повне окислення матеріалу.
This paper presents results of researches on annealing influence on AC electric properties of nanocomposite (FeCoZr)x(CaF2)(100-x) with metallic phase content x = 81.8 at.% which was produced by ion-beam sputtering in argon Ar and oxygen O2 atmosphere. It was observed that there are two types of potential wells in the material, which are different in relaxation times. Annealing causes maximums disappearance on frequency dependence on frequency coefficient α and growing section smoothing, which means complete oxidation of material.
Źródło:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska; 2015, 4; 70-76
2083-0157
2391-6761
Pojawia się w:
Informatyka, Automatyka, Pomiary w Gospodarce i Ochronie Środowiska
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The monitoring of oil distribution transformers in laboratory conditions
Monitoring rozdzielczych transformatorów olejowych w warunkach laboratoryjnych
Autorzy:
Gutten, M.
Korenčiak, D.
Jurčik, J.
Kołtunowicz, T. N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156829.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
olej transformatorowy
czujnik gazu i wody
chromatografia
monitoring
oil transformer
gas and moisture sensor
chromatography
Opis:
The paper deals with physical fundamentals of monitoring the high-voltage oil transformer 22/0,4 kV by gas- and moisture-in-oil sensors, optical temperature sensors and an electric quantities analyser.
W artykule omówiono fizyczne podstawy monitorowania olejowych wysokonapięciowych transformatorów 22/0,4 kV przy pomocy analizatora zawartości wilgoci gazów w oleju, optycznych czujników temperatury oraz analizatora wielkości elektrycznych. Stwierdzono, że ze wzrostem stopnia zawilgocenia oleju w czasie pracy transformatora następują zmiany takich podstawowych jego właściwości jak napięcie przebicia, współczynnik strat dielektrycznych oraz rezystywność. Naprężenia elektryczne i termiczne skutkują powstawaniem w oleju szeregu gazów, które można wykorzystać do wczesnej diagnozy powstających uszkodzeń urządzenia elektrycznego. Uszkodzenia takie mogą powstawać w różnym tempie, dlatego optymalna do ich detekcji jest diagnostyka on-line. W tym celu kanadyjska firma GE Energy Services opracowała przyrząd Hydran umożliwiający analizę parametrów oleju. W artykule przedstawiono przykład praktycznego wykorzystania tego miernika, który wraz z pomiarami termowizyjnymi wykorzystano do monitorowania transformatora w laboratorium. Zaobserwowano, że w zależności od obciążenia następują zmiany zawartości wody w oleju transformatorowym. Podczas takiego procesu właściwości oleju pogarszały się.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 2, 2; 116-119
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Oszacowanie zawartości wilgoci w impregnowanym olejem izolacyjnym preszpanie na podstawie pomiarów konduktywności stałoprądowej
The assessment of moisture content in pressboard impregnated with transformer oil on the base of DC conductivity measurements
Autorzy:
Zhukowski, P.
Subocz, J.
Szrot, M.
Kołtunowicz, T. N.
Gutten, M.
Sebok, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/156995.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
preszpan elektrotechniczny
zawartość wilgoci
konduktywność stałoprądowa
studnie potencjału
skokowa wymiana elektronów
temperatura izolacji
pressboard
moisture content
DC conductivity
potential wells
hopping electron exchange
insulation temperature
Opis:
W pracy przedstawiono wyniki badań zależności stałoprądowej konduktywności zawilgoconego impregnowanego olejem izolacyjnym preszpanu elektrotechnicznego od stopnia zawilgocenia i temperatury próbek. Ustalono, że przewodność odbywa się na drodze tunelowania elektronów pomiędzy studniami potencjału wytworzonymi przez molekuły wody umieszczone w strukturze celulozy. Opracowano nowy sposób określenia zawartości wilgoci w impregnowanym olejem izolacyjnym preszpanie elektrotechnicznym na podstawie pomiarów konduktywności stałoprądowej i temperatury izolacji.
The paper presents measurements of time dependencies of current intensity in pressboard impregnated with transformer oil at various moisture content. The measurements were taken at the electric field intensity equal to 10 V/m. Values of the DC conductivity for various moisture content at the measurement temperature 297 K and 318 K were estimated on the base of the current intensity values after longer periods of the current flow. Analysis of the dependency of the DC conductivity on the distance between water molecules, related to moisture content, led to the conclusion that the conductivity of moist pressboard impregnated with insulating oil was based on electrons tunneling between the closest water molecules – the so called hopping conductivity. On the base of the hopping conductivity formula, obtained from approximation of the experimental results, there was calculated a nomogram containing dependencies of the DC conductivity on the moisture content for the temperatures from 278 K to 348 K, with a 5 K step, which is the range of power transformer operation temperatures. The nomogram is the base of the new way of assessing the moisture content in electrotechnical pressboard impregnated with insulating oil, which allows estimation of moisture contents with measurements of DC conductivity and insulation temperature.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2013, R. 59, nr 2, 2; 137-141
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Maintenance diagnostics of transformers considering the influence of short-circuit currents during operation
Eksploatacyjne diagnostyki transformatorów uwzględniające prądy zwarcia podczas pracy
Autorzy:
Gutten, M.
Korenciak, D.
Kucera, M.
Sebok, M.
Opielak, M.
Zukowski, P.
Koltunowicz, T. N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/301215.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Polskie Naukowo-Techniczne Towarzystwo Eksploatacyjne PAN
Tematy:
transformator
diagnostyka
diagnostyczny system
uzwojenia transformatora
metoda częstotliwościowa
transformer
diagnostic
diagnostic system
transformer windings
frequency method
Opis:
Article presents theoretical, simulation and experimental analyses of possible effect of short-circuit forces on the transformer windings. The first part of the article is focused to the establishment and activity radial and axial forces during short circuit. It shows dimensions, direction and of course caused mechanical stress. Equation shows basic dependencies of these mechanical forces created in the transformer windings. The last part of the article is focused on the simulation method which shows the mechanical stress caused by the short-circuit currents on transformer. The paper presents experimental methods of diagnostics for analysis of the short circuit on transformer windings.
Artykuł przedstawia teoretyczną, symulacyjną i doświadczalną analizę ewentualnych wpływów prądów zwarciowych na uzwojenia transformatorów. Pierwsza część artykułu koncentruje się na powstaniu i działaniu promieniowych i osiowych sił podczas zwarcia. Przedstawia rozmiary, kierunek i oczywiście powstałe naprężenia mechaniczne. Równanie pokazuje podstawowe zależności sił mechanicznych powstałych w uzwojeniach transformatora. Ostatnia część pracy dotyczy metody symulacji, która przedstawia naprężenia mechaniczne spowodowane przez prądy zwarciowe na transformatorze. Artykuł przedstawia eksperymentalne metody diagnostyki do analizy wpływu zwarcia na uzwojenia transformatora.
Źródło:
Eksploatacja i Niezawodność; 2017, 19, 3; 459-466
1507-2711
Pojawia się w:
Eksploatacja i Niezawodność
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Formation of Cone-Shaped Inclusions and Line Defects on the Cz-Si Wafer Surface by the Helium Implantation and DC Nitrogen Plasma Treatment
Autorzy:
Frantskevich, N.
Mazanik, A.
Frantskevich, A.
Kołtunowicz, T.
Żukowski, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503982.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
61.72.uf
73.20.Hb
Opis:
The general goal of this work is to investigate the defects formed on the surface of the Cz-Si wafers subjected to helium implantation, vacuum annealing and nitrogen plasma treatment. The performed scanning electron microscopy study has shown that in the general case two types of surface defects can be formed: cone-shaped inclusions with the base diameter of 0.2-2 μm and the ratio of diameter to height of approximately 1:1, as well as crystallographically oriented line defects with the length equal to 0.2-2 μm. The concentration of these defects depends on the conditions of implantation and plasma treatment.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 105-107
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Admittance and Permittivity in Doped Layered $TlGaSe_2$ Single Crystals
Autorzy:
Dawood, S.
Fedotov, A.
Mammadov, T.
Zukowski, P.
Koltunowicz, T.
Saad, A.
Drozdov, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1365735.pdf
Data publikacji:
2014-06
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.61.Ey
84.37.+q
64.70.Nd
Opis:
In doped $TlGaSe_2$ crystals the phase transitions at low temperatures (100-170 K) were observed using admittance and dielectric spectroscopy in a temperature range of 80-320 K. The admittance and permittivity measurements in the studied samples indicated that after Fe or Tb doping by impurities with concentrations $N_\text{imp}$ < 0.5 at.% nonequilibrium electronic phase transition is observed. Doping with $N_\text{imp}$ > 0.5 at.% resulted in full suppression of this phase transition presence.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 6; 1267-1270
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Effects of Fluences of Irradiation with 107 MeV Krypton Ions on the Recovery Charge of Silicon $p^{+}n$-Diodes
Autorzy:
Poklonski, N.
Gorbachuk, N.
Tarasik, M.
Shpakovski, S.
Filipenia, V.
Skuratov, V.
Wieck, A.
Kołtunowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1503994.pdf
Data publikacji:
2011-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
61.80.Fe
Opis:
The diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Krypton ions are implanted to the side of the $p^{+}$-region of diodes (energy 107 MeV, fluence Φp from 5 × $10^7$ to 4 × $10^9 cm^{-2}$). It is shown that recovery charge $Q_{rr}$ is inversely proportional to the square root of the irradiation fluence value Φp. When the fluence increases, the part of the recovery charge Q_{rrA}, due to the high reverse conductance phase, decreases faster than the value $Q_{rr}$.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 120, 1; 111-114
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodes
Autorzy:
Poklonski, N.
Gorbachuk, N.
Nha, Vo
Shpakovski, S.
Filipenya, V.
Skuratov, V.
Kołtunowicz, T.
Kukharchyk, N.
Becker, H.
Wieck, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1402222.pdf
Data publikacji:
2015-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
61.80.Fe
Opis:
Silicon diodes irradiated with helium ions with energies of 4.1, 6.8 and 8.9 MeV are studied. It is shown that the mechanism determining the behaviour of frequency dependence of complex electric module and correspondingly the behavior of impedance of diodes irradiated with helium ions in the frequency region 3-200 kHz is a recharging of vacancy complexes localized in the space charge region.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 891-893
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Current-Voltage Characteristic Features of Diodes Irradiated with 170~MeV Xenon Ions
Autorzy:
Poklonski, N.
Gorbachuk, N.
Nha, Vo
Tarasik, M.
Shpakovski, S.
Filipenia, V.
Skuratov, V.
Wieck, A.
Kołtunowicz, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400481.pdf
Data publikacji:
2013-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.20.Jv
61.80.Fe
Opis:
Diodes manufactured on the wafers of single-crystalline silicon uniformly doped with phosphorus are studied. The wafer resistivity was 90 Ω cm. Xenon ions were implanted into the diodes from the side of the $p^{+}$-region (implantation energy 170 MeV, fluence Φp from $5 \times 10^7$ to $10^9 cm^{-2}$). It is shown that the formation of a continuous irradiation damaged layer with the thickness of the order of magnitude of the average projective range creates prerequisites for the negative differential resistance in the current-voltage characteristics of the irradiated diodes.
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 5; 926-928
0587-4246
1898-794X
Pojawia się w:
Acta Physica Polonica A
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-10 z 10

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies