Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "zabezpieczenia przyrządów energoelektronicznych" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Projektowanie przekształtników dużej mocy w aspekcie doboru przyrządów energoelektronicznych do warunków zwarciowych oraz wyboru zabezpieczeń przeciwko narażeniom prądowym
    High power converters designing in aspect of semiconductor power devices choice for short circuit conditions and choice of overcurrent protection systems
    Autorzy:
    Zymmer, K.
    Sakowicz, S.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159271.pdf
    Data publikacji:
    2002
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    przekształtniki dużej mocy
    przyrządy energoelektroniczne
    diody
    zwarcia
    zabezpieczenia przyrządów energoelektronicznych
    ochrona przeciwprzepięciowa
    Opis:
    W artykule przedstawiono wpływ parametrów układu zasilania przekształtników dużej mocy (takich jak: moc zwarciowa sieci zasilającej, rodzaj i długość linii zasilającej transformator przekształtnikowy oraz jego napięcie zwarcia) na prądy w diodach prostownika zasilającego sieć trakcyjną PKP podczas zwarć na jego wyjściu. Wartości tych prądów stanowią jeden z głównych czynników doboru przyrządów półprzewodnikowych przekształtnika. Dla konkretnego rozwiązania technicznego wykonano analizy mające na celu wyznaczenie prądów w diodach przy różnych rodzajach zwarć zewnętrznych oraz wewnątrz zespołu prostownikowego. Porównano szeregowe i równoległe konfiguracje łączenia przyrządów energoelektronicznych oraz układów w przekształtnikach dużej mocy w aspekcie wytrzymałości zwarciowej urządzenia. Omówiono występujące zagrożenia uszkodzenia przyrządu oraz jego eksplozji, przy różnych rodzajach obudów elementów energoelektronicznych, w przypadku wystąpienia stanów awaryjnych. Przedstawiono sposoby zabezpieczenia różnych przyrządów półprzewodnikowych przed skutkami zwarć.
    Influence of parameters of the convertor supply system (as short circuit voltage of convertor transformer the ratio of the short circuit power of supply system and kind and length of the supply line) on the rate short circuit current in diods of rectifier. These simulation analysis was conducted for of supply system of electric traction DC line of voltage 3,3 kV. The results of analysis for different events of short circuit states occurred inside and outside rectifier is presented. The serious and parallel connections of semiconductor power devices and rectifiers are compared in aspect of endurance of installation against short circuit phenomena. The problem of explosion effect of different semiconductor power devices cases in short circuit conditions is also presented. The means of protection of different semiconductor power devices against of short circuit results are described.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2002, 210; 29-64
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Zagrożenia zwarciowe i przetężeniowe półprzewodnikowych przyrządów energoelektronicznych
    Short - circuit and overcurrent hazards of semiconductor power devices
    Autorzy:
    Zymmer, K.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/159706.pdf
    Data publikacji:
    2004
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Elektrotechniki
    Tematy:
    przyrządy energoelektroniczne
    przyrządy półprzewodnikowe
    zwarcia
    zabezpieczenia przyrządów energoelektronicznych
    ochrona przeciwprzepięciowa
    ochrona przeciwzwarciowa
    Opis:
    Praca niniejsza obejmuje zagadnienia dotyczące: - wytrzymałości zwarciowej przyrządów energoelektronicznych; - wytrzymałości eksplozyjnej obudów tych przyrządów; - doboru przyrządów półprzewodnikowych do warunków zwarciowych występujących w przekształtnikach energoelektronicznych dużej mocy. W rozdziale drugim omówiono zagadnienia związane z wyznaczaniem ustalonej rezystancji cieplnej i przejściowej impedancji cieplnej przyrządów energoelektronicznych w sposób obliczeniowy i eksperymentalny. Przedstawiono przykład określania tych parametrów dla konkretnego przyrządu energoelektronicznego. W oparciu o opracowany program komputerowy przeprowadzono obliczenia temperatury struktury krzemowej przyrządu energoelektronicznego przy obciążeniu impulsami prądowymi o róż-nym czasie trwania i zmiennej amplitudzie. Wyniki obliczeń zweryfikowane zostały eksperymentalnie. W rozdziale trzecim przeprowadzono obliczenia prądu zwarcia symetrycznego w układzie trójfazowym mostkowym. Obliczenia wykazały, iż impulsy prądu zwarcia w gałęzi mostka z przyrządem półprzewodnikowym mogą zmieniać wartości szczytowe i czas trwania w czasie jednego cyklu zwarciowego. Stwarza to trudności przy doborze diod i tyrystorów do tych warunków gdyż odpowiednie dane deklarowane przez wytwórców dotyczą półsinusoidalnych impulsów prądowych o stałej wartości szczytowej i czasie trwania 10 milisekund. W rozdziale czwartym omówiono mechanizmy uszkodzeń diod i tyrystorów powodowane nadmiernym prądem zwarcia. Przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych, które wykazały, że występują różne mechanizmy uszkodzeń tych przyrządów charakterystyczne dla warunków przed wystąpieniem zwarcia określonych napięciem wstecznym i temperaturą. Wprowadzono do obliczeń zwarciowych przekształtników temperaturę struktury krzemowej jako kryterium doboru diod i tyrystorów do tych warunków występujących w przekształtnikach. Zaproponowano eksperymentalny sposób wyznaczania deklarowanej przeciążalności prądowej (metoda prób niszczących) jako najbardziej wiarygodny. Uwzględnia on bowiem czynniki technologiczne, materiałowe i wykonawcze trudne do ujęcia w metodach obliczeniowych. Rozdział piąty obejmuje wyniki badań eksperymentalnych wytrzymałości eksplozyjnej diod i tyrystorów o obudowie tradycyjnej (pastylkowej i wkręcanej) oraz tranzystorów o obudowie modułowej z tworzywa sztucznego. Badania wykazały, że eksplozja obudowy wywołana nadmiernym prądem zwarcia występuje przy kilkakrotnie mniejszym prądzie w przyrządzie o obudowie modułowej niż w odpowiednim przyrządzie o obudowie tradycyjnej. Podane zostały wyznaczone doświadczalnie wartości prądu, energii i całki i2t powodujące eksplozję obudowy. Oceniono iż najbardziej miarodajnym czynnikiem określającym wytrzymałość eksplozyjną przyrządów energoelektronicznych jest energia wydzielana w przyrządzie w wyniku prądu zwarcia. Ponieważ energia ta nie daje się obliczyć na podstawie parametrów obwodu zwarcia w danym przekształtniku, do oceny zagrożeń eksplozyjnych przyrządów w układach energoelektronicznych wykorzystana została całka i2t. Przeprowadzone zostały obliczenia tej wartości dla przypadków zwarć w prostowniku dużej mocy i falowniku napięcia. W rozdziale szóstym, na podstawie opracowanych w poprzednich rozdziałach sposobów obliczeń, dokonano weryfikacji doboru diod prostownika dużej mocy, do warunków zwarciowych. Prostownik ten opracowany i wykonany w Instytucie Elektrotechniki wprowadzony został do eksploatacji na podstacji zasilającej sieć trakcyjną linii szybkiego ruchu.
    The present paper is related to problems concerning - Short-circuit strength; - Explosion strength of cases; - Matching of semiconductor devices to short-circuit conditions occurring power electronic converters of high power. The second chapter discusses problems related to determining the steady state thermal resistance and transient thermal impedance of power electronic devices, by computational and experimental methods. An example of determining these parameters for a real power electronic device is presented. Basing on the worked out computer program, temperature calculations are carried through for the silicone structure of power electronic devices loaded by current impulses of varying duration time and amplitude. The calculation results have been experimentally verified. In the third chapters calculations of currents in a 3-phase bridge system are carried out for a symmetrical short-circuit. The calculations have shown that short-circuit current pulses in the bridge arm containing a power electronic device can change their peak values and time duration during one short-circuit cycle. This creates difficulties when diods and thyristors are being selected for those conditions because the corresponding data declared by manufacturers concern half sinusoidal current pulses of constant peak value and a duration time often milliseconds. The fourth chapter discusses the defect mechanisms of diods and thyristors caused by excessive short-circuit currents. Results of experimental work are shown, which indicate to the fact that there are different causes of defects of those devices, being characteristic for the conditions prevailing before short-circuit occurrence, determined by inverse voltage and temperature. The silicon structure temperature has been introduced into short-circuit calculations of converters as a criterion of selecting diods and thyristors to conditions occurring in converters. An experimental current overload capacity (destructive testing method) is suggested as being the most reliable one, because it accounts for technological, material and production factors which are difficult to be accounted for by computational methods. The fifth chapter presents results of experimental tests of explosion strength of diods and thyristors in traditional cases (pellets and the screwed in ones as well as of transistors in module type cases made of plastics. Investigations showed that cases explosions, caused by excessive short-circuit current flow, occur in devices in module type cases at current values being several times lower than in corresponding devices in traditional cases. Experimentally determined values of current, energy and the i2t integral causing the cases to explode are given. It has been established that the most reliable factor determining the explosion strength of power electronic devices is the energy emitted in the device as a result of short-circuit current As this energy can not be calculated basing on parameters of the short-circuit in a given converter, the integral i2t is used to estimate the cases explosion hazards in power electronic systems. This value is calculated for short-circuit cases in a high power rectifier and a voltage inverter. Basing on the computational methods worked out according to the foregoing chapters, a verification is carried out in the sixth chapter, of the selection of diodes for a high power rectifier with the short circuit condition taken into account. This rectifier was developed and carried out at of the Electrotechnical Institute and it was introduced into operation at a substation supplying with power the traction network of a rapid traffic line.
    Źródło:
    Prace Instytutu Elektrotechniki; 2004, 219; 1-115
    0032-6216
    Pojawia się w:
    Prace Instytutu Elektrotechniki
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies