Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "wysokonapięciowy układ scalony" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
High-voltage SoI Unity-gain Voltage Buffers with Function-enable and Power-down Functionality
Autorzy:
Jankowski, M
Napieralski, A
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397893.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
wysokonapięciowy układ scalony
proces SoI
stan wysokiej impedancji
high-voltage integrated circuits
SoI process
high impedance state
enable functionality
Opis:
This paper discusses possibilities of enable and power-down functionality implementation in HV SoI unity-gain buffers. Modifications of selected HV buffer structures are analyzed. Approaches of power-down, high input and output impedance functionality implementation are introduced and discussed.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2013, 4, 1; 26-31
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Current-controlled slew-rate adjustable trapezoidal waveform generators for low- and high-voltage applications
Autorzy:
Jankowski, M.
Napieralski, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/398114.pdf
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
generator fail trapezowej
tryb prądowy
wysokonapięciowy układ scalony
szybkość narastania napięcia wyjściowego
trapezoidal waveform generation
current-mode operation
high-voltage IC
slew-rate conrol
Opis:
An approach to design of a current-controlled slew-rate adjustable trapezoidal waveform generators is presented. The paper presents circuit abilities of control over shape of output waveform, as well as possibility of a generator adaptation for operation in high-voltage applications, without any profound structure modifications.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2011, 2, 3; 88-94
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies