Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "wtrącenie" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-5 z 5
    Tytuł:
    Apozycje luźne a wtrącenia zależne formalnie
    Autorzy:
    Moroz, Andrzej
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2049942.pdf
    Data publikacji:
    2011-01-02
    Wydawca:
    Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu. Wydawnictwo UMK
    Tematy:
    składnia formalna
    apozycja
    wtrącenie
    wyrażenie parentetyczne
    Opis:
    The article proves the connection between free appositional constructions and selected classes of improper interjections. In the course of the analysis, the author has demonstrated that most of the described structures are characterized by structural closeness and postposition in relation to the connected components. The similarity between appositions and certain strings containing an interjected verb phrase has also been shown. Furthermore, such expressions fulfill the definition of an interjection. Similar formal restrictions, such as doubly isolated apposition, are imposed upon these structures. Additionally, the article discusses the rules of usage for this type of interjected verbs. 
    Źródło:
    Linguistica Copernicana; 2011, 5, 1; 179-194
    2080-1068
    2391-7768
    Pojawia się w:
    Linguistica Copernicana
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    15R-SiC w kryształach 4H- i 6H-SiC otrzymywanych metodą transportu fizycznego z fazy gazowej
    15R-SiC inclusions in 4H- and 6H-SiC crystals grown by the physical vapour transport method
    Autorzy:
    Tymicki, E.
    Raczkiewicz, M.
    Racka, K.
    Grasza, K.
    Kościewicz, K.
    Diduszko, R.
    Mazur, K.
    Łukasiewicz, T.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192088.pdf
    Data publikacji:
    2012
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    SiC
    15R-SiC
    wtrącenie politypowe
    metoda PVT
    polytype inclusion
    PVT method
    Opis:
    W pracy zaprezentowano wyniki eksperymentów, mających na celu określenie warunków wzrostu kryształów 4H- oraz 6H-SiC wolnych od wtrąceń politypu 15R-SiC. Kryształy SiC otrzymane w procesie krystalizacji metodą transportu fizycznego z fazy gazowej (PVT) zostały zbadane przy użyciu metod badawczych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), dyfrakcja elektronów wstecznie rozproszonych (EBSD), mikroskopia optyczna oraz trawienie chemiczne, pod kątem występowania wtrąceń politypu 15R w strukturach krystalicznych 4H- oraz 6H-SiC. Otrzymane wyniki badań zostały odniesione do parametrów wzrostu tj.: temperatury, ciśnienia, rodzaju materiału wsadowego, oraz jakości i orientacji monokrystalicznego zarodka SiC. Przeprowadzona została dyskusja na temat wpływu warunków wzrostu na powstawanie politypu 15R, z której jednoznacznie wynika, że tworzenie się wtrąceń politypowych 15R w strukturach 4H i 6H wiąże się ze znacznym spadkiem jakości strukturalnej otrzymanych kryształów. Z przeprowadzonych badań wynika, że otrzymanie jednorodnych kryształów politypu 6H i 4H bez wtrąceń 15R-SiC metodą PVT jest trudne ze względu na bardzo szeroki zakres warunków, w których polityp 15R występuje.
    In this paper the main problems which have to be resolved to obtain 4H- and 6H-SiC crystals free from 15R-SiC inclusions by the physical vapour transport method (PVT) are presented. The resultant SiC crystals have been investigated using various experimental methods such as X-ray diffraction (XRD), electron backscatter diffraction (EBSD), optical microscopy and KOH etching in order to check the quality of the crystal structure and the amount of the 15R-SiC inclusions. The obtained results have been analysed with reference to the following growth conditions: temperature, pressure, type of the SiC source material and the quality of the crystal seed. The investigations have showed that a serious deterioration of the structural quality is unavoidable when the 15R-SiC polytype occurs in hexagonal polytypes such as 4H- and 6H-SiC. Obtaining homogenious 4H-SiC and 6H-SiC crystals without any 15R-SiC inclusions by the PVT method is difficult due to there being a very wide range of conditions in which the 15R-SiC polytype appears.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2012, T. 40, nr 3, 3; 17-27
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The influence of impurities in feed ingots on the quality of castings made from nickel superalloy IN-713C
    Autorzy:
    Binczyk, F.
    Cwajna, J.
    Sozańska, M.
    Gradoń, P.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/381414.pdf
    Data publikacji:
    2013
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    ATD
    superalloy
    feed ingot
    master heat
    solidification
    non-metallic inclusion
    nadstop
    wlewek
    krzepnięcie
    wtrącenie niemetaliczne
    Opis:
    The paper presents the results of research on the impact of impurities in the feed ingots (master heat) on the precipitation of impurities in the ATD thermal analysis probe castings. This impurities occur mostly inside shrinkage cavities and in interdendritic space. Additionally, insufficient filtration of liquid alloy during pouring promotes the transfer of impurities into the casting. The technology of melting superalloys in vacuum furnace prevents the removal of slag from the surface of molten metal. Because of that, the effective method of quality assessment of feed ingots in order to evaluate the existence of impurities is needed. The effectiveness of ATD analysis in evaluation of purity of feed ingots was researched. In addition the similarities of non-metallic inclusions in feed ingots and in castings were observed.
    Źródło:
    Archives of Foundry Engineering; 2013, 13, 4; 5-8
    1897-3310
    2299-2944
    Pojawia się w:
    Archives of Foundry Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    The influence of nonmetallic inclusion on strain hardening carbon steel
    Autorzy:
    Vakulenko, Igor
    Vakulenko, Leonid
    Proydak, Svetlana
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/198604.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Politechnika Śląska. Wydawnictwo Politechniki Śląskiej
    Tematy:
    deformation
    steel
    railway wheel
    microhardness
    non-metallic inclusion
    deformacja
    stal
    koło kolejowe
    mikrotwardość
    wtrącenie niemetaliczne
    Opis:
    On a fragment of the rim of a railway wheel removed from service, the volume of the metal with non-metallic inclusions located near the tread surface was investigated. The use of the microhardness measurement technique made it possible to establish the nature of strain hardening of carbon steel near non-metallic inclusions. It showed that with a normal orientation of the plastic flow relative to the inclusion surface, the metal volumes undergo hardening. In proportion to the appearance of a fraction of the tangential component of the deformation near the nonmetallic inclusion, a decrease in the degree of hardening of the metal was observed.
    Źródło:
    Zeszyty Naukowe. Transport / Politechnika Śląska; 2019, 103; 193-198
    0209-3324
    2450-1549
    Pojawia się w:
    Zeszyty Naukowe. Transport / Politechnika Śląska
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Mechanisms of electrical conductivity, quantum capacity and negative capacitance effects in InSe nanohybrid
    Autorzy:
    Ivashchyshyn, Fedir
    Maksymych, Vitaliy
    Calus, Dariusz
    Klapchuk, Myroslava
    Baryshnikov, Glib
    Galagan, Rostislav
    Litvin, Valentina
    Chabecki, Piotr
    Bordun, Ihor
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/2173564.pdf
    Data publikacji:
    2022
    Wydawca:
    Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
    Tematy:
    InSe
    intercalation
    hierarchical structures
    impedance spectroscopy
    density of states
    negative capacity
    struktury hierarchiczne
    spektroskopia impedancyjna
    ujemna pojemność
    gęstość stanów
    wtrącenie
    Opis:
    In this work, we present findings on the syntheses and study of properties of InSe nanohybrid. The introduction of guest component in GaSe matrix leads to an increase in inhomogeneities, which is clearly confirmed by the strengthening of the low-frequency horizontal branch of Nyquist diagrams. A constant magnetic field counteracts this effect and changes the behavior of the impedance hodograph at low frequencies to the opposite. Illumination leads to a colossal increase in quantum capacitance, which is clearly demonstrated in the Nyquist diagram. For the synthesized InSe nanohybrid the interesting behavior of the current-voltage characteristic is reported. As a result of studies of the synthesized InSe nanohybrid the effect of “negative capacity” is observed, the magnitude of which can be controlled by the electric field. Based on the constructed impedance model and proposed N-barrier model, the physical mechanisms of the investigated processes are suggested.
    Źródło:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2022, 70, 1; e139958, 1--8
    0239-7528
    Pojawia się w:
    Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-5 z 5

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies