Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "wet chemical etching" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-1 z 1
Tytuł:
Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties
Autorzy:
Schwalke, U.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/308978.pdf
Data publikacji:
2005
Wydawca:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
Tematy:
high-k dielectrics
CMOS
Pr2O3
process integration
resist removal
wet chemical cleaning
wet chemical etching
RIE
Opis:
In this work we report on the process integration of crystalline praseodymium oxide (Pr2O3) high-k gate dielectric. Key process steps that are compatible with the high-k material have been developed and were applied for realisation of MOS structures. For the first time Pr2O3 has been integrated successfully in a conventional MOS process with n+ poly-silicon gate electrode. The electrical properties of Pr2O3 MOS capacitors are presented and discussed.
Źródło:
Journal of Telecommunications and Information Technology; 2005, 1; 7-10
1509-4553
1899-8852
Pojawia się w:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-1 z 1

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies