Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "type-II superlattice photodetector" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Dark current behaviour of type-II superlattice longwave infrared photodetectors under proton irradiation
Autorzy:
Bataillon, Clara
Perez, Jean-Phillipe
Alchaar, Rodolphe
Michez, Alain
Gilard, Olivier
Saint-Pé, Olivier
Christol, Philippe
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204227.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
displacement damage dose
proton radiation
total ionizing dose
type-II superlattice photodetector
Opis:
In this work, the authors investigated the influence of proton-irradiation on the dark current of XBp longwave infrared InAs/GaSb type-II superlattice barrier detectors, showing a cutoff wavelength from 11 μm to 13 μm at 80 K. The proton irradiations were performed with 63 MeV protons and fluences up to 8∙10¹¹ H+/cm² on a type-II superlattice detector kept at cryogenic (100 K) or room temperature (300 K). The irradiation temperature of the detector is a key parameter influencing the effects of proton irradiation. The dark current density increases due to displacement damage dose effects and this increase is more important when the detector is proton-irradiated at room temperature rather than at cryogenic temperature.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144552
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Electro-optical performance and anisotropic transport study of a Ga-free type-II superlattice barrier structure
Autorzy:
Bouschet, Maxime
Arounassalame, Vignesh
Ramiandrasoa, Anthony
Perez, Jean-Philippe
Péré-Laperne, Nicolas
Ribet-Mohamed, Isabelle
Christol, Philippe
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2204222.pdf
Data publikacji:
2023
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Stowarzyszenie Elektryków Polskich
Tematy:
infrared photodetector
type-II superlattice
barrier structure
Ga-free
transport
anisotropy
Opis:
In the past ten years, InAs/InAsSb type-II superlattice has emerged as a promising technology for high-temperature mid-wave infrared photodetector. Nevertheless, transport properties are still poorly understood in this type of material. In this paper, optical and electro-optical measurements have been realised on InAs/InAsSb type-II superlattice midwave infrared photodetectors. Quantum efficiency of 50% is measured at 150 K, on the front side illumination and simple pass configuration. Absorption measurement, as well as lifetime measurement are used to theoretically calculate the quantum efficiency thanks to Hovel’s equation. Diffusion length values have been extracted from this model ranging from 1.55 μm at 90 K to 7.44 μm at 200 K. Hole mobility values, deduced from both diffusion length and lifetime measurements, varied from 3.64 cm²/Vs at 90 K to 37.7 cm²/Vs at 200 K. The authors then discuss the hole diffusion length and mobility variations within temperature and try to identify the intrinsic transport mechanisms involved in the superlattice structure.
Źródło:
Opto-Electronics Review; 2023, 31, Special Issue; art. no. e144549
1230-3402
Pojawia się w:
Opto-Electronics Review
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies