Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "trawienie chemiczne" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
Justification of the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface
Autorzy:
Suchikova, Y.
Vambol, S.
Vambol, V.
Mozaffari, N.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/368501.pdf
Data publikacji:
2019
Wydawca:
Stowarzyszenie Komputerowej Nauki o Materiałach i Inżynierii Powierzchni w Gliwicach
Tematy:
hierarchies’ analysis method
chemical etching
electrochemical etching
lithographic etching
nanostructures synthesis
metoda hierarchii analitycznej
trawienie chemiczne
wytrawianie elektrochemiczne
litografia
synteza nanostruktur
Opis:
Purpose: of this paper is to justification the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface, which is capable of providing high quality synthesized nanostructures at low cost and ease of the process. Design/methodology/approach: The choice of the optimal method of synthesis was carried out using the hierarchy analysis method, which is implemented by decomposing the problem into more simple parts and further processing judgments at each hierarchical level using pair comparisons. Findings: The article describes the main methods of synthesis of nanostructures, presents their advantages and disadvantages. The methods were evaluated by such criteria as: environmental friendliness, efficiency, stages number of the technological process, complexity, resources expenditure and time and effectiveness. Using the hierarchy analysis method, has been established that electrochemical etching is the most important alternative, and when choosing a nanostructures synthesis method on the semiconductors surface, this method should be preferred. Such studies are necessary for industrial serial production of nanostructures and allow reducing expenses at the realization of the problem of synthesis of qualitative samples. Research limitations/implications: In this research, the hierarchy analysis method was used only to select a rational method for synthesizing nanostructures on the semiconductors surface. However, this research needs to be developed with respect to establishing a correlation between the synthesis conditions and the nanostructures acquired properties. Practical implications: First, was been established that the optimal method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface is electrochemical etching, and not lithographic or chemical method. This allowed the theoretical and empirical point of view to justify the choice of the nanostructures synthesis method in the industrial production conditions. Secondly, the presented method can be applied to the synthesis method choice of other nanostructures types, which is necessary in conditions of resources exhaustion and high raw materials cost. Originality/value: In the article, for the first time, the choice of the nanostructures synthesis method on the semiconductors surface is presented using of paired comparisons of criteria and available alternatives. The article will be useful to engineers involved in the nanostructures synthesis, researchers and scientists, as well as students studying in the field of "nanotechnology".
Źródło:
Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering; 2019, 92, 1-2; 19-28
1734-8412
Pojawia się w:
Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) związków półprzewodnikowych typu AIIIBV
Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds
Autorzy:
Pawłowska, J.
Bańkowska, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192407.pdf
Data publikacji:
2008
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
ścięcie bazowe
trawienie chemiczne AIIIBV
flats
chemical etching AIIIBV materials
Opis:
W pracy omówiono metody identyfikacji kierunków krystalograficznych w celu wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów grupy materiałowej AIIIBV. Przedstawiono porównawcze wyniki otrzymane z wykorzystaniem różnych metod selektywnego trawienia. Określono przydatność poszczególnych metod do wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów bezdyslokacyjnych. Dla monokrystalicznych płytek InAs opracowano technikę określania kierunków krystalograficznych z zastosowaniem masek tlenkowych.
The methods used for determination of the crystallographic orientation in order to make flats on wafers of III-V compounds are presented. The results of selective etching obtained by using various chemical solutions are compared. For dislocation - free InAs wafers, the technique based on using oxide masks have been implemented.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 63-75
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies