Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "trawienie chemiczne" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) związków półprzewodnikowych typu AIIIBV
    Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds
    Autorzy:
    Pawłowska, J.
    Bańkowska, A.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/192407.pdf
    Data publikacji:
    2008
    Wydawca:
    Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
    Tematy:
    ścięcie bazowe
    trawienie chemiczne AIIIBV
    flats
    chemical etching AIIIBV materials
    Opis:
    W pracy omówiono metody identyfikacji kierunków krystalograficznych w celu wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów grupy materiałowej AIIIBV. Przedstawiono porównawcze wyniki otrzymane z wykorzystaniem różnych metod selektywnego trawienia. Określono przydatność poszczególnych metod do wyznaczania ścięć bazowych na płytkach monokryształów bezdyslokacyjnych. Dla monokrystalicznych płytek InAs opracowano technikę określania kierunków krystalograficznych z zastosowaniem masek tlenkowych.
    The methods used for determination of the crystallographic orientation in order to make flats on wafers of III-V compounds are presented. The results of selective etching obtained by using various chemical solutions are compared. For dislocation - free InAs wafers, the technique based on using oxide masks have been implemented.
    Źródło:
    Materiały Elektroniczne; 2008, T. 36, nr 3, 3; 63-75
    0209-0058
    Pojawia się w:
    Materiały Elektroniczne
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Justification of the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface
    Autorzy:
    Suchikova, Y.
    Vambol, S.
    Vambol, V.
    Mozaffari, N.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/368501.pdf
    Data publikacji:
    2019
    Wydawca:
    Stowarzyszenie Komputerowej Nauki o Materiałach i Inżynierii Powierzchni w Gliwicach
    Tematy:
    hierarchies’ analysis method
    chemical etching
    electrochemical etching
    lithographic etching
    nanostructures synthesis
    metoda hierarchii analitycznej
    trawienie chemiczne
    wytrawianie elektrochemiczne
    litografia
    synteza nanostruktur
    Opis:
    Purpose: of this paper is to justification the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface, which is capable of providing high quality synthesized nanostructures at low cost and ease of the process. Design/methodology/approach: The choice of the optimal method of synthesis was carried out using the hierarchy analysis method, which is implemented by decomposing the problem into more simple parts and further processing judgments at each hierarchical level using pair comparisons. Findings: The article describes the main methods of synthesis of nanostructures, presents their advantages and disadvantages. The methods were evaluated by such criteria as: environmental friendliness, efficiency, stages number of the technological process, complexity, resources expenditure and time and effectiveness. Using the hierarchy analysis method, has been established that electrochemical etching is the most important alternative, and when choosing a nanostructures synthesis method on the semiconductors surface, this method should be preferred. Such studies are necessary for industrial serial production of nanostructures and allow reducing expenses at the realization of the problem of synthesis of qualitative samples. Research limitations/implications: In this research, the hierarchy analysis method was used only to select a rational method for synthesizing nanostructures on the semiconductors surface. However, this research needs to be developed with respect to establishing a correlation between the synthesis conditions and the nanostructures acquired properties. Practical implications: First, was been established that the optimal method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface is electrochemical etching, and not lithographic or chemical method. This allowed the theoretical and empirical point of view to justify the choice of the nanostructures synthesis method in the industrial production conditions. Secondly, the presented method can be applied to the synthesis method choice of other nanostructures types, which is necessary in conditions of resources exhaustion and high raw materials cost. Originality/value: In the article, for the first time, the choice of the nanostructures synthesis method on the semiconductors surface is presented using of paired comparisons of criteria and available alternatives. The article will be useful to engineers involved in the nanostructures synthesis, researchers and scientists, as well as students studying in the field of "nanotechnology".
    Źródło:
    Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering; 2019, 92, 1-2; 19-28
    1734-8412
    Pojawia się w:
    Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies