Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystor polowy" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
    Wyświetlanie 1-2 z 2
    Tytuł:
    Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
    Ultra-broadband distributed cascaded amplifier
    Autorzy:
    Kral, J.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/320345.pdf
    Data publikacji:
    2006
    Wydawca:
    Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
    Tematy:
    ultraszerokopasmowy
    linia transmisyjna
    rozłożony wzmacniacz kaskadowy
    tranzystor polowy
    tranzystor polowy z nośnikami o dużej ruchliwości
    HEMT
    wzmocnienie mocy
    ultrabroadband
    transmission line
    cascaded single stage distributed amplifier
    high electron mobility transistor
    power gain
    Opis:
    W opracowaniu przedstawiono kaskadowy wzmacniacz rozłożony zdolny do przenoszenia ekstremalnie szerokich pasm częstotliwości przy dużym (multiplikatywnym) wzmocnieniu. Przedstawiono koncepcję wzmacniacza i wyprowadzono zależności na wzmocnienia napięciowe i mocy jego bezstratnej i unilateralnej wersji. Poddano szczegółowej analizie podstawowe bloki wzmacniacza oraz sformułowano kryteria doboru elementów. Przedstawiono też porównawcze wyniki symulacji wzmacniacza ze stratami własnymi użytego modelu tranzystora. Praca ma znaczenie praktyczne, bowiem zaprojektowane zgodnie z nią elementy wzmacniacza mogą stanowić dobre wartości początkowe procesu optymalizacji komputerowej.
    Cascaded Single Stage Distributed Amplifier (CSSDA) is presented. Amplifier gain formulas are derived for lossless and unilateral version. Fundamental parts of amplifier are submitted to detailed discussion and criteria of elements' selection are formulated. Comparative results of amplifier simulation with loss transistor model are quoted. The paper is of practical importance since it shows how to design elements' values which can be good starting point for computer optimization.
    Źródło:
    Elektrotechnika i Elektronika; 2006, 25, 2; 106-112
    1640-7202
    Pojawia się w:
    Elektrotechnika i Elektronika
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
    Tytuł:
    Analysis and design of a MOSFET-only wideband balun LNA
    Autorzy:
    Bastos, I.
    Oliveira, L. B.
    Goes, J.
    Silva, M.
    Powiązania:
    https://bibliotekanauki.pl/articles/397861.pdf
    Data publikacji:
    2010
    Wydawca:
    Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
    Tematy:
    tranzystor polowy MOS-tylko obwody
    redukcja hałasu
    CMOS LNAs
    MOSFET-only circuits
    noise cancelling
    wideband LNA
    Opis:
    In this paper we present a MOSFET-only implementation of a balun LNA. This LNA is based on the combination of a common-gate and a common-source stage with cancellation of the noise of the common-gate stage. In this circuit, we replace resistors by transistors, to reduce area and cost, and to minimize the effect of process and supply variations and mismatches. In addition, we obtain a higher gain for the same voltage drop. Thus, the LNA gain is optimized and the noise figure (NF) is reduced. We derive equations for the gain, input matching and NF. The performance of this new topology is compared with that of a conventional LNA with resistors. Simulation results with a 130 nm CMOS technology show that we obtain a balun LNA with a peak gain of 20.2 dB (about 2 dB improvement), and a spot NF lower than 2.4 dB. The total power consumption is only 4.8 mW for a bandwidth higher than 6 GHz.
    Źródło:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 241-248
    2080-8755
    2353-9607
    Pojawia się w:
    International Journal of Microelectronics and Computer Science
    Dostawca treści:
    Biblioteka Nauki
    Artykuł
      Wyświetlanie 1-2 z 2

      Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies