Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

English (EN)·Polski (PL)·Yкраїнський (UK)
Przejdź do strony domowej biblioteki Centralna Biblioteka Wojskowa Link otwiera się w nowym oknie Logo biblioteki Prolib Integro - strona głównaCentralna Biblioteka Wojskowa

Wyszukujesz frazę "tranzystor" wg kryterium: Temat

  Lista filtrów
Wyrównaj
Wyświetlanie 1-15 z 24
Tytuł:
Wielopoziomowy układ czopera wysokiego napięcia ze sterowaniem DSP
Multi-level high voltage chopper with DSP controller
Autorzy:
Cichomski, P.
Niewiadomski, M.
Płatek, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/250776.pdf
Data publikacji:
2001
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
czoper
firma MEDCOM Sp. z o.o.
napięcie
silniki trakcyjne
tranzystor
układ napędowy
układ sterowania
Opis:
Napędy DC ze stałoprądowymi przerywaczami prądu (czoperami), wykorzystującymi tranzystory IGBT, charakteryzują się obecnie parametrami techniczno-ekonomicznymi, pozwalającymi na stosowanie ich w napędach trakcyjnych zamiast dotychczasowych układów rozruchu oporowego.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2001, 8, 10; 36-39
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Nowoczesne przetwornice trakcyjne
Power electronic for tramways from MEDCOM
Autorzy:
Baranecki, A.
Niewiadomski, M.
Płatek, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/253813.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
MEDCOM
przetwornica PSM-16
przetwornica trakcyjna
sieć trakcyjna
tranzystor IGBT
urządzenie zasilające
Opis:
Statyczne przetwornice trakcyjne, umożliwiające zasilanie urządzeń w wagonach lub lokomotywach energią z sieci trakcyjnej, stały się już codzienną rzeczywistością. Pierwsza krajowa przetwornica z tranzystorami IGBT oraz magnetykami amorficznymi powstała w firmie MEDCOM w 1995 r. Przetwornica PSM-16, ze swoją masą 160 kg, była wielokrotnie lżejsza od elektromaszynowej poprzedniczki i była pierwszą tego typu przetwornicą oferowaną na polskim rynku.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2003, 10, 9; 57-59
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Ultraszerokopasmowy rozłożony wzmacniacz kaskadowy
Ultra-broadband distributed cascaded amplifier
Autorzy:
Kral, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/320345.pdf
Data publikacji:
2006
Wydawca:
Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie. Wydawnictwo AGH
Tematy:
ultraszerokopasmowy
linia transmisyjna
rozłożony wzmacniacz kaskadowy
tranzystor polowy
tranzystor polowy z nośnikami o dużej ruchliwości
HEMT
wzmocnienie mocy
ultrabroadband
transmission line
cascaded single stage distributed amplifier
high electron mobility transistor
power gain
Opis:
W opracowaniu przedstawiono kaskadowy wzmacniacz rozłożony zdolny do przenoszenia ekstremalnie szerokich pasm częstotliwości przy dużym (multiplikatywnym) wzmocnieniu. Przedstawiono koncepcję wzmacniacza i wyprowadzono zależności na wzmocnienia napięciowe i mocy jego bezstratnej i unilateralnej wersji. Poddano szczegółowej analizie podstawowe bloki wzmacniacza oraz sformułowano kryteria doboru elementów. Przedstawiono też porównawcze wyniki symulacji wzmacniacza ze stratami własnymi użytego modelu tranzystora. Praca ma znaczenie praktyczne, bowiem zaprojektowane zgodnie z nią elementy wzmacniacza mogą stanowić dobre wartości początkowe procesu optymalizacji komputerowej.
Cascaded Single Stage Distributed Amplifier (CSSDA) is presented. Amplifier gain formulas are derived for lossless and unilateral version. Fundamental parts of amplifier are submitted to detailed discussion and criteria of elements' selection are formulated. Comparative results of amplifier simulation with loss transistor model are quoted. The paper is of practical importance since it shows how to design elements' values which can be good starting point for computer optimization.
Źródło:
Elektrotechnika i Elektronika; 2006, 25, 2; 106-112
1640-7202
Pojawia się w:
Elektrotechnika i Elektronika
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analysis and design of a MOSFET-only wideband balun LNA
Autorzy:
Bastos, I.
Oliveira, L. B.
Goes, J.
Silva, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397861.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
tranzystor polowy MOS-tylko obwody
redukcja hałasu
CMOS LNAs
MOSFET-only circuits
noise cancelling
wideband LNA
Opis:
In this paper we present a MOSFET-only implementation of a balun LNA. This LNA is based on the combination of a common-gate and a common-source stage with cancellation of the noise of the common-gate stage. In this circuit, we replace resistors by transistors, to reduce area and cost, and to minimize the effect of process and supply variations and mismatches. In addition, we obtain a higher gain for the same voltage drop. Thus, the LNA gain is optimized and the noise figure (NF) is reduced. We derive equations for the gain, input matching and NF. The performance of this new topology is compared with that of a conventional LNA with resistors. Simulation results with a 130 nm CMOS technology show that we obtain a balun LNA with a peak gain of 20.2 dB (about 2 dB improvement), and a spot NF lower than 2.4 dB. The total power consumption is only 4.8 mW for a bandwidth higher than 6 GHz.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 241-248
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Signal flow graph block approach to the design of the universal mixed-mode multi-loop filter and study of non-ideal properties
Autorzy:
Sotner, R.
Slezak, J.
Dostal, T.
Frydrych, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397881.pdf
Data publikacji:
2010
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
tryb prądowy
tryb napięciowy
uniwersalny filtr
tranzystor diamentowy
regulacje
pasożytnicze wpływy
current-mode
voltage mode
universal filter
diamond transistors
adjustabilities
parasitic influences
Opis:
The paper deals with the universal active filter design in current mode based on diamond transistors is presented. Circuit has abilities to work in high frequency range and adjustable features. All types of second order transfer functions are available. Theoretical assumptions are supported by simulation results in PSpice and by laboratory measurements. Impact of real substantial non-idealities caused by real active elements is discussed.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2010, 1, 3; 316-325
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Analiza i diagnostyka uszkodzeń tranzystorów w przekształtniku sieciowym AC/DC
Analysis and diagnosis of IGBT faults in AC/DC line side converter
Autorzy:
Sobański, P.
Orłowska-Kowalska, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1813979.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
przekształtnik sieciowy AC/DC
metody bezczujnikowe
tranzystor IGBT
diagnostyka uszkodzeń
Opis:
In this paper a single IGBT open-circuit fault symptoms analysis in the voltage-oriented-control AC/DC converter was carried out. The aim of the present contribution was to confirm an effectiveness of the well-known diagnosis methods for open-switch faults in two level voltage inverter in case of the reversible AC/DC line side converter. Presented results have a comparative character and they were achieved by utilizing simulation model of the AC/DC converter control structure based on voltage sensor or sensor less control concept.
Źródło:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały; 2013, 69, 33; 70--81
1733-0718
Pojawia się w:
Prace Naukowe Instytutu Maszyn, Napędów i Pomiarów Elektrycznych Politechniki Wrocławskiej. Studia i Materiały
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Niskostratny drajwer tranzystora MOSFET mocy
Low Loss Power MOSFET Driver
Autorzy:
Legutko, P.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/155591.pdf
Data publikacji:
2014
Wydawca:
Stowarzyszenie Inżynierów i Techników Mechaników Polskich
Tematy:
drajwer
straty mocy
czasy przełączeń
tranzystor MOSFET
driver
analysis
power losses
MOSFET transistor
Opis:
W artykule przedstawiono nową konstrukcję dyskretnego drajwera dedykowanego do zastosowań z wysokoczęstotliwościowymi tranzystorami MOSFET mocy. Przedstawiono przebiegi czasowe oraz charakterystyki strat mocy zarówno drajwerów scalonych, jak i nowego dyskretnego układu. Opracowany dyskretny układ drajwera charakteryzuje się niskimi stratami mocy i krótszymi czasami przełączeń przy częstotliwości 30 MHz. Koszt opracowania nowego drajwera jest kilkakrotnie niższy niż koszt zakupu drajwera scalonego.
This paper presents a systematic approach to the design of high performance gate drive circuits for high speed switching applications. Two integrated drivers DEIC420, DEIC515 and additionally one discrete driver UCC27526 have been designed in the project. The UCC27526 driver was built with low-power discrete circuits connected in parallel by means of appropriate buffers reinforcement signal generator. Figure 1 shows the transistor gate circuit connected to the driver circuit. Figures 2 and 3 present the circuit driver UCC27526. Additionally, in this paper there are presents the characteristics of the driver input power (Fig. 4) for three operating states: a) no load; b) capacitance load 3 nF; c) loading with MOSFET gate. The output voltage waveforms for the DEIC420 and 8xUCC27526 drivers for three operating states are shown in Figures 5 and 6. The new MOSFET Drivers have been verified by use in the universal laboratory in the Department of Power Electronics, Electrical Drives and Robotics of Silesian University of Technology.
Źródło:
Pomiary Automatyka Kontrola; 2014, R. 60, nr 3, 3; 188-191
0032-4140
Pojawia się w:
Pomiary Automatyka Kontrola
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Advanced control and design methods of the auxiliary resonant commutated pole inverter
Autorzy:
Karyś, S.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/201964.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
Tematy:
soft switching
ARCP
ZVS
miękkie przełączanie
tranzystor
Opis:
This paper presents several methods that enable the reduction of power loss in the auxiliary resonant commutated pole inverter - ARCP. Presented methods can be divided into static and dynamic ones. The static methods are related to an appropriate design of the inverter, whereas dynamic ones to advanced control of the power transistors. A variety of design and control methods are presented together with their advantages and disadvantages. The new control method of the current in the resonant branch is described. The main benefits of the proposed extended control method and their constrains are shown.
Źródło:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences; 2015, 63, 2; 489-494
0239-7528
Pojawia się w:
Bulletin of the Polish Academy of Sciences. Technical Sciences
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Selected applications of the MOSFETS in AC-DC rectifier systems
Wybrane zastosowania tranzystorów MOSFET w układach prostownikowych
Autorzy:
Tutaj, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/251034.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy TTS
Tematy:
MOSFET
rectifier circuit
transistor
układ prostownikowy
tranzystor
Opis:
This paper describes the principles of operation and the physical model of an electronic commutator acting as a reverse-conducting transistor AC-DC rectifier with MOSFETs as fast-switching controlled electrical valves with a low ON-state voltage drop. An electronic commutator, when seen as a transistor AC-DC rectifier, can be used in many fields, e.g., for multifunctional automotive generator/starter and conventional DC motors and generators, generator sets, welding machines, etc. The paper also describes a new reverse-conducting transistor AC-DC rectifier, without the use of optoelectronic separation (which does not require a separate power supply), which may be easily realized in IC technology. Computer simulation allows for currents timing of all components of the electronic-commutator’s physical model, both during normal operation as well as in some states of emergency. The paper presents the results of bench experimental studies where the MOSFETs were used as a fast-switching controlled electrical valves with a relatively low ON-state voltage drop. For experimental studies, an electronic commutator has been put together on the Mitsubishi FM600TU module. The reverse-conducting transistor AC-DC rectifier in a three-phase bridge connection has a lot of advantages compared to the conventional diode AC-DC rectifier, such as higher energy efficiency and greater reliability resulting from the lower temperature of electrical valves.
Artykuł opisuje zasadę działania oraz modele fizyczne komutatorów elektronicznych, działających jako tranzystorowe prostowniki z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET z wstecznym przewodnictwem prądu jako klucze elektroniczne o małym spadku napięcia. Komutator elektroniczny, dzialający jako tranzystorowy pro-stownik, może być stosowany w wielu dziedzinach, na przykład, jako prostownik prądnicy samochodowej i konwencjonalnego prądnicorozrusznika, spawarek mobilnych itp. Artykuł opisuje również nową konfigurację prostownika tranzystorowego bez użycia optoelektronicznych elementow separacyjnych, dzięki czemu możliwa jest łatwa realizacja prostownika w technologii układów scalonych. Symulacja komputerowa pozwa-la na uzyskanie przebiegów czasowych prądów i napięć na wszystkich elementach modelu fizycznego komutatora elektronicznego, zarówno podczas normalnej pracy, jak również w wybranych stanach awaryjnych. W pracy przedstawiono również wyniki badań laboratoryjnych, gdzie eksperymentalne tranzystory MOSFET były używane jako szybko przełączalne sterowalne zawory elektryczne (klucze elektroniczne) o stosunkowo niskim spadku napięcia w stanie przewodzenia. W badaniach eksperymentalnych, jako komutator elektroniczny został wykorzystany moduł tranzystorów MOSFET typu FM600TU firmy Mitsubishi. Tranzystorowy prostownika trójfazowy w układzie mostkowym ma wiele zalet w porównaniu z konwencjonalnym diodowym prostownikiem, takich jak wyższa sprawność energetyczna oraz większa niezawodność, wynikająca z niższej temperatury zaworów elektrycznych. W artkule zamieszczono również prostownik tranzystorowy jednofazowy, zintegrowany ze stabilizatorem impulsowym, który może być zrealizowany również jako jeden układ scalony.
Źródło:
TTS Technika Transportu Szynowego; 2015, 12; 1582-1587, CD
1232-3829
2543-5728
Pojawia się w:
TTS Technika Transportu Szynowego
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Spice simulation of substrate potential shift in HVCMOS technologies
Autorzy:
Stefanucci, C.
Buccella, P.
Kayal, M.
Sallese, J.-M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397879.pdf
Data publikacji:
2015
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
Smart Power ICs
HVCMOS modeling
vertical bipolar transistor
substrate potential shift
Smart Power
modelowanie HVCMOS
pionowy tranzystor bipolarny
Opis:
High voltage CMOS active devices inherently include a parasitic vertical PNP bipolar transistor. When activated it injects holes into the substrate causing a dangerous potential shift. In this work a spice-modeling approach based on transistor layout is presented to simulate substrate de-biasing in Smart Power ICs. The proposed model relies on a parasitic substrate network without the need of a parasitic BJT in HVCMOS compact models. The results are compared with TCAD simulations at different temperatures showing good agreement. Potential shift of the substrate is analysed for different geometrical configurations to estimate the effect of P+ grounding schemes and backside contact.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2015, 6, 4; 142-147
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Badania właściwości cieplnych tranzystora MOS mocy chłodzonego cieczą
Investigations of thermal parameters of liquid–cooled power MOSFET
Autorzy:
Bisewski, D.
Zarębski, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377135.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
tranzystor MOS
parametry termiczne
Opis:
W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów parametrów termicznych tranzystora MOS mocy, dla którego zastosowano cieczowy system chłodzący firmy Aquacomputer. Zbadano wpływ wybranych parametrów systemu chłodzącego w tym m.in.: rodzaj wymiennika ciepła oraz prędkość przepływu cieczy chłodzącej na właściwości cieplne tranzystora. Dla porównania, przedstawiono wyniki pomiarów parametrów termicznych rozważanego tranzystora umieszczonego na radiatorze. Porównano skuteczność odprowadzania ciepła z wnętrza tranzystora do otoczenia przy zastosowaniu wymienionych wyżej układów chłodzenia.
The paper presents the results of measurements of thermal parameters of power MOSFET implemented in liquid cooling system offered by Aquacomputer. The influence of selected cooling system parameters, such as: the type of heat exchanger and the flow rate of the coolant on the thermal properties of transistor, has been examined. In comparison, the results of measurements of thermal parameters of the considered transistor located on the heat sink, have been presented. Efficiency of heat radiation to the surroundings of the transistor using the above–mentioned cooling systems, has been investigated.
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 87; 235-244
1897-0737
Pojawia się w:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Selected applications of the MOSFETs in AC-DC rectifier systems
Wybrane zastosowania tranzystorów MOSFET w układach prostownikowych
Autorzy:
Tutaj, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/311897.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Instytut Naukowo-Wydawniczy "SPATIUM"
Tematy:
MOSFET transistor
rectifier circuits
electronic key
electronic commutator
transistor rectifier
tranzystor MOSFET
układy prostownikowe
klucz elektroniczny
komutator elektroniczny
prostownik tranzystorowy
Opis:
The paper presents the principle of the uncontrolled transistor rectifier single- and/or multi-phase. The results of computer simulation waveforms of power and voltages are also given as well as of the currents of the uncontrolled transistor rectifier in single- and/or multi-phase, single- and/or double-way connections using PSPICE. The possibility of using a modified transistor rectifier in low-voltage power supply systems is indicated. In comparison with the conventional diode rectifiers (realized on the silicon power diodes), the transistor rectifier, exhibit a number of advantages, namely: they have a much lower forward-voltage drop, and therefore less power losses on heat, and better energetic efficiency and reliability. These transistor rectifiers can be made in the form of a Modular Circuit (MC) or an Application Specified Integrated Circuit (ASIC). Computer simulation allowed for the imitation of any selected waveforms of voltages and currents in the electronic commutator acting as a modified transistor rectifier. This simulation also confirmed the benefits of using a transistor rectifier instead of a conventional diode rectifier, such as higher energetic efficiency (reduction of power losses caused by the heat in the electronic commutator) and the associated reliability
Artykuł opisuje zasadę działania oraz modele fizyczne komutatorów elektronicznych, działających jako tranzystorowe prostowniki z wykorzystaniem tranzystorów MOSFET z wstecznym przewodnictwem prądu jako klucze elektroniczne o małym spadku napięcia. Komutator elektroniczny, działający jako tranzystorowy prostownik, może być stosowany w wielu dziedzinach, na przykład, jako prostownik prądnicy samochodowej i konwencjonalnego prądnico-rozrusznika, spawarek mobilnych itp. Artykuł opisuje również nową konfigurację prostownika tranzystorowego bez użycia optoelektronicznych elementów separacyjnych, dzięki czemu możliwa jest łatwa realizacja prostownika w technologii układów scalonych. Symulacja komputerowa pozwala na uzyskanie przebiegów czasowych prądów i napięć na wszystkich elementach modelu fizycznego komutatora elektronicznego, zarówno podczas normalnej pracy, jak również w wybranych stanach awaryjnych. W pracy przedstawiono również wyniki badań laboratoryjnych, gdzie eksperymentalne tranzystory MOSFET były używane jako szybko przełączalne sterowalne zawory elektryczne (klucze elektroniczne) o stosunkowo niskim spadku napięcia w stanie przewodzenia. W badaniach eksperymentalnych, jako komutator elektroniczny został wykorzystany moduł tranzystorów MOSFET typu FM600TU firmy Mitsubishi. Tranzystorowy prostownika trójfazowy w układzie mostkowym ma wiele zalet w porównaniu z konwencjonalnym diodowym prostownikiem, takich jak wyższa sprawność energetyczna oraz większa niezawodność, wynikająca z niższej temperatury zaworów elektrycznych. W artykule zamieszczono również prostownik tranzystorowy jednofazowy, zintegrowany ze stabilizatorem impulsowym, który może być zrealizowany również jako jeden układ scalony.
Źródło:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe; 2016, 17, 4; 88-94
1509-5878
2450-7725
Pojawia się w:
Autobusy : technika, eksploatacja, systemy transportowe
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
The temperature dependence of subthreshold characteristics of Si and SiC power MOSFETs
Autorzy:
Kraśniewski, J.
Janke, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/118323.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Koszalińska. Wydawnictwo Uczelniane
Tematy:
MOSFET
power transistor
subthreshold
temperature dependence
tranzystor mocy
obszar podprogowy
zależność od temperatury
Opis:
In the paper, subthreshold characteristics of Si and SiC MOSFET power transistors in a wide range of current and temperature are considered. Representative examples of measured iD-vGS dependencies for temperatures from 20°C up to over 140°C are presented and discussed. Substantial differences of the shapes obtained for Si and SiC devices are observed. The subthreshold slope and subthreshold swing coefficient are extracted from measured curves for two types of devices and compared.
W niniejszym artykule porównano charakterystyki w obszarze podprogowym tranzystorów mocy MOSFET z krzemu i węglika krzemu w szerokim zakresie prądu i temperatury. Dla reprezentatywnej partii tranzystorów przedstawiono i omówiono pomiary zależności iD-vGS w szerokim zakresie temperatur od 20°C do ponad 140°C. Dodatkowo zaprezentowano różnice w wartości nachylenia oraz wahania współczynnika w obszarze podprogowym od temperatury otoczenia dla badanych tranzystorów z Si i SiC.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej; 2016, 9; 51-58
1897-7421
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Jednofazowy falownik napięcia z aktywnym obwodem odsprzęgającym
Single-phase inverter with active power decoupling
Autorzy:
Czyż, P.
Cichowski, A.
Śleszyński, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/267988.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Gdańska. Wydział Elektrotechniki i Automatyki
Tematy:
falownik jednofazowy
odsprzęganie składowej przemiennej mocy chwilowej
sterowanie przekształtnikiem
tranzystor z węglika krzemu
SiC
single-phase inverter
decoupling of the alternating component of the instantaneous power
converter control
silicon carbide transistors
Opis:
Znanym zagadnieniem w jednofazowych falownikach napięcia jest pobieranie ze źródła napięcia stałego składowej przemiennej o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości generowanej przez falownik. Jednym z rozwiązań problemu jest stosowanie dużej baterii kondensatorów elektrolitycznych, lecz lepszym sposobem z punktu widzenia niezawodności i gęstości mocy przekształtnika jest stosowanie aktywnych układów odsprzęgania mocy. W pracy przedstawiono ideę aktywnego odsprzęgania mocy na przykładzie układu podwyższającego napięcie. Następnie zaprezentowano sposób doboru elementów obwodu odprzęgającego oraz przyjętą strategię sterowania. Zaproponowany model zweryfikowano w programie symulacyjnym oraz zaimplementowano w zbudowanym modelu laboratoryjnym falownika. W badaniach laboratoryjnych osiągnięto znaczną redukcję składowej prądu wejściowego o częstotliwości dwukrotnie większej od częstotliwości podstawowej falownika oraz sprawność powyżej 94%.
In single-phase inverters the instantaneous output power contains a DC component and a double line frequency power oscillation. To cope with the issue of inducing a significant current and voltage ripples on the DC side, the most popular approach is to decouple DC and AC sides with a bulky bank of electrolytic capacitors. This method is however reducing the reliability, life-time and power density of a converter. Most recently active power decoupling methods are gaining popularity as an alternative approach to solve this issue. In this paper a film capacitor based active power decoupling method in a boost topology is presented. First of all, the methods of DC active power decoupling, the principle of decoupling in a boost topology and selection of decoupling circuit elements are given. Then, the proposed control strategy is described and verified by the simulation. Finally, a constructed prototype of the single-phase inverter is presented and measurements at 500 W output power are conducted. The obtained results proves the feasibility of the identified approach and also high power efficiency of 94% is achieved.
Źródło:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej; 2017, 57; 17-20
1425-5766
2353-1290
Pojawia się w:
Zeszyty Naukowe Wydziału Elektrotechniki i Automatyki Politechniki Gdańskiej
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:
Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397793.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy
Opis:
In this paper we present a simulation framework to account for the Schottky barrier lowering models in SBMOSFETs within the Synopsys TCAD Sentaurus tool-chain. The improved Schottky barrier lowering model for field emission is considered. A strategy to extract the different current components and thus accurately predict the on- and off-current regions are adressed. Detailed investigations of these components are presented along with an improved Schottky barrier lowering model for field emission. Finally, a comparison for the transfer characteristics is shown for simulation and experimental data.
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2017, 8, 2; 72-79
2080-8755
2353-9607
Pojawia się w:
International Journal of Microelectronics and Computer Science
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Wyświetlanie 1-15 z 24

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies