Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "transparent layer" wg kryterium: Temat


Wyświetlanie 1-2 z 2
Tytuł:
The use of thermal mapping in evaluation of mechanically induced electrical degradation of graphene - based transparent heaters
Zastosowanie mapowania termicznego do oceny elektrycznej degradacji uszkodzonych mechanicznie grafenowych przezroczystych elementów grzejnych
Autorzy:
Kozłowska, A.
Gawlik, G.
Piątkowska, A.
Krajewska, A.
Kaszub, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/192205.pdf
Data publikacji:
2017
Wydawca:
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:
graphene
transparent layer
heating element
infrared imaging
thermal distribution
mechanical defect
grafen
warstwa przezroczysta
element grzejny
obrazowanie w podczerwieni
rozkład termiczny
defekt mechaniczny
Opis:
The purpose of this study is to investigate temperature distributions of graphene-based transparent heaters deposited on glass. Furthermore it analyses the influence of layer discontinuities such as scratches and cracks on the performance of Joule-heated samples. Graphene mechanical strength was examined by the nanoscratch method at incremental loads using a ball on a flat sample surface. In the case of the controlled load several scratches were produced on the graphene surface. Tribological tests were conducted at different constant loads. the paper presents scanning electron micrograph (seM) observations of the modified graphene surface. Infrared imaging of Joule-heated samples indicates a significant uniformity deterioration of the thermal maps due to the current flow alteration in the presence of structural imperfections. The results obtained in the course of this study give new insight into the role of defects such as cracks or discontinuities in the overall performance of graphene transparent layers.
W pracy przeprowadzone zostały badania rozkładów termicznych elementów grzejnych zawierających warstwy grafenowe naniesione na szkło. Analizowany był wpływ nieciągłości warstwy w postaci zarysowań i pęknieć. Mechaniczna wytrzymałość grafenu badana była za pomocą metody nano-zarysowań przy narastającym obciążeniu kulki oddziaływującej na płaską powierzchnię próbki. Przy zastosowaniu kontrolowanego maksymalnego obciążenia wykonano szereg rys na powierzchni grafenu. Przeprowadzono testy tribologiczne dla różnych stałych obciążeń. W pracy zawarto wyniki analizy zmodyfikowanej powierzchni grafenu za pomocą skaningowego mikroskopu elektronowego (SEm). Obrazowanie w podczerwieni próbek podgrzewanych za pomocą wydzielanego ciepła Joula wskazały na znaczne pogorszenie jednorodności rozkładów termicznych, na skutek zmiany drogi przepływu prądu w przypadku występowania niedoskonałości strukturalnych. Wyniki pozwalają na ocenę wpływu defektów w postaci pęknięć i nieciągłości na działanie przezroczystych grafenowych warstw grzejnych.
Źródło:
Materiały Elektroniczne; 2017, T. 45, nr 1, 1; 12-17
0209-0058
Pojawia się w:
Materiały Elektroniczne
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
Tytuł:
Properties of thin films of high-k oxides grown by atomic layer deposition at low temperature for electronic applications
Autorzy:
Gieraltowska, S
Wachnicki, Ł
Witkowski, B S
Godlewski, M
Guziewicz, E
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/173591.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
Tematy:
high-k oxides
composite layers
atomic layer deposition
transparent electronics
zinc oxide
Opis:
Thin films of high-k oxides are presently used in semiconductor industry as gate dielectrics. In this work, we present the comparison of structural, morphological and electrical properties of binary and composite layers of high-k oxides that include hafnium dioxide (HfO2), aluminum oxide (Al2O3) and zirconium dioxide (ZrO2). We deposit thin films of high-k oxides using atomic layer deposition (ALD) and low growth temperature (60–240 °C). Optimal technological growth parameters were selected for the maximum smoothness, amorphous microstructure, low leakage current, high dielectric strength of dielectric thin films, required for gate applications. High quality of the layers is confirmed by their introduction to test electronic structures, such as thin film capacitors, transparent thin film capacitors and transparent thin film transistors. In the latter structure we use semiconductor layers of zinc oxide (ZnO) and insulating layers of high-k oxide grown by the ALD technique at low temperature (no more than 100 °C).
Źródło:
Optica Applicata; 2013, 43, 1; 17-25
0078-5466
1899-7015
Pojawia się w:
Optica Applicata
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
    Wyświetlanie 1-2 z 2

    Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies